磁传感器阵列结构、电流检测系统和方法

    公开(公告)号:CN114509591A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210070374.5

    申请日:2022-01-21

    IPC分类号: G01R15/18 G01R19/00

    摘要: 本申请涉及一种磁传感器阵列结构、电流检测系统和方法。所述磁传感器阵列结构包括:第一磁传感器,用于测量所处环境的磁感应强度;第二磁传感器,用于测量所处环境的磁感应强度;第三磁传感器,用于测量所处环境的磁感应强度;其中,第一磁传感器、第二磁传感器和第三磁传感器分别位于同一等边三角形的三个顶点处,且第一磁传感器、第二磁传感器和第三磁传感器设于待测导体外围,以使待测导体穿过等边三角形,第一磁传感器、第二磁传感器和第三磁传感器的一磁敏感方向垂直于对应磁传感器所在点与等边三角形的重心的连线方向。该磁传感器阵列结构不需要磁芯,不存在饱和问题,同时采用非接触式测量方式,无需破坏被测导体的线路结构。

    一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器

    公开(公告)号:CN114487547A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210043323.3

    申请日:2022-01-14

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本发明提供一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器,包括设置在基底的上表面的玻璃层;设置在玻璃层上表面的硅衬底;以及设置在硅衬底上表面的半导体薄膜;硅衬底的中心区域开设有上小下大的圆台状的第一通孔;玻璃层的中心区域开设有沙漏状的第二通孔;第二通孔的顶部与第一通孔的底部连通,且连通后形成的空腔内安装有压电晶体;压电晶体的第一端与基底的上表面粘接;压电晶体的第二端通过第一氧化硅层与半导体薄膜的下表面耦合;压电晶体的外壁与第一通孔的内壁和第二通孔的内壁均存在间隙;将硅衬底反置到半导体薄膜和玻璃层之间,提高了电场传感器的测量精度和灵敏度。

    基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法和装置

    公开(公告)号:CN114441835A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210125805.3

    申请日:2022-02-10

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本申请涉及一种基于磁场传感芯片的双导体电流测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:获取磁场传感芯片测量的两个待测导体分别在各坐标轴方向上的第一磁感应强度,并根据各第一磁感应强度,确定各待测导体的第二磁感应强度,第二磁感应强度表征待测导体在垂直于第一方向上的磁感应强度,第一方向为待测导体与磁场传感芯片的连线方向,进而基于各第二磁感应强度以及各待测导体的电流预设值,利用当前次的迭代结果与上一次的迭代结果之间的第一关系式,确定当前次的迭代结果,直到得到满足预设条件的目标迭代结果为止,其中,目标迭代结果包括各待测导体的电流测量值。采用本方法能够扩大应用场景范围。

    电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质

    公开(公告)号:CN113049874B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202110284919.8

    申请日:2021-03-17

    IPC分类号: G01R19/25

    摘要: 本申请涉及一种电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质。电流传感器包括:四个第一单轴TMR芯片和至少两个第二单轴TMR芯片;各第一单轴TMR芯片和各第二单轴TMR芯片位于同一虚拟圆环上;其中,四个第一单轴TMR芯片的磁敏感方向均垂直于虚拟圆环的半径,且相邻两个第一单轴TMR芯片的磁敏感方向垂直;两个第二单轴TMR芯片的磁敏感方向均平行于虚拟圆环的半径且相反,且两个第二单轴TMR芯片分别与其中两个第一单轴TMR芯片的位置相同;各单轴TMR芯片均用于采集磁感应强度;磁感应强度用于计算待测导线的目标电流值。采用本电流传感器进行电流测量时,测试方式简单、成本低。