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公开(公告)号：CN106461742B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580032668.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01D5/16 , G01R33/09 , G01R33/091
Abstract: 本发明的磁传感器装置(100)包括：形成磁场的磁回路(30)、磁阻效应元件(4)以及散热构件(11)。磁阻效应元件(4)输出磁场的变化以作为电阻值的变化，配置于磁回路(30)的传送路径一侧的面(+Z侧的面)。散热构件(11)被配置成与磁回路(30)的传送路径的相反侧(－Z侧)紧密接触。
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公开(公告)号：CN106133543B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201580014295.0
申请日：2015-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 信息读取装置(9)在振幅最大值检测部(41)中检测由偏差校正系数计算用信号发生器(7)生成的偏差校正系数计算用信号的检测数据的1个周期内的振幅最大值，在行间加法部(43)中输出规定行数的振幅最大值的相加值，在峰值检测部(45)中使振幅最大值的相加值除以规定行数，输出振幅最大值的峰值，在基准值计算部(47)中根据侧振幅最大值的峰值计算基准值并进行输出，在除法器(48)中使用正数值侧和负数值侧的振幅最大值的峰值和基准值进行检测数据的偏差校正，输出校正偏差后的检测数据。
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公开(公告)号：CN109073715A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027143.3
申请日：2017-05-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在磁传感器装置中，利用磁化磁体(1)对传送面(P)上所传送的片状的被检测物(4)进行磁化，该磁化磁体形成磁通中心的磁力方向与传送面(P)相交的磁化磁场(11)，在传送面(P)上的磁化磁场(11)中，与传送面(P)平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上。磁传感器装置具有：偏置磁体(2)，其形成磁通中心的磁力方向与被磁化磁体(1)磁化且被传送的被检测物(4)的平面相交的偏置磁场(21)，且在被检测物(4)的平面上的偏置磁场(21)中使与被检测物(4)的平面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力；及磁阻效应元件芯片(9)，其与偏置磁体(2)的被检测物(4)的平面相对地配置。
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公开(公告)号：CN107873085A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201680007246.9
申请日：2016-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/038 , G01R33/09 , G07D7/04
Abstract: 本发明的磁传感器装置具有棒状的磁体(9)；软磁性载体(7a)，该软磁性载体(7a)沿着磁体(9)的长边方向与磁体(9)平行地配置，在与面向磁体(9)的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件(4)，且该软磁性载体(7a)在长边方向上沿着磁体(9)的全长而延伸；以及引导件(14)，该引导件(14)具有介于磁体(9)与软磁性载体(7a)之间的底部、以及随着在磁体(9)的面向软磁性载体(7a)的面上沿着长边方向相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件(14)的底部及侧壁部由与磁体(9)相接且在长边方向上延伸的非磁性体来形成。利用与软磁性载体(7a)之间的磁吸引力，使磁体(9)夹着引导件(14)被吸附并保持于软磁性载体(7a)。
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公开(公告)号：CN104969084B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103797710B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201280029737.5
申请日：2012-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/45 , G01D5/145 , G01R33/09 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45521 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45728
Abstract: 在开关（SW1）被设定为切断、开关（SW2）被设定为接通的情况下，SigOut端子（205）的电压稳定在基准电压，对电容器（C1）施加偏置电压。开关（SW2）从接通变为切断，由此，利用保持在电容器（C1）的偏置电压，从SigIn端子（201）输入的检测信号以基准电压为基准被放大，放大信号从SigOut端子（205）输出。
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公开(公告)号：CN103842838A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280023413.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/147 , G01N27/72 , G01R33/096 , G07D7/04
Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
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公开(公告)号：CN103797710A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280029737.5
申请日：2012-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F3/45 , G01D5/145 , G01R33/09 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/78 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45521 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45594 , H03F2203/45728
Abstract: 在开关（SW1）被设定为切断、开关（SW2）被设定为接通的情况下，SigOut端子（205）的电压稳定在基准电压，对电容器（C1）施加偏置电压。开关（SW2）从接通变为切断，由此，利用保持在电容器（C1）的偏置电压，从SigIn端子（201）输入的检测信号以基准电压为基准被放大，放大信号从SigOut端子（205）输出。
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公开(公告)号：CN305331363S
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201930064495.8
申请日：2019-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：静电电容传感器。
2．本外观设计产品的用途：本设计是在以纸币等纸张作为对象的检测装置中使用的静电电容传感器。
3．本外观设计的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图。
5．指定基本设计：设计1。
6．设计1左视图与设计1右视图对称，省略设计1左视图；设计2左视图与设计2右视图对称，省略设计2左视图。-
公开(公告)号：CN305331363S8
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201930064495.8
申请日：2019-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：静电电容传感器。
2．本外观设计产品的用途：本设计是在以纸币等纸张作为对象的检测装置中使用的静电电容传感器。
3．本外观设计的设计要点：在于产品的形状。
4．最能表明设计要点的图片或者照片：设计1立体图。
5．指定基本设计：设计1。
6．设计1左视图与设计1右视图对称，省略设计1左视图；设计2左视图与设计2右视图对称，省略设计2左视图。
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