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公开(公告)号：CN100487926C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710150221.7
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法，首先利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法，控制辉光功率和硅烷浓度，采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层；然后在等离子体辉光不灭的情况下，调节辉光功率和硅烷浓度，采用第二沉积速率在第一本征本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层，所述的第一沉积速率小于所述的第二沉积速率。本发明首先通过采用较低的辉光功率和较小的硅烷浓度，达到用较低沉积速率在P层上沉积，以获得低缺陷态高晶化的本征微晶硅薄膜层，进而提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101159296A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710150230.6
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法，其是将玻璃衬底放在真空室内；采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜；采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜，根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔室环境，对随后生长的I层本征微晶硅薄膜进行硼补偿，达到对随后生长的I层本征微晶硅薄膜中硼浓度的有效控制，并控制I层本征微晶硅薄膜内硼的浓度在1016cm－3～1017cm－3量级范围内。这样利用单室沉积和原位的补偿实现本征微晶硅薄膜质量的改善，既不增加新的设备改造投资，又避免了交叉污染的难点，同时还有效提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101136443A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710061326.5
申请日：2007-09-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有增透保护膜的柔性转移衬底太阳电池及其制备方法，首先采用电解液对金属衬底进行表面处理，接着在金属衬底上制备增透保护薄膜，然后在具有增透保护薄膜的金属衬底表面制备前电极、然后激光切割、制备P－I－N层、激光切割、制备背电极、激光切割和层压聚合物衬底，最后去除金属衬底并进行电池封装处理，得到具有增透保护膜的柔性转移衬底太阳电池。本发明在金属衬底和前电极之间增加增透保护薄膜，既避免了电池在去除临时金属衬底时受腐蚀液的影响，又提高电池的光吸收，提高太阳电池效率。
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公开(公告)号：CN1287471C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200510014307.8
申请日：2005-07-01
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术，属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极，结合湿法腐蚀ZnO的方法，实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术，最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太阳电池低成本的优势。是一个结构设计思想巧妙的制备技术。
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公开(公告)号：CN1277318C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510013862.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P1和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1710723A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510014307.8
申请日：2005-07-01
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术，属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极，结合湿法腐蚀ZnO的方法，实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术，最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太阳电池低成本的优势。是一个结构设计思想巧妙的制备技术。
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公开(公告)号：CN1219332C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03105077.8
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种薄膜光光上转换图象显示装置，本发明将Si基薄膜光电池及有机薄膜发光二极管(OLED)直接耦合构成一种新型光光转换装置。将光电传感器Si基薄膜光电池和以顶部为高透过率透明电极的顶发射OLED反向串接构成复合装置，由Si基薄膜光电池将输入光信号转换成的光生电流直接耦合到OLED发出另一波长的可见光，不同的Si基薄膜光电池可实现不同波段的光响应。本发明可用于光探测、寻像器、夜视、光图象转换的信息处理、光子学平行信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN1510413A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN02158728.0
申请日：2002-12-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种光学参数测量装置。解决了现有仪器在垂直入射光条件下不能测量材料的光反射率R、在不同角度测量时R与T不相关、光吸收率α出现负值等问题。技术方案是：主要包括光源、标准反射镜、分光器、检测器与计算机构成；其特征是在光源输出的光路中增设半透半反镜；标准反射镜安装在与通过半透半反镜的入射光成90°角处，并在光源与标准反射镜之间的垂直方位依次连接分光器、检测器、计算机。本发明实现了在垂直入射光条件下测量材料的光反射率R，保证与垂直光透过率T为相关数据；尤其是当材料为透明薄膜时，有光干涉也能保证R与T是相关数据。本发明为光学测量仪器家族增添了一种测量准确无误的光学参数测量装置。
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公开(公告)号：CN115498111B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN119384143A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411297996.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种基于烟酰胺衍生物材料钝化的钙钛矿太阳电池的制备方法，涉及太阳电池技术领域，该电池为P‑I‑N结构，由下至上依次包括透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层、金属电极。本发明提供了一种用于上述界面修饰层的烟酰胺衍生物材料，包括2‑氨基烟酰胺和6‑氨基烟酰胺，使用含有2‑氨基烟酰胺和6‑氨基烟酰胺异丙醇溶液对钙钛矿光吸收层进行协同钝化处理，制备界面修饰层。本发明降低钙钛矿薄膜表面的缺陷，提高钙钛矿薄膜的质量，促进载流子输运，有效抑制非辐射复合，从而提升钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
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