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公开(公告)号:CN105153457A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510442220.4
申请日:2015-07-24
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明提出了一种开孔结构高孔隙率高吸油率的多孔聚氯乙烯泡沫球及其制备方法,属于多孔聚合物材料技术领域。本发明的多孔聚氯乙烯泡沫球具有开孔结构、比表面积高、质量轻、吸附能力强、耐酸碱性能优良等优点,在环保、化学等领域拥有潜在的应用价值。本发明的制备方法为:(1)通过机械球磨混合法将聚氯乙烯溶液和致孔剂混合均匀;(2)通过相分离沉淀法制备多孔聚氯乙烯泡沫材料。本发明方法制备的多孔聚氯乙烯泡沫球与其他多孔聚合物材料相比具有:(1)孔径可控、比表面积高、孔径分布均一;(2)成本较低、价格便宜;(3)制备工艺简单、节能环保;(4)具有较强的吸油能力,吸油倍率可达1000%。
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公开(公告)号:CN103724869A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201310641974.3
申请日:2013-12-03
Applicant: 华侨大学 , 厦门凯纳石墨烯技术有限公司
IPC: C08L27/06 , C08L23/06 , C08L23/12 , C08L25/06 , C08L77/02 , C08L81/06 , C08L81/02 , C08L27/18 , C08L59/00 , C08L69/00 , C08L61/06 , C08L23/28 , C08L55/02 , C08L71/10 , C08L25/12 , C08L27/24 , C08K3/04 , B29B13/10 , B29B13/00
Abstract: 本发明公开了一种聚合物-石墨烯混合物的制备方法,利用石墨粉和聚合物同为粒状粉末的优势,使用干法球磨原位剥离石墨层,制备聚合物与石墨烯的混合物。具体步骤为:(1)石墨粉与聚合物粉末预混合;(2)预混合物在球磨机中充分球磨、剥离,制备聚合物与石墨烯的混合物;本发明采用的干法球磨,避免了溶液混合、原位聚合、湿法球磨等方法溶剂回收与污染的问题,同时也克服了熔融分散过程石墨烯分散不均匀的缺点,简化了工艺操作,易于推广使用;制得的聚合物-石墨烯混合物适用于挤出、注塑、模压、吹塑、流延等聚合物加工方式。
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公开(公告)号:CN101864005B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201010195935.1
申请日:2010-06-03
Applicant: 华侨大学 , 厦门凯纳石墨烯技术有限公司
IPC: C08F2/44 , C08K3/04 , C09C1/46 , C09C3/04 , C08F112/08 , C08F120/14 , C08F265/08 , C08L25/06 , C08L63/00 , C08L101/02 , C08L51/00
Abstract: 本发明公开了一种制备聚合物/石墨烯复合材料方法,首先将石墨粉均匀分散在聚合物液体介质中利用磨球对石墨粉进行研磨剥离得到聚合物/石墨烯悬浮液;然后通过向聚合物/石墨烯悬浮液中加入沉淀剂将聚合物连同石墨烯从溶液中沉淀析出的办法或直接引发聚合物单体聚合的办法或对聚合物预聚体中进行固化的办法最终得到聚合物/石墨烯复合材料。该方法是一种原位制备石墨烯并进行复合的新方法。石墨烯一旦生成立即被聚合物分子或聚合物单体包裹隔离起来,有效克服了石墨烯自团聚的发生;另外,在聚合物液体介质中进行机械研磨保证了填料与聚合物可以充分混合,使石墨烯在聚合物基体中得到了更加有效的分散;还有,采用机械球磨工艺更容易扩大规模,实现工业化生产。
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公开(公告)号:CN1908075A
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200610041296.7
申请日:2006-08-02
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种改性膨胀石墨导电母料及其制备方法,其将重量百分比为50~85%的膨胀石墨,0~3%分散剂和15%~50%树脂载体通过熔融复合工艺制备成导电母料。该导电母料具有高的导电性,如用其制备导电塑料,用量低,工艺简单,分散性好,样品表面光滑,力学性能优异,可以填充于多种聚合物基体中。若将该母料掺入部分的碳酸钙还可以降低生产成本。
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公开(公告)号:CN1262593C
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200410014923.9
申请日:2004-05-13
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种由高密度聚乙烯和纳米石墨构成的高导电率聚合物复合材料。本发明纳米石墨具有高的径厚比,通过高温混炼,较少量的便可在高密度聚乙烯中形成导电网络,它的电阻率在较窄的压力范围内随压力的升高而急剧跃增,具有阻断电流的开关特性,且材料重量较轻、具有良好的力学性能和加工性能,材料导电性比一般高分子导电复合材料好。
