公开(公告)号：CN222867669U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421404818.5

申请日：2024-06-19

Applicant: 常州瑞华新能源科技有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 涂刘煜 ,  梁琳 ,  陈晨 ,  杜芳

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/538 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

Abstract: 本实用新型涉及碳化硅技术领域，特别是一种对称的双面散热碳化硅多芯片并联的封装结构，包括对称设置的两个基板，所述基板内侧连接有DBC铜板，所述DBC铜板内侧连接有AlN陶瓷板，所述AlN陶瓷板通过DBC铜板连接有功率端子，上侧的所述DBC铜板连接有缓冲层钼柱，所述缓冲层钼柱通过纳米银烧结层与芯片连接，所述DBC铜板中部设有SiC MOSFET栅极铜柱，所述SiC MOSFET栅极铜柱与芯片连接，所述SiC MOSFET栅极铜柱与SiC MOSFET栅极接线端子连接，所述SiC MOSFET栅极铜柱中央设有NTC温度传感器，所述NTC温度传感器与NTC温度传感器连接端子连接。本实用新型能够减小现有碳化硅多芯片封装结构芯片间热耦合效应，减小功率模块的热阻，利于多芯片结温监测。