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公开(公告)号：CN111462959B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010294325.0
申请日：2020-04-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开一种真空高压脉冲绝缘结构，包括阳极外筒、阴极及绝缘子，所述阴极通过绝缘子共轴支撑在阳极外筒内，所述阳极外筒内还设置有脉冲源侧屏蔽环和真空侧屏蔽环，所述脉冲源侧屏蔽环和真空侧屏蔽环分别设置于绝缘子两侧，所述脉冲源侧屏蔽环对应脉冲功率源侧设置，所述真空侧屏蔽环对应真空侧设置。本发明的真空二极管高压脉冲径向绝缘结构能够有效匀化绝缘子附近电场分布并降低三相点电场强度，最终得到较高的绝缘梯度进而大幅缩小真空二极管的横向尺寸，提高系统的轻小型化水平，该种真空二极管高压脉冲径向绝缘结构能很好地应用于结构紧凑的脉冲功率和高功率微波源系统的真空高压脉冲二极管之中。
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公开(公告)号：CN111540658A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254724.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，包括依次设置包含同轴内导体的非周期性C波段慢波结构和X波段慢波结构，所述C波段慢波结构和X波段慢波结构之间设置可轴向移动的金属圆波导，控制金属圆波导的轴向位置可定向掩盖C波段慢波结构或X波段慢波结构的部分腔体；所述C波段慢波结构轴向总长度与C波段辐射波长的比值为1.6，X波段慢波结构轴向总长度与X波段辐射波长的比值为1.97，所述微波器件的内直径为76mm；电压380kV，电流6kA，内直径为60mm，外直径为70mm的环形电子束在0.63T的磁场引导下在微波器件内传输，可控辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。采用本发明的一种C，X波段双频可控紧凑型高功率微波器件，可控制辐射产生4GHz或8GHz的高功率微波。
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公开(公告)号：CN111540656A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010254629.4
申请日：2020-04-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种S，C波段双频可控高功率微波器件，所述微波器件内具有同轴的内导体和四腔慢波结构，微波器件左端设置与四腔慢波结构内直径相同的圆环封闭结构；所述四腔慢波结构可轴向调节其在微波器件内的相对位置，其轴向总长度为170mm，内直径为76mm；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为240mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生S波段高功率微波；调节四腔慢波结构最右端与内导体最左端轴向距离为162.5mm时，环形电子束在微波器件内传输，辐射产生C波段高功率微波。采用本发明的一种S，C波段双频可控高功率微波器件，能够实现S及C波段可控高功率微波输出。
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公开(公告)号：CN105846016B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610229476.1
申请日：2016-04-14
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01P1/16
Abstract: 本发明公开了一种高功率微波TE31‑TE11模式转换器，包括外筒和内筒，所述外筒一端面开口另一端面密封，所述外筒的密封端面上设置有一个通孔，所述内筒嵌入在外筒密封端上的通孔内，通孔的直径与内筒的外径一致，所述内筒与外筒同轴设置，所述内筒的壁面沿着轴线方向设置有若干耦合缝隙，所述外筒的内壁上设置有两根调谐杆，调谐杆分别位于内筒的两侧；本发明基于场耦合原理，通过镜像对称的耦合缝隙，巧妙地将TE31模式直接高效率的转换为TE11模式，该发明公布的模式转换器具有结构简单、易于加工、体积紧凑的优点，可在多种采用磁控管作为微波源的高功率微波系统中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN107093540A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201611158097.4
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01J25/50 , H01J23/36 , H01J2223/36 , H01J2225/50
