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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116355331A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310299277.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种核壳结构钛酸钡掺杂PVDF基复合薄膜及其制备方法和应用，涉及介质电容器技术领域。本发明的目的是为了解决传统复合材料掺杂无机纳米填料后，复合薄膜存在介电损耗明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：本发明中无机核壳纳米填料在三元共聚物基体中能够较好的分散，提升了复合介质的介电性能。无机核壳纳米纤维所具有的大长径比特征能够有效的阻止电树枝伸展，进一步提高复合薄膜的击穿强度。壳层氧化铝的引入缓解了钛酸钡与聚合物基体之间的介电差异，能够有效减少界面处的电场畸变情况，无机核壳纳米纤维的引入能够获得击穿强度和储能密度的有效提升。本发明可获得一种核壳结构钛酸钡掺杂PVDF基复合薄膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN116285184A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310284215.X
申请日：2023-03-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种全有机四项共混储能复合材料的制备方法及应用，涉及聚偏氟乙烯基聚合物储能技术领域。本发明的目的是为了解决传统的纯聚偏氟乙烯类聚合物薄膜存在介电损耗和电导率增加，以及充放电效率降低的问题。方法：将聚偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物、聚偏氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯加入到聚丙烯酸乙酯‑氯乙醚混合溶液a中，搅拌均匀后，得到混合溶液b；然后将混合溶液b抽真空，得到混合溶液c；再将混合溶液c均匀涂覆在预处理过的基板的一个面上，固化后将基板上的薄膜剥离，得到全有机四项共混储能复合材料。本发明可获得一种全有机四项共混储能复合材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN114559719B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210191175.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。方法：将P(VDF‑HFP)薄膜置于两层FPE薄膜之间，进行热压工艺处理，最后冷却，得到高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜。本发明可获得一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法。
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公开(公告)号：CN114854061A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210575773.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用，涉及聚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决以聚酰亚胺为基体的传统复合材料薄膜通常介电常数低，并且掺杂填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将五氧化二铌施主掺杂二氧化硅颗粒a加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声，然后向混合溶液b中加入4,4′‑二氨基二苯醚，超声，再将3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐加入到混合溶液c中，搅拌得到混合溶液d；最后将混合溶液d成膜，得到施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜。本发明可获得一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN114539771A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210300137.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种受主掺杂填料/聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用，涉及绝缘材料技术领域。本发明的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将受主掺杂填料加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声得到混合溶液a；向混合溶液a中加入4,4’‑二胺基二苯醚，搅拌至其溶解，得到混合溶液b；将均苯四甲酸酐加入到混合溶液b中，搅拌至粘稠状，得到聚酰亚胺酸胶体，抽真空，将聚酰亚胺酸胶体均匀涂覆在基板上，固化，再将基板在350℃下保温1～1.5h，冷却至室温。本发明可获得一种受主掺杂填料/聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。
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