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公开(公告)号：CN100355097C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510029388.9
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的高单色性光源阵列包括：金属基板，在金属基板上依次排列的氮化镓发光二极管和窄带滤光片阵列。二极管作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而窄带滤光片阵列则把这个波段内的光在空间上分成若干束不同波长的单色光。本发明可以通过选择不同波段的发光二极管，并与相应的窄带滤光片阵列集成，以获得不同波段的高单色性发光阵列。这种发光阵列可以满足微小型光谱仪等在集成单色光源方面的需求。
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公开(公告)号：CN100334440C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410084794.0
申请日：2004-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法，该发明是基于F-P干涉原理进行设计的，即在两片完全相同的窄带通高反膜系之间夹一真空层或空气层作为谐振腔，构成一个品质因子非常高的超窄带通滤光片，利用带通位置处的透过率对谐振腔的吸收特别敏感的特性，只要将待测样品放在谐振腔内，谐振腔内会有微弱吸收，就会引起透过率发生明显的变化，通过透过率的变化及利用商用的膜系设计与计算软件Filmstar绘制的峰值透过率差值(ΔT)随消光系数(κ)变化的标准曲线，就可以推算出待测光学材料的消光系数，进而得出其吸收系数。
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公开(公告)号：CN1289892C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中A1组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
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公开(公告)号：CN1737613A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510029389.3
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有多腔结构的窄带滤光片列阵，它是利用多个F－P结构膜系来形成多腔，通过组合镀膜或组合刻蚀方法来形成谐振腔层列阵，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构适用于各个波段多腔窄带滤光片列阵。这种结构的优点是滤光片的带通矩形度好，易于多通带集成，可以更多地获取各光谱通带内的信号、同时更好地抑制掉通带外的噪声，大大提高信噪比，能够满足工程化和实用化需要。
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公开(公告)号：CN1688014A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510025732.7
申请日：2005-05-11
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μmULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP－ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1677137A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510025460.0
申请日：2005-04-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/20
CPC classification number: G02B5/28
Abstract: 本发明公开了一种具有平整谐振腔层的滤光片列阵，它是利用F－P结构滤光片的带通峰位随其谐振腔层厚度的变化而改变的特性设计的。它包括基片，在基片上依次排列下层膜系、谐振腔层膜系、上层膜系。其特征在于：谐振腔膜层是厚度不同的膜层列阵，它是通过组合镀膜来实现不同厚度谐振腔膜层在同一基片上的集成，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构的优点是避免了因刻蚀引起界面粗糙而导致的滤光片性能下降和控制精度问题，与传统镀膜方法相比，制备效率和成品率都非常高。
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公开(公告)号：CN1645171A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510023679.7
申请日：2005-01-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种可以在保持正入射情况下各种优良性能的同时，还可以抑制掉很宽入射角范围内由带通峰位随入射角偏移而引起的弥散光透过的窄带滤光片。该窄带滤光片采用光子晶体异质结构的膜系设计，其结构为：α[(LH)mxL(HL)m]β[(HL)nyH(LH)n]，它是利用不同缺陷光子晶体结构的带通峰位随入射角变化的偏移程度不同，使得斜入射的光不能同时透过整个光子晶体异质结构传播出去，从而达到抑制各种斜入射弥散光的目的，同时仍然保持正入射情况下滤光片的各种优良性能，并改善其带通矩形度，这样可以大大提高窄带滤光片的性能。
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公开(公告)号：CN1632644A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410089451.3
申请日：2004-12-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种三维光学微腔式单光子源，该光子源包括：衬底，与衬底牢固结合的微腔膜系，嵌埋在微腔中的量子点，其特征在于：在微腔膜系上，靠近微腔四周刻有呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱，空气柱的深度为膜系的厚度。本发明的优点在于：由于采用准三维光子晶体结构的设计使光学微腔在各个方向上都有很好的限制能力，从原理上克服了传统结构在垂直方向上漏光的缺陷，而且可以方便地从多个嵌埋量子点中优选出单个量子点发光，形成光学微腔式的单光子源。
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公开(公告)号：CN1595233A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410025343.X
申请日：2004-06-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光片式。这种结构可以使量子阱只吸收频率范围较窄的飞秒激光，避免了因飞秒激光频率展宽而引起的THz发光强度降低。作为发光部分的量子阱正好处于窄带通滤光片的谐振腔层，飞秒激光在该结构中多次来回反射，极大地增强量子阱对飞秒激光的吸收，从而提高其THz发光强度。
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公开(公告)号：CN1187600C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02137758.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明书提供了一种通过测量多个角度反射谱来同时获得薄膜等效折射率和厚度的设备和方法。该设备简单，测量方便。该方法是根据入射光在空气-薄膜-衬底的界面处两次反射会发生干涉，其干涉现象会从反射谱上表现出来。因此只要测得两个不同入射角θ1和θ2含有干涉信息的反射谱R(θ1，ω)和R(θ2，ω)，采用薄膜反射率公式同时拟合这两个反射谱，得到相应的光程差Δ1和Δ2，根据折射定律，联立两个方程就可以得出薄膜的等效折射率n及物理厚度d。与传统方法不同的是该方法可以同时、方便、无损地测出薄膜的等效折射率和厚度，甚至可以用于镀膜过程的实时监控与在线检测。
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