一种火箭发动机喷流干扰效应的地面模拟装置及模拟方法

    公开(公告)号:CN113899516B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111156785.8

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种火箭发动机喷流干扰效应的地面模拟装置及模拟方法。该地面模拟装置包括专用的试验模型和喷流装置。该地面模拟方法包括:确定风洞流场参数;确定模型缩比;确定喷流参数;确定CF4/N2的混合比例;试验前地面准备;CF4/N2混合气体充气并加热到指定温度;风洞试验,先启动风洞,待流场稳定时,打开快速阀,混合气体喷出,采集天平测力数据、流场显示图像;风洞停车,喷流关闭;进行火箭发动机喷流干扰效应的数据分析,试验结束。该地面模拟方法采用CF4和N2混合的配气模式,能够模拟热喷流,通过进行热喷流干扰风洞试验,为飞行器设计提供技术支持。

    一种火箭发动机喷流干扰效应的地面模拟装置及模拟方法

    公开(公告)号:CN113899516A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111156785.8

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种火箭发动机喷流干扰效应的地面模拟装置及模拟方法。该地面模拟装置包括专用的试验模型和喷流装置。该地面模拟方法包括:确定风洞流场参数;确定模型缩比;确定喷流参数;确定CF4/N2的混合比例;试验前地面准备;CF4/N2混合气体充气并加热到指定温度;风洞试验,先启动风洞,待流场稳定时,打开快速阀,混合气体喷出,采集天平测力数据、流场显示图像;风洞停车,喷流关闭;进行火箭发动机喷流干扰效应的数据分析,试验结束。该地面模拟方法采用CF4和N2混合的配气模式,能够模拟热喷流,通过进行热喷流干扰风洞试验,为飞行器设计提供技术支持。

    基于激光位移传感器的天平校准装置及校准方法

    公开(公告)号:CN110307959A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910683617.0

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于激光位移传感器的天平校准装置及校准方法,包括:校准基座,其通过螺杆固定在地面上;天平支杆,其通过锥面与校准基座内锥孔紧固连接;天平,其通过锥面与天平支杆的天平端内锥孔紧固连接;加载环,其通过内锥孔与天平前段锥面紧固连接;激光位移传感器支架,其通过螺杆固定在地面上,确保安装的垂直度;激光位移传感器,其通过螺杆固定在激光位移传感器支架上。本发明能实现基于激光位移传感器的天平校准过程。通过过激光位移传感器测量天平支杆组成的悬臂系统在天平端的位移量,可建立该位移与加载量的函数关系,从而得到基于结构位移的天平吹风公式。

    一种用于脉冲风洞的应力波风洞天平

    公开(公告)号:CN110108439A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910387937.1

    申请日:2019-05-10

    Abstract: 本发明涉及风洞测力试验技术领域,具体公开了一种用于脉冲风洞的应力波风洞天平。一种用于脉冲风洞的应力波风洞天平,该天平包括风洞模型、敏感梁、半导体应变计以及加速度计,其中,风洞模型为中空结构,其与细长杆状的敏感梁固定连接,并在靠近风洞模型的敏感梁上设有半导体应变计;在风洞模型中还设有加速度计。本发明的应用于脉冲风洞的应力波风洞天平响应时间小于0.3ms,能够满足有效试验时间为毫秒量级的脉冲风洞的气动阻力测量试验要求,测量飞行器处于0°俯仰角时所受到的气动阻力。

    一种送进液压系统
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109611393A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201910102178.X

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种送进液压系统。本发明的送进液压系统是一种采用高压氮气源作为送进过程中的驱动源的三联缸液压伺服系统。该系统采用高压氮气驱动液压油,由液压油带动液压缸快速送进。该系统采用位移传感器作为反馈源,形成闭环控制,实现精确定位。该系统中的设备调试管路阀门组件实现了液压管路、液压缸自动排气以及缸体初始位置定位功能。本发明的送进液压系统具有送进载荷大、速度高及定位精度高的特点。该系统降低了液压泵的性能需求,有利于降低研制及维护成本。本发明的送进液压系统能够将风洞试验模型快速、平稳送进及精确定位在风洞试验段中,在风洞气动热试验研究中具有广泛的应用价值。

    一种基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法

    公开(公告)号:CN108467007A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201810348331.2

    申请日:2018-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法。MEMS摩阻传感器分解为浮动元件、硅微结构、电极基板、接口电路和封装管壳5个部分,硅微结构和电极基板采用MEMS加工工艺制作,浮动元件采用和装管壳采用精密机械加工技术制作,接口电路采用陶瓷基精密微带电路技术制作。MEMS摩阻传感器采用专门的微组装设备和微组装工艺,微组装设备由精密视觉定位系统、三自由度微操作对准平台、真空吸头和图像辨识系统构成;利用视觉精密定位和微操作对准技术完成MEMS摩阻传感器的组装。本发明的基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法,提高了MEMS摩阻传感器加工、组装精度,进而提高了其在高超声速风洞内表面摩擦阻力测量的精准度。

    一种温度自补偿应变计
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108267076A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201611265270.0

    申请日:2016-12-30

    Inventor: 邱华诚

    Abstract: 本发明属于传感技术领域,具体涉及一种应用于变温,尤其是有温度梯度,环境下使用的新型温度自补偿应变计;该应变计包括基底及基底上相互正交设置的四个电极和四个敏感栅,所述的四个敏感栅由四个尺寸相同、厚度均匀且各向同性的敏感栅箔材构成;所述的四个敏感栅相互连接构成Wheatstone电桥,电桥中两个相邻敏感栅构成一路电流通道,四个敏感栅相互连接构成四路电流通道;所述的四路电流通道分别与四个电极连接。该应变计通过自身结构能够实时补偿由敏感栅材料自身的电阻温度效应,以及敏感元件和测试件受热膨胀导致的测量误差,故仅依靠仅通过加工工艺和材料的一致性可以很好的保证应变计的温度补偿效果,而无需额外的温度补偿电路。

    带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计

    公开(公告)号:CN108253877A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611247078.9

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 本发明属于半导体应变测试技术领域,具体涉及一种带CMOS温度传感器的温度补偿型半导体应变计。包括:由四个压敏电阻组成的应变敏感器件,四个压敏电阻尺寸相同,相互连接并组建Wheatstone全桥;由两个CMOS晶体管组成的温度敏感器件,两个CMOS晶体管尺寸相同,位于Wheatstone全桥的四个压敏电阻中间;CMOS晶体管和Wheatstone全桥共用一个恒压激励源,且其负激励端接地,两个CMOS晶体管的基极直接连至全桥输入端的接地端,两个CMOS晶体管的集电极均由外部固定电阻连接至恒压激励源,且这两个外部固定电阻阻值不同。本发明通过用不同的驱动电流驱动两个相邻且等尺寸的晶体管,消除因晶体管各项寄生物理量及工艺偏差等引起的误差,从而增加了测量温度的精准度。

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