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公开(公告)号：CN103736526A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310549901.1
申请日：2013-11-08
Applicant: 上海大学
IPC: B01J35/10 , B01J23/889 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种温和可控的Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料的制备方法，属于过渡金属氧化物功能材料领域。本发明的主要内容是：KMnO4液滴穿过CH2Cl2层进入MnSO4溶液，在H2O/CH2Cl2界面上发生理化反应，反应后，将混合物经过液液分离，过滤、洗涤、干燥，得到中空的MnO2纳米刺球，然后用溶液浸渍法对其进行Fe负载：按照一定的质量百分比和固液质量比，配制Fe(NO3)3溶液，然后将MnO2加入到Fe(NO3)3溶液中超声振荡，后蒸干水分，将得到的样品放入马弗炉煅烧后，得到Fe/MnO2介孔纳米刺球复合材料。本发明在过渡金属氧化物功能材料领域尤其是环境催化领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN101974326B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010291074.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种荧光二氧化硅纳米球的制备方法，属无机化学和材料合成技术领域。本发明方法主要过程是：(1)按已有技术，将一定量的乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)在管式炉中N2保护下250～400℃下煅烧，制得荧光碳量子点；(2)将上述荧光碳量子点、去离子水、十八胺、甲苯相混合，且在160～180℃下反应12小时；然后离心分离，取其上清液，经烘干后得到十八胺修饰的荧光碳量子点；(3)将上述十八胺修饰的荧光碳量子点与水、乙醇、氨水、正硅酸乙酯混合，在40℃反应1～12小时；然后再加入正硅酸乙酯、十六烷基三甲基溴化铵反应1～12小时；然后经乙醇清洗，再经离心、烘干，300℃下煅烧3小时即得荧光二氧化硅纳米球。
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公开(公告)号：CN103078108A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310014878.6
申请日：2013-01-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯负载菱面体氧化铁复合材料及其水热合成方法。其典型的特征为以单层石墨烯作为基体骨架，菱面体氧化铁在石墨烯片层两面均匀生长，菱面体氧化铁的颗粒尺寸为50~150nm，各个面都是规则的平行四边形。菱面体氧化铁可以通过石墨烯片层实现良好的导电性，从而提高了复合材料的表观电导率。该材料制备经过两个典型步骤，一是制备热解石墨烯，二是水热合成石墨烯负载菱面体氧化铁复合材料。本发明方法制备的石墨烯负载菱面体氧化铁复合材料工艺简单，可逆容量高、循环性能好，是一种非常具有研究价值的锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN103077835A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310013230.7
申请日：2013-01-15
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯负载花状二氧化锰复合材料及其超声合成方法。其典型的特征为花状MnO2与石墨烯片层的复合，而花状二氧化锰又是由许多薄片相互组装而成。石墨烯作为基体骨架其具有良好的导电性，花状二氧化锰可以通过石墨烯片层实现良好的导电性，从而提高了复合材料的表观电导率。生长在石墨烯两侧的花状二氧化锰直径为100~300nm，薄片的厚度为1~10nm。该材料制备经过两个典型步骤，一是制备热解石墨烯，二是超声合成石墨烯负载花状二氧化锰复合材料。本发明方法制备的石墨烯负载花状二氧化锰复合材料工艺简单，电极电容高、循环性能好，适用于超级电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN103066283A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310013238.3
申请日：2013-01-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/58
Abstract: 本发明涉及一种制备三维有序大孔结构磷酸锰锂材料的方法。首先，制备球径为160±10nm的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）胶体晶体模板。然后将含锂源化合物、锰源化合物、磷源化合物按摩尔比为1.0~1.1：1：1称取混合，加入1~30wt%的有机碳源，磁力搅拌得到前驱体溶液。将PMMA模板浸渍在上述前驱体混合溶液中，经抽滤及室温下充分干燥后，将所得固体物质置于管式炉中，升温速率：1℃/min，惰性气体保护高温煅烧，得到三维有序大孔结构磷酸锰锂材料。这种三维有序大孔结构显著提高了锂离子电池材料的比容量和充放电结构稳定性，同时原材料廉价易得，制备过程简单，操作条件易于控制，是一种廉价、简单的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102766847A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210248019.9
申请日：2012-07-18
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种操作与制备技术简单，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜的制备方法，属于半导体薄膜制备技术领域。本发明方法的主要内容是：利用真空热蒸发技术，将高纯Ge与Pd分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上，在室温下当真空度小于2.67×10-3Pa时，先蒸发半导体Ge，然后，蒸发金属Pd。衬底为单晶氯化钠（100）晶面。上己制备复合纳米薄膜置于真空炉中，真空度与上相似时，于200℃，300℃，350℃，400℃分别真空退火30分钟，可获分形维数依次为1.862，1.778，1.708，1.652的分形团簇此纳米薄膜。本发明通过控制真空热蒸发技术参数，得到不同形态的，具有分形团簇的Pd/Ge复合纳米薄膜。其操作简便、制备技术简单、重复性较好。本发明产品在半导体工业领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN101969113B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010291060.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯基二氧化锡复合锂离子电池负极材料的制备方法，属于材料科学和电化学技术领域。本发明方法制备石墨烯基二氧化锡的过程如下：1.将制得的氧化石墨纳米片分散于乙醇(C2H5OH)溶液中；2.向上述悬浮液中加入一定量的模板剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)，剧烈搅拌下加入一定量的结晶四氯化锡(SnCl4·5H2O)和氢氧化钠(NaOH)，继续搅拌30min；3.搅拌后悬浮液转入高压反应釜，于160℃烘箱中反应20h，反应后产物经乙醇和去离子水多次洗涤；4.将产物在60℃下真空干燥8h；最终得到石墨烯基二氧化锡复合材料。
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公开(公告)号：CN101823713B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010152336.1
申请日：2010-04-20
Applicant: 上海大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 本发明涉及一种低温制备介孔碳化硅材料的方法，属于无机化学和材料合成技术领域。本发明方法的步骤如下：将一定量的介孔二氧化硅SBA-15或KIT-6和蔗糖、H2SO4、去离子水混合，在500～750℃下使蔗糖碳化，制得介孔二氧化硅中填充有碳的的复合物，称为C/SBA-15或C/KIT-6；然后再用Mg粉与C/SBA-15或C/KIT-6的质量比为1∶2相混合，在500～700℃下和氮气保护下反应6小时；然后用HF水溶液及HNO3水溶液清洗，经过滤、烘干后即制得介孔SiC材料。
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公开(公告)号：CN101973576A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010527054.5
申请日：2010-11-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种简单的、量子点尺寸均匀的、重复性良好的、电子束辐照可修饰的纳米二氧化锡量子点的制备方法，属于纳米无机材料制备工艺技术及改性领域。本发明方法的主要是：采用简单易行的溶胶凝胶法制备二氧化锡纳米粉末，通过对反应溶液浓度、反应温度及pH值的控制，制备出了2~4纳米二氧化锡量子点。通过电子加速器辐照技术对其进行辐照修饰的改性研究，实现了该技术在二氧化锡材料领域的可适用性，并获得了最佳辐照剂量。通过电子束辐照前后样品的高分辨电子显微镜、X射线衍射、激光共聚焦拉曼光谱、紫外吸收光谱、综合热分析以及比表面积分析，这种二氧化锡量子点的物理化学性质得到较好的改善。
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