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公开(公告)号：CN104981718B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201480003095.0
申请日：2014-05-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B5/02 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B5/02 , G02B5/04 , G02B5/045 , G02B5/30 , G02B5/305 , G02F1/133528 , G02F1/133536 , G02F2001/133607
Abstract: 本发明提供一种可实现机械强度优异、且具有高照度的液晶显示装置的光学构件。本发明的实施方式的光学构件依次包含偏振板、反射型偏振片、及棱镜片，针对以45°入射至反射型偏振片内的波长650nm的直线偏振光的反射率为70％以上。代表性地，棱镜片通过在与反射型偏振片相反一侧排列多个形成凸状的柱状的单元棱镜而构成。
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公开(公告)号：CN105190368B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201380075452.X
申请日：2013-04-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/02
Abstract: 本发明提供一种光扩散元件的制造方法，其能以低成本且高生产率(短时间)制造雾度值高、具有强的扩散性且表面平滑而抑制后方散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件的制造方法包括：将光扩散性微粒与有机溶剂混合而制备混合液，并使该光扩散性微粒溶胀的工序A；将该混合液与包含树脂成分的前体及超微粒子成分的基质形成材料混合的工序B；使该树脂成分的前体聚合而形成包含树脂成分及超微粒子成分的基质的工序C。
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公开(公告)号：CN107797329A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710759501.1
申请日：2017-08-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133536 , G02B5/0242 , G02B5/045 , G02B5/3025 , G02B5/305 , G02B5/3083 , G02F1/13363 , G02F2001/133567 , G02F2001/133638 , G02F2413/01 , G02F2413/05 , G02F1/133528 , G02F1/133606 , G02F2001/133607
Abstract: 本发明提供在用于液晶显示装置的情况下能够将从光源射出的光以高效率向液晶显示面板入射的光学构件。光学构件(100)通过偏振板(10)、反射型偏振片(20)、偏振转换层(30)以及棱镜层(42)按顺序一体化而成，关于透过偏振度为99.99％的第一偏振片以及第二偏振片的自然光的亮度而设有平行亮度L0和正交亮度L90时，偏振转换层满足L90/L0≥0.2。
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公开(公告)号：CN107108944A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071036.1
申请日：2015-12-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J9/24 , C08G77/04 , C08J9/28 , C08J2201/026 , C08J2201/0504 , C08J2205/02 , C08J2205/05 , C08J2383/04 , C09D183/04
Abstract: 本发明的目的是提供例如可以在抑制龟裂产生的同时形成空隙率高的多孔结构、且也兼具强度的有机硅多孔体。本发明的有机硅多孔体的特征在于，含有硅化合物的微细孔粒子，且上述硅化合物的微细孔粒子彼此介由催化作用而进行了化学键合。本发明的有机硅多孔体的例如通过Bemcot(注册商标)得到的耐擦伤性为60～100％，通过MIT试验得到的耐折次数为100次以上。上述有机硅多孔体例如可以通过下述制造：使用含有凝胶状硅化合物的粉碎物的溶胶形成上述有机硅多孔体的前体，并使上述有机硅多孔体的前体中所含的上述粉碎物彼此进行化学键合。上述粉碎物彼此的化学键合例如优选为上述粉碎物彼此的化学交联键合。
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公开(公告)号：CN107108943A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071018.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J9/28 , C08G77/04 , C08J2201/026 , C08J2203/10 , C08J2383/16 , C08K3/36 , C09D7/61 , C09D183/04 , C09D183/16
Abstract: 本发明的目的是提供例如可以在抑制龟裂产生的同时形成空隙率高的多孔结构、且也兼具强度的空隙结构膜。本发明的空隙结构膜的特征在于，形成微细的空隙结构的一种或多种构成单元彼此介由催化作用而进行了化学键合。本发明的空隙结构膜例如通过Bemcot(注册商标)得到的耐擦伤性为60～100％，通过MIT试验得到的耐折次数为100次以上。上述空隙结构膜例如可以通过下述制造：使用含有凝胶状硅化合物的粉碎物的溶胶形成上述有机硅多孔体的前体，并使上述有机硅多孔体的前体中所含的上述粉碎物彼此进行化学键合。上述粉碎物彼此的化学键合例如优选为上述粉碎物彼此的化学交联键合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103109214B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201180044554.6
