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公开(公告)号:CN100449758C
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200510078351.5
申请日:2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/94 , H01L29/93 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种具有MOS变容二极管的半导体器件及其制造方法。MOS变容二极管包括金属栅极电极、置于金属栅极电极和半导体衬底之间的有源半导体板、和置于金属栅极电极和有源半导体板之间的电容器介电层。另外,下部绝缘层将MOS变容二极管与半导体衬底绝缘。根据本发明,金属栅极电极用于减少多晶硅耗尽,从而增大变容二极管的调谐范围,并制造可靠的金属电阻器而无需额外的光掩模。
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