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公开(公告)号：CN103295989A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310007943.2
申请日：2013-01-09
Applicant: 联发科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/0554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05599 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种倒装芯片封装。该倒装芯片封装包括载体及裸芯片。其中，该载体包括：至少一个通孔，用于将该载体的表面耦接至该载体中的导电线；至少一个捕获焊盘，电连接到该通孔，该捕获焊盘位于该通孔上。该裸芯片耦接至该载体，包括：至少一个形成在该裸芯片表面上的接合焊盘；以及至少一个铜列，形成在该接合焊盘上而用来将该裸芯片耦接至在该载体上的该捕获焊盘，其中该铜列仅位于该捕获焊盘相对于该通孔的开口的一侧上。本发明提出的倒装芯片封装，可以在裸芯片和载体之间具有良好的接合接触。
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公开(公告)号：CN102484949A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039982.5
申请日：2010-06-22
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H05K1/181 , H01L31/0203 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/16057 , H01L2224/16105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H05K3/3442 , H05K2201/09181 , H05K2201/10106 , H05K2201/1084 , Y02P70/613 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 说明一种电子组件，具有：基体（100）和电子器件（2），所述基体具有上侧（1A）以及与上侧相对的下侧（1B），其中基体（100）在其下侧（1B）处具有连接位置（A1、A2），所述电子器件在基体（100）处布置在基体（100）的上侧（1A）处，其中基体（100）具有至少一个侧面（3），该至少一个侧面具有带有第一区域（4A）和第二区域（4B）的至少一个检查位置（4），其中第二区域（4B）构造为第一区域（4A）中的凹处（5），第一区域（4A）和第二区域（4B）包含不同的材料。
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公开(公告)号：CN102456631A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010625229.6
申请日：2010-12-30
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/13006 , H01L2224/13008 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13016 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13193 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/14155 , H01L2224/14156 , H01L2224/16059 , H01L2224/1607 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于半导体封装的凸块、具有凸块的半导体封装及堆叠半导体封装。该凸块包括：第一凸块，形成在半导体芯片上并且具有至少两个焊盘部和连接该焊盘部且具有比焊盘部小的线宽的连接部；以及第二凸块，形成在第一凸块上并且以半球形状突出在该第一凸块的焊盘部上。
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公开(公告)号：CN101552257A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810214937.3
申请日：2008-08-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司
Inventor： 福田浩昌
IPC: H01L23/50 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/4952 , H01L23/50 , H01L24/06 , H01L24/17 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/06153 , H01L2224/13099 , H01L2224/1411 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/17106 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48235 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种能够切换操作模式的半导体器件，包括沿着衬底的周边放置的第一至第四内部端子、耦合到第一内部端子的电路、耦合到第二内部端子的第一外部端子、耦合到第三内部端子的第二外部端子及耦合到第四内部端子的第三外部端子。该电路输出指示第一内部端子与第一外部端子之间的连接状态的信号。在与其旁边放置有第一外部端子的衬底的一边平行的方向上，第一和第二内部端子的中心之间的距离是L1。在与其旁边放置有第二和第三外部端子的衬底的一边平行的方向上，第三和第四内部端子的中心之间的距离是L2。距离L1小于距离L2。用该结构，与所有内部端子以距离L1间隔开的情形相比，由内部端子的数目确定的衬底外围的长度缩小了L2－L1。结果，可缩小衬底的面积。
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公开(公告)号：CN1775656A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510062852.4
申请日：2005-03-31
Applicant: 朗迅科技公司
Inventor： 纳戈什·R.·巴萨万哈利 , 雷蒙德·A.·司瑞利 , 奥玛·D.·络皮兹
IPC: B82B1/00
CPC classification number: H01L24/12 , B81B7/0006 , B82Y10/00 , H01L24/16 , H01L24/90 , H01L2224/13078 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/16105 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81345 , H01L2224/81385 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及高密度纳米结构互连。具体地，公开了用于形成导电和/或导热互连的方法和设备，其中，使第一表面和第二表面通过设置在所述表面中的至少一个上的多个纳米结构相互接触。在一个实施例中，纳米结构的第一组区域被设置在电子封装的部件例如微处理器上。然后使所述第一组区域与衬底上的纳米结构的对应的第二组区域接触，从而产生强的摩擦接合。在另一个说明性的实施例中，在部件比如微处理器上设置多个纳米结构，然后使纳米结构与衬底接触。纳米结构的分子和衬底的分子之间的吸引力产生分子间作用力，从而在纳米结构和衬底之间形成接合。
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公开(公告)号：CN1702853A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073804.5
申请日：2005-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
Inventor： 落合公
IPC: H01L23/055 , H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/301
