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公开(公告)号：CN110828493B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910503830.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
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公开(公告)号：CN108010555B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710976440.4
申请日：2017-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储设备，包括：存储单元阵列，存储数据；以及控制逻辑。所述控制逻辑被配置为控制对数据的读取操作、编程操作或擦除操作。所述控制逻辑还被配置为基于提供给存储单元阵列的电压源中的一个和第一参考电压，检测第一电源噪声，并基于电压源中的所述一个电压源、以及第一参考电压和第二参考电压中的每个，检测第二电源噪声。所述控制逻辑被配置为基于是否检测到第一和第二电源噪声中的至少一个，确定是否执行读取操作的操作时段、编程操作的操作时段或擦除操作的操作时段中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116093123A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211378569.2
申请日：2022-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器。该图像传感器包括：衬底，其包括多个单位像素，每个单位像素包括光电转换元件；第一沟槽，其以格子形状形成在所述衬底中以隔离多个单位像素；多个第一电容器结构，其在第一沟槽中沿着第一沟槽的侧壁延伸，并且各自包括第一电极、第二电极以及第一电极与所述第二电极之间的第一电介质层；以及第一电容器隔离图案，其位于第一沟槽的格子点处，以隔离多个第一电容器结构。
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公开(公告)号：CN114823756A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210072528.4
申请日：2022-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离部分，其设置在衬底中，并且被配置为将单位像素彼此隔离。像素隔离部分包括：第一填充绝缘图案，其从第一表面朝着第二表面延伸，并且具有空气间隙区，第一填充绝缘图案包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；导电结构，其包括第一侧壁上的第一部分、第二侧壁上的第二部分和将第一部分和第二部分连接的连接部分；以及绝缘衬垫，其设置在第一部分与衬底之间，并且设置在第二部分与衬底之间。
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公开(公告)号：CN114203217A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110838978.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种通过使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备。所述存储设备利用特定时间差控制感测偶数页面缓冲器电路的位线的感测时间点以及感测奇数页面缓冲器电路的位线的感测时间点，并且以偶数感测和奇数感测的所述顺序执行奇偶感测(EOS)操作。所述存储设备执行两步EOS操作，并根据所述两步EOS操作的结果对选定存储单元执行主感测操作。
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公开(公告)号：CN106971754B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201610951508.9
申请日：2016-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
Abstract: 一种非易失性存储器设备可以包括存储单元阵列、地址译码器电路、页面缓冲器电路以及控制逻辑电路。擦除操作包括迭代地执行擦除循环，该擦除循环包括：擦除部分，在其中擦除电压被施加到所选择的存储器块的存储单元；以及擦除验证部分，在其中使用擦除验证电压来验证所选择的存储器块的存储单元。如果在擦除验证部分中所选择的存储器块的存储单元被确定为擦除通过，则控制逻辑电路可监视所选择的存储器块的存储单元。如果所监视的结果指示所选择的存储器块的存储单元处于异常状态，则控制逻辑电路向所选择的存储器块的存储单元施加额外的擦除电压。
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公开(公告)号：CN114067887A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110540240.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 提供了一种在编程期间执行双向沟道预充电的非易失性存储器件。非易失性存储器件的编程操作在对选定存储单元进行编程之前，对多个单元串的沟道同时执行在位线方向上的第一预充电和在源极线方向上的第二预充电，以初始化所述沟道。所述第一预充电操作通过第一串选择晶体管和第二串选择晶体管使用被施加到所述位线的第一预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电，而所述第二预充电操作通过第一接地选择晶体管和第二接地选择晶体管使用被施加到所述源极线的第二预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电。
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公开(公告)号：CN111129072A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911312886.2
申请日：2018-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
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公开(公告)号：CN110993628A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910521368.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。
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公开(公告)号：CN110880519A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910500928.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