Abstract: 本发明公开了一种多天线耦合输出结构的相对论磁控管，包括阴极、阳极外筒和设置在阳极外筒内的阳极块，所述阴极设置在阳极外筒内且两者同轴心设置，所述阳极块设置在阴极与阳极外筒之间且阳极块与阳极外筒的内壁连接；所述阳极外筒内设置有耦合天线，所述耦合天线的一端与阳极块连接，耦合天线的另一端悬空，耦合天线与阳极外筒轴向平行；本发明由于采用了耦合天线内部放置的方法，整个输出结构是沿阴阳极的轴向延伸，系统的横向尺寸仅由微波管自身的阴阳极决定，因此结构较为紧凑。且由于输出结构不会额外增加微波管的横向尺寸，有利于外部磁场产生系统的小型化设计；另外此种相对论磁控管，其输出模式可以根据需要进行改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104992892B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510419649.1
申请日：2015-07-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种永磁包装相对论磁控管，所述磁控管为全腔提取轴向输出结构，由阴极、阳极外筒以及轴向提取结构组成；包括若干个环状的永磁铁，一部分永磁铁套在阳极外筒上，另一部分永磁铁套在阳极外筒内的阴极上，永磁铁与磁控管同轴心设置。本发明的永磁磁铁采用内嵌和外部加载相结合的办法，增大了永磁体均匀区尺寸，部分永磁磁铁嵌于磁控管内部，充分利用了磁控管的内部空间，使得整个永磁包装结构较为紧凑。该永磁包装结构能长时间稳定的为相对论磁控管提供所需均匀磁场，使其工作产生吉瓦级的高功率微波输出。该种永磁包装相对论磁控管能很好地应用于结构紧凑或重复频率运行的高功率微波系统之中。
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公开(公告)号：CN103219567A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310120392.0
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01P1/16
Abstract: 本发明公开了一种超材料模式转换器，属于微波传输领域，该转换器包括内导体、外导体和超材料，所述内导体为圆柱形，外导体为圆筒形，内导体插入外导体之中并同轴心；所述超材料由金属阵元沿轴向周期排布构成并连接在外导体的内壁上；内、外导体的尺寸可调，超材料的金属阵元周期数、尺寸可调；本发明的模式转换器结构紧凑，具有较高的功率容量，可以在不增加系统横向尺寸的前提下在约1/3个波长的长度内完成模式转换，能很好地应用于体积小、质量轻的紧凑型窄带高功率微波传输与发射系统。
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公开(公告)号：CN214959540U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121617775.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H04B7/0426 , H01Q21/00 , H01Q1/50 , H01Q1/36
Abstract: 本实用新型公开一种全方位辐射的高功率微波系统，包括用于产生高功率微波的高功率微波源、用于将高功率微波辐射到指定空间位置的辐射天线和用于连接高功率微波源和辐射天线的功率分配器，辐射天线由多个辐射阵面组成多面体结构，辐射阵面包括辐射面和设置于辐射面内侧的馈线，馈线内设置有用于对辐射阵面上的辐射波束进行指向调节的调相装置，功率分配器包括多路分别与高功率微波源连接的传输机构，每一路传输机构上均设置有用于控制该路传输机构是否传输微波的微波开关，多路传输机构分别与辐射天线的多个面对应且连接。该高功率微波系统具有波束覆盖范围广、拓扑结构简单的特点，其体积及重量均较小，控制方式简单，能够满足多种应用需求。
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公开(公告)号：CN212141016U
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202020412484.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开一种医用废弃物微波消毒处理装置，包括用于收集医用废弃物的微波处理桶、与微波处理桶结合形成密闭微波处理空间的微波加热罩，所述微波加热罩上固定连接用于实现微波处理的微波管，所述微波加热罩上对应微波管设置微波管安装接口，本实用新型消毒成本低，消毒效果好，操作简单，不易发生二次污染，安全稳定，不易出现消毒事故，适合推广。
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公开(公告)号：CN211529910U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020600547.6
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/033 , H01J25/50
Abstract: 本实用新型公开了一种相对论磁控管的一体化制冷阳极外筒，包括内筒、冷却液外壳、设置于内筒及冷却液外壳之间的冷却液槽，所述冷却液外壳与内筒同轴排布并分别构成冷却液槽的上下边界，所述冷却液槽内设置有用于实现冷却液持续均匀流动的导流通道。本实用新型在冷却液槽内采用回形导流通道，保证了冷却液在冷却液槽内形成均匀的折叠流，在工作过程中可以将阳极上不同角向位置所产生的热量一次带走，不会导致由于冷却液分布不均而产生的局部温度过高。另外，本实用新型充分利用相对论磁控管的内部空间实现阳极块的冷却降温，既不增加系统横向尺寸，也不占用磁体空间，在实现对相对论磁控管的整个阳极区域制冷的同时提高了系统的轻小型化水平。
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