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公开(公告)号:CN119859221A
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202510120104.4
申请日:2025-01-25
Applicant: 华侨大学 , 福建华峰新材料有限公司
IPC: C08F255/02 , A43B13/04 , A43B1/00 , C08F220/06
Abstract: 本发明公开了一种EVA泡沫回收料‑α‑甲基丙烯酸共聚物及其制备方法和应用,其接枝度为0.6‑7.3%,由包括如下重量份的原料组分混合制备并干燥制成:粉末状EVA泡沫回收料2重量份、引发剂0.03‑0.1重量份、甲基丙烯酸单体0.8‑1.6重量份和去离子水20重量份。本发明的EVA泡沫回收料表面接枝了α‑甲基丙烯酸,这种化学结构赋予了材料极高的活性和极性;由于α‑甲基丙烯酸的引入,EVA泡沫回收料能够与其他组分形成更强的相互作用,从而显著提升其在复合材料中的相容性和功能性。此外,接枝方法简便且绿色环保,对于EVA泡沫回收料的再利用具有极其重要的应用意义。
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公开(公告)号:CN119797353A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510019757.3
申请日:2025-01-07
Applicant: 华侨大学
IPC: C01B32/198 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化石墨烯的制备方法,包括如下步骤:(1)将氧化石墨烯分散于去离子水中,得到氧化石墨烯分散液;(2)将步骤(1)制得的氧化石墨烯分散液进行辐照,得到多孔氧化石墨烯分散液;(3)在步骤(2)制得的多孔氧化石墨烯分散液中加入过氧化物,得到混合液;(4)将步骤(3)所得的混合液加热搅拌反应,得到纳米氧化石墨烯分散液;(5)将步骤(4)制得的纳米氧化石墨烯分散液进行冷冻干燥后,得到纳米氧化石墨烯粉体。本发明制得的纳米氧化石墨烯平均尺寸在20~80nm;平均厚度在1~3nm,并具有优异的水分散性,Zeta电位绝对值不小于20mV。
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公开(公告)号:CN118516023A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410761974.5
申请日:2024-06-13
Applicant: 华侨大学
IPC: C09D133/00 , C09D5/32 , C09D7/61 , C09D123/28
Abstract: 本发明属于光吸收涂层技术领域,具体公开了一种基于激光蚀刻的超黑光吸收涂层及其制备方法。本发明先将氯化聚丙烯/丙烯酸共聚物、水基丙烯酸树脂、乙醇、水、碳纳米管分散剂、消泡剂和碳纳米管混合,得到混合浆料;然后将混合浆料涂覆在基材上,进行激光蚀刻,得到超黑光吸收涂层。本发明还限定了超黑光吸收涂层的反射率与激光蚀刻中的激光功率和扫描速率的关系。本发明通过调整激光功率和扫描速率可以计算得到超黑光吸收涂层的反射率,能够制备得到性能优异的,反射率极低的超黑光吸收涂层。
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公开(公告)号:CN116396043B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202310390910.4
申请日:2023-04-13
Applicant: 华侨大学
IPC: C04B28/14 , C04B14/36 , C04B24/28 , C04B24/26 , C04B103/00
Abstract: 本发明提供了一种复合高强石膏材料及其制备方法和应用,属于石膏材料技术领域。由包括以下原料制备得到:石膏、水性聚合物、增稠剂、氧化石墨烯、消泡剂和水。本发明引入了氧化石墨烯‑水性聚合物二次补强结构,即由氧化石墨烯对水性聚合物进行一次补强,提升水性聚合物的机械强度后,进一步地,在石膏浆液中充分分散的水性聚合物在石膏固化的过程中以片层结构的形式存在支撑着石膏晶体,进而强化石膏,此外,氧化石墨烯还能作为石膏结晶生长点,加快石膏结晶速率,获得尺寸较小的晶体,使得晶体间结构更加密实,宏观上强度更高。实施例的结果显示,本发明提供的复合高强石膏材料的冲击强度在6.5J/m2以上。
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公开(公告)号:CN117946671A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410138289.7
申请日:2024-01-31
Applicant: 华侨大学 , 厦门祥福兴科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种红色荧光碳量子点材料的制备方法,包括将有机小分子化合物与硼酸置于有机溶剂中进行溶剂热反应,再经分离纯化,即成;该有机小分子化合物为柠檬酸、尿素、硫脲、邻苯二胺、对苯二胺和三聚氰胺中的至少一种。本发明制得的碳量子点材料的尺寸在2‑6nm,平均尺寸在4.134nm,能观察到明显的0.212nm的晶格条纹,其XRD图像上在26°有明显的峰,表明其存在片层较小的石墨结构,21°左右的峰,表明其内部存在类石墨烯结构,属于碳量子点的结构。
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