公开(公告)号：CN204188832U

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201420683913.3

申请日：2014-11-14

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汪敬 ,  甘甫烷 ,  盛振 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/125 ,  G02B27/28

Abstract: 本实用新型提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本实用新型提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。

公开(公告)号：CN204302526U

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201420845051.X

申请日：2014-12-26

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汪敬 ,  甘甫烷 ,  盛振 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/126

Abstract: 本实用新型提供一种偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导；双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度；非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导，根波导与第一刻蚀区的尾端相连，第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的，本实用新型提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性，解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。

公开(公告)号：CN204155032U

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201420660874.5

申请日：2014-11-06

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 甘甫烷 ,  汪敬 ,  盛振 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/122

Abstract: 本实用新型提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本实用新型的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。

公开(公告)号：CN204536588U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520043216.6

申请日：2015-01-21

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汪敬 ,  甘甫烷 ,  盛振 ,  武爱民 ,  仇超 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/126

Abstract: 本实用新型提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本实用新型提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。