CPC classification number: H05K3/3442 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L2221/6834 , H01L2224/02371 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/2919 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/83851 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/10156 , H05K2201/0367 , H05K2201/09154 , H05K2201/2036 , Y02P70/613 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/013
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，可不使工序复杂，提高安装时的强度及精度。在半导体衬底(10)的背面沿切割线(DL)形成槽(14)。进而形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(16)。在通孔(16)内形成埋入电极(18)，和其连接，形成沿切割线(DL)附近延伸的配线层(19)。在配线层(19)的端部形成导电端子(21)。然后，通过进行沿切割线(DL)的切割，完成在背面端部具有倾斜面1s的半导体装置(1)。在半导体装置(1)通过回流处理与电路衬底(30)连接时，流动性增强的导电膏覆盖导电端子(21)及倾斜面(1s)。在此，在半导体装置(1)外缘的电路衬底(30)上形成含有侧嵌条的导电膏(40a、40b)。
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公开(公告)号：CN1229854C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03153919.X
申请日：2003-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L23/562 , G02F1/13452 , H01L23/498 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/83 , H01L2224/05556 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/29111 , H01L2224/2929 , H01L2224/29355 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81903 , H01L2224/8319 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1579 , H05K3/325 , H05K2201/09427 , H05K2201/10674 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了一种即使配线端子和电极的数目的增加以及间隔的窄小化不断进步，也可以提高导电接合部的可靠性的新的半导体器件的安装方法、半导体器件的安装结构、电光装置以及电子设备。在配线基板上形成配线端子，在半导体器件上形成电极。在此，配线端子的宽度，被形成得比电极的宽度还小。在把半导体器件安装在配线基板上时，通过给予的压力变为配线端子陷入电极的状态。配线端子的陷入量，优选地在约1μm～5μm范围内。
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公开(公告)号：CN1399248A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02121895.1
申请日：2002-06-07
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Inventor： 中川正义
CPC classification number: G11B5/4826 , G11B5/105 , G11B5/54 , H01L2224/1302 , H01L2224/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/16227 , H01L2224/45144 , Y10T29/49025 , Y10T29/49027 , Y10T29/4903 , Y10T29/49169 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种磁头、磁头的制造方法及滑动头的剥离方法，把不同熔点的一方的接合部件(4)与滑动头(2)的接合点(2a)接合，用另一方的接合部件(6)接合一方的接合部件(4)与悬臂的接合点(1a)，通过加热熔化另一方的接合部件(6)，从悬臂(1)上剥离下与一方的接合部件(4)保持接合状态的滑动头(2)。
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公开(公告)号：CN106847784B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710061288.7
申请日：2012-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/683 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05554 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/14153 , H01L2224/14155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81385 , H01L2224/814 , H01L2224/81444 , H01L2224/83102 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件可靠性的技术。在倒装芯片的连接工序中，通过对预先装载在突起电极(4)的顶端面的焊锡以及预先涂布在引脚(焊接引线)(11)上的焊锡进行加热，以使其一体化并电连接。其中，所述引脚(11)包括具有第一宽度(W1)的宽截面(第一部分)(11w)和具有第二宽度(W2)的窄截面(第二部分)(11n)。通过对焊锡进行加热，可使配置在窄截面(11n)上的焊锡的厚度比配置在宽截面(11w)上的焊锡的厚度薄。接着，在倒装芯片的连接工序中，将突起电极(4)配置并接合在窄截面(11n)上。由此，可减少焊锡的渗出量。
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公开(公告)号：CN105226035B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510535157.9
申请日：2011-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/525 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L29/06
CPC classification number: H01L24/05 , G06K9/0004 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/525 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/06165 , H01L2224/06167 , H01L2224/0801 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24226 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/3701 , H05K1/181 , H05K2201/09418 , H05K2201/09445 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，该晶片封装体包括：一下基底；一上基底，具有一上表面及一下表面，且设置于下基底上方；一凹口，邻近于上基底的一侧壁，其中凹口沿着自上基底的上表面朝下表面的一方向而形成；一元件区或感测区，位于上基底的上表面；一导电垫，位于上基底的上表面；以及一导电层电性连接导电垫，且沿着上基底的侧壁延伸至凹口。本发明可大幅缩减晶片封装制程所需的图案化制程，且可显著缩减制程时间与成本。