申请日：2011-09-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/02 , G02B5/30 , G02F1/1335 , G02F1/13357 , F21V3/04
CPC classification number: G02B5/0242 , G02B5/0278 , G02F1/133504
Abstract: 本发明提供一种具有较强的光扩散性且抑制后向散射、并且生产性优异的非常薄的光扩散膜。本发明的光扩散膜具有：第1区域，其具有第1折射率；折射率调制区域，其包围第1区域且实质上为球壳状；以及第2区域，其位于折射率调制区域的与第1区域相反侧且具有第2折射率；并且，光扩散半值角为30°以上，厚度为4μm～25μm，且满足下述式(1)及(2)：y≤0.011×(30≤×≤60)…(1)y≤0.0275×-0.99(60＜×)…(2)在这里，x表示光扩散半值角(°)，y表示后向散射率(％)，式(1)及(2)表示光扩散半值角的数值与后向散射率的数值的关系。
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公开(公告)号：CN103109212B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180044550.8
申请日：2011-09-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/02 , F21V3/04 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/02 , G02B5/0242 , G02B5/0278 , G02B5/30 , G02F1/133504
Abstract: 本发明提供一种可实现低后向散射且高浊度的薄膜的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有：具有第1折射率的第1区域及具有第2折射率的第2区域，第1区域与第2区域形成呈微细凹凸状且为球壳状的边界。根据一个实施方式，本发明的光扩散元件具有基质及分散在该基质中的光扩散性微粒，在基质与光扩散性微粒的界面或其附近，折射率不同的2个区域形成呈微细凹凸状且为球壳状的边界。
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公开(公告)号：CN105164557A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201380075460.4
申请日：2013-04-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/02
CPC classification number: G02B5/0242 , G02B5/0268 , G02B5/0278
Abstract: 本发明提供一种雾度值较高、具有较强的扩散性且表面平滑抑制后方散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有包含树脂成分及超微粒子成分的基质、与分散在该基质中的光扩散性微粒，且该树脂成分的一部分渗透至光扩散性微粒中，该光扩散性微粒中的树脂成分的渗透范围相对于扩散元件中的光扩散性微粒的平均粒径为90％以上，算术平均表面粗糙度Ra为0.04μm以下。
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公开(公告)号：CN105103010A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380075446.4
申请日：2013-04-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/02
CPC classification number: G02B5/0242 , G02B5/0278
Abstract: 本发明提供一种雾度值较高、具有较强的扩散性且抑制后方散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有包含树脂成分及超微粒子成分的基质、与分散于该基质中的光扩散性微粒，该超微粒子成分的平均一次粒径为100nm以下，实质上不含凝聚的超微粒子成分。在优选的实施方式中，上述光扩散性微粒的平均一次粒径为1μm～5μm，该光扩散性微粒之重均粒径分布的变动系数为20％以下，且该光扩散性微粒实质上不凝聚。
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公开(公告)号：CN103119479A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180044547.6
申请日：2011-09-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/02 , F21V3/04 , G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供一种具有较强的光扩散性且消偏振因子较小的薄膜的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有：第1区域，其具有第1折射率；折射率调制区域，其包围第1区域且实质上为球壳状；以及第2区域，其位于折射率调制区域的与第1区域相反侧且具有第2折射率；并且浊度为90％～99.9％，且消偏振因子为0.2％以下。优选，光扩散元件具有：包含无机超微粒成分及树脂成分的基质、以及分散在基质中的非晶性光扩散性微粒，折射率调制区域是基于基质中的该无机超微粒成分的分散浓度的实质性梯度而形成于基质与非晶性光扩散性微粒的界面附近。
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