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公开(公告)号:CN105023897B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201410181115.5
申请日:2014-04-30
Applicant: 矽品精密工业股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/50 , B23K26/382 , B23K26/03
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
Abstract: 一种预制的封装结构、对其进行钻孔的方法及钻孔装置,该预制的封装结构包括:具有相对的作用面与非作用面及连接该作用面与非作用面的侧面的半导体芯片,该作用面上具有多个电极垫;具有相对的第一表面与第二表面的重布线层,其第一表面接置于该半导体芯片的该作用面上且电性连接该电极垫,且该重布线层的第一表面在该半导体芯片的周围具有外露的多个电性连接垫;以及形成在该重布线层的第一表面上以覆盖该电性连接垫及该半导体芯片的侧面的封装胶体,且其具有露出该非作用面的开口。本发明能避免导电盲孔与电性连接垫之间的电性连接失败。
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公开(公告)号:CN104681502B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201410613719.2
申请日:2014-11-04
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/10
CPC classification number: H01L25/115 , H01L23/053 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/40137 , H01L2224/40227 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01R24/58 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种大功率半导体装置,其具有基板和布置在基板上并与该基板相连的大功率半导体结构元件,其中,大功率半导体装置具有构成结构单元的负载连接装置和壳体,该壳体具有包括凹口的第一壳体件,其中,用于电接触大功率半导体装置的负载连接装置具有穿过凹口延伸的导电的第一负载连接元件,该第一负载连接元件具有布置在壳体外部的外部连接区段和布置在壳体内部的内部连接区段,其中,负载连接装置具有压力元件,外部连接区段穿过该压力元件延伸并且该压力元件与外部连接区段材料配合地连接,其中,大功率半导体装置具有压合接头,该压合接头相对于第一壳体件的外侧挤压压力元件并且使压力元件与第一壳体件的内侧相连。
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公开(公告)号:CN105118818B
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201510427669.3
申请日:2015-07-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L23/495 , H01L23/367 , H01L25/16
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48175 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/1306 , H01L2924/1426 , H01L2924/17738 , H01L2924/17747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种方形扁平无引脚封装结构的功率模块,用于抑制功率模块局部温度过高,包括:绝缘树脂、驱动芯片、功率芯片和金属电极触点,驱动芯片、功率芯片和金属电极触点按照既定设计电路并通过金属引线电连接,在绝缘树脂的底层设有用于功率芯片散热的金属散热盘和驱动芯片引线框架,在金属散热盘上设有功率芯片引线框架,所述功率芯片设在功率芯片引线框架上且功率芯片的漏与金属散热盘电连接,在驱动芯片引线框架上设有驱动芯片,所述金属散热盘在底层的驱动芯片引线框架及金属电极触点占据的以外区域延伸,在驱动芯片引线框架的下方设有金属支柱,金属散热盘还延伸进入驱动芯片引线框架下方的底层区域。
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公开(公告)号:CN104701193B
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201410726221.7
申请日:2014-12-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/50
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49844 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0231 , H01L2224/02371 , H01L2224/04042 , H01L2224/05024 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及具有片状重分布结构的电子组件。一种电子组件,包括包含至少部分地覆盖有导电材料的电绝缘内核结构的导电芯片载体、均具有附于芯片载体的第一主表面的至少一个电子芯片,以及附于至少一个电子芯片的第二主表面并且被配置用于电连接至少一个电子芯片的第二主表面与芯片载体的片状重分布结构。
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公开(公告)号:CN104340949B
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201410370739.1
申请日:2014-07-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor: F·G·齐格里欧里
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0154 , H01L23/3142 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H01L2924/00012
Abstract: 为了制造封装器件,将具有感测区域的裸片键合到支撑物,并在所述支撑物上模制可模制材料的封装块使得围绕所述裸片。在封装块的模制期间形成腔室,该腔室面对感测区域并连接到外部环境。为此,在感测区域上滴涂可以蒸发/升华的材料的牺牲块;在牺牲块上模制封装块;在封装块中形成通孔以延伸至牺牲块;牺牲块通过该孔蒸发/升华。
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公开(公告)号:CN108389840A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201810084515.2
申请日:2018-01-29
