半导体装置及其制造方法
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101064309A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200710097689.4

    申请日:2007-04-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N-型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器,分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子,而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极,而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜,分别形成第一层和第二层的半导体区域。

    半导体装置的制造方法
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101038878A

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200610059812.9

    申请日:2006-03-15

    Abstract: 一种半导体装置的制造方法,可提高导通时的驱动力,包含:使用具有规定开口的掩模层,在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序;至少与沟槽(15)的侧壁相连接,且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序;与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序;对异质半导体层(30)进行图案形成,形成异质半导体区域(3)的工序。

    半导体装置
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1925158A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200610080989.7

    申请日:2006-05-26

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,该半导体装置包括:第一导电型的第一半导体基体;第一切换机构,其设置在第一半导体基体上,被布置和构造成切换流过半导体装置的电流的接通/断开;以及第一反向阻断异质结二极管,其设置在半导体基体上,被布置和构造成阻断与由第一切换机构切换而接通/断开的电流反向的电流。

    二次电池系统
    60.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102257668B

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN200980151668.3

    申请日:2009-12-15

    CPC classification number: H01M10/441 H01M10/482 H02J7/0016

    Abstract: 提供了一种轻量化和低成本化的二次电池系统,该二次电池系统包括串联连接的多个二次电池。多个第一二极管的阳极分别与相应二次电池的负电极相连接。多个第二二极管的阴极分别与相应二次电池的正电极相连接。多个电容器各自连接至第一二极管的阴极和第二二极管的阳极之间的连接部。交流电源通过这些电容器与这些连接部均相连接。

Patent Agency Ranking