用于反应合成三元硼化物金属陶瓷熔覆层的粉芯丝及制备工艺

    公开(公告)号:CN100535173C

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200810117184.4

    申请日:2008-07-25

    Abstract: 一种用于反应合成Mo-Ni-B系三元硼化物金属陶瓷熔覆层的粉芯丝及制备工艺,属于常温或高温耐磨、耐腐蚀表面技术领域。该粉芯丝由复合粉末和镍箔组成,复合粉末在粉芯丝中所占的质量分数为50-75%;粉芯丝中的复合粉末组分的质量分数为:硼粉:7-10%,钼粉:70-78%,钒粉:0-5%,锰粉:0-3%,铬粉:余量;钼与硼原子比在0.8-1.2范围。通过氩弧或等离子弧熔覆工艺,在碳钢、合金钢和高温合金表面反应合成Mo-Ni-B系金属陶瓷熔覆层的粉芯丝。优点在于,使所处理的金属部件在保持较高强度和韧性的同时,其表面具有优良的高温耐蚀、耐磨性。

    用于反应合成三元硼化物金属陶瓷熔覆层的粉芯丝及制备工艺

    公开(公告)号:CN101343721A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810117184.4

    申请日:2008-07-25

    Abstract: 一种用于反应合成Mo-Ni-B系三元硼化物金属陶瓷熔覆层的粉芯丝及制备工艺,属于常温或高温耐磨、耐腐蚀表面技术领域。该粉芯丝由复合粉末和镍箔组成,复合粉末在粉芯丝中所占的质量分数为50-75%;粉芯丝中的复合粉末组分的质量分数为:硼粉:7-10%,钼粉:70-78%,钒粉:0-5%,锰粉:0-3%,铬粉:余量;钼与硼原子比在0.8-1.2范围。通过氩弧或等离子弧熔覆工艺,在碳钢、合金钢和高温合金表面反应合成Mo-Ni-B系金属陶瓷熔覆层的粉芯丝。优点在于,使所处理的金属部件在保持较高强度和韧性的同时,其表面具有优良的高温耐蚀、耐磨性。

    变流器三级信号保护电路
    53.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204205569U

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201420750285.6

    申请日:2014-12-03

    Abstract: 本实用新型提供了一种变流器三级信号保护电路,该保护电路包括:传感器、硬件过量保护电路、FPGA保护电路、DSP脉冲封锁电路、PWM驱动电路和IPM功率模块,其中,FPGA保护电路,用于根据过流故障信号和过压故障信号,以及上桥臂故障信号和下桥臂故障信号,生成故障脉冲封锁信号,封锁FPGA、DSP和PWM驱动电路三者的变流器脉冲信号;所述DSP脉冲封锁电路,用于在接收到所述故障脉冲封锁信号后将输出至所述FPGA的6路PWM触发脉冲信号设置为高阻态。本实用新型解决了现有技术中变流器系统中易出现过流振荡致使IPM损坏的技术问题,达到了有效抑制变流器内部保护的过流振荡现象的技术效果。

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