Applicant: 株式会社捷太格特
Inventor: 谷直树
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/36 , H01L23/488 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L29/4238 , H01L2224/13013 , H01L2224/131 , H01L2224/14051 , H01L2224/14151 , H01L2224/14156 , H01L2224/14517 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/29013 , H01L2224/291 , H01L2224/30051 , H01L2224/30151 , H01L2224/30156 , H01L2224/30517 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33051 , H01L2224/33181 , H01L2224/73253 , H01L2224/81801 , H01L2224/81825 , H01L2224/83801 , H01L2224/83825 , H01L2924/3511 , H02K9/22 , H02K11/33 , H05K1/0201 , H05K2201/10439 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L23/3677 , H01L23/3672
Abstract: 本发明涉及半导体装置。横向半导体芯片的电极面与基板通过多个第一接合部接合,上述多个第一接合部接合至少包括将形成在电极面的多个电极与基板接合而成的多个接合部。横向半导体芯片的非电极面与散热片通过将它们相互接合的第二接合部接合。在从法线方向观察基板的主面的俯视时,在将多个第一接合部的集合体的概略形状的轮廓内的区域设为第一接合区域,将第二接合部的轮廓内的区域设为第二接合区域的情况下,第一接合区域与第二接合区域的位置、形状以及大小一致。
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公开(公告)号:CN104685622B
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201380051572.6
申请日:2013-08-02
Applicant: 伊文萨思公司
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/486 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/0655 , H01L2224/02379 , H01L2224/04042 , H01L2224/16225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45664 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73257 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H05K1/0298 , H05K3/46 , Y10T29/49126 , Y10T29/49162 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 一种用于制作中介结构的方法,包括形成键合到第一元件的一个或者多个第一表面的多个接线键合。形成与接线键合的边界表面接触的电介质包封体,该包封体使得相邻的接线键合相互分离。进一步处理包括去除第一元件的至少部分,其中中介结构具有至少通过包封体而相互分离的相对的第一侧和第二侧,并且中介结构具有分别在相对的第一侧和第二侧的分别用于与第一部件和第二部件电连接的第一接触和第二接触,第一接触通过接线键合而与第二接触电连接。
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公开(公告)号:CN104518060B
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201410498370.2
申请日:2014-09-25
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 公开了一种能够提高发光效率的发光器件及包括发光器件的发光器件封装件和照明系统。发光器件包括衬底、以多个图案的形式设置在衬底上的第一缓冲层、在第一缓冲层的图案上的第一绝缘层、在第一绝缘层的图案上的第二缓冲层、在第二缓冲层的图案上的第二绝缘层、在第二缓冲层的图案和第二绝缘层的图案周围的第三缓冲层、以及在第三缓冲层上的发光结构。
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公开(公告)号:CN106199853B
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201510507311.1
申请日:2015-08-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/1426 , H01L2924/181 , H04B10/802 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
Abstract: 种光耦合装置,根据实施方式,该光耦合装置具备:发光元件;驱动电路,驱动发光元件;电源框,具有第1设置部和电源线部;接地框,具有第2设置部和接地线部;第1输入框,具有设在电源线部与接地线部之间的第1输入端子部、和相对于第1输入端子部设在第2设置部侧的第1输入信号线部;第2输入框,与第1输入框成对,具有设在第1输入端子部与接地线部之间的第2输入端子部、和相对于第2输入端子部设在第2设置部侧的第2输入信号线部;从第1输入信号线部到第1设置部的最短距离比第1输入信号线部与电源线部之间的距离长。
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公开(公告)号:CN108364918A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810144984.9
申请日:2014-03-10
Applicant: 埃德文蒂夫IP银行
Inventor: R.K.威廉斯
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/49805 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/05624 , H01L2224/16245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48108 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2224/73257 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 公开了一种半导体封装。在半导体封装中,具有与塑料体的平坦底表面共面的底表面的引线在塑料体的垂直侧面的底部向外延伸。产生了适用于称作“波峰焊”的技术的具有最小覆盖区域的封装,“波峰焊”用于相对廉价的印刷电路板组装工厂中。公开了制造该封装的方法。