多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器

    公开(公告)号:CN102707310A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210207766.8

    申请日:2012-06-21

    Abstract: 一种多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器,其包括多层闪烁晶体、光电探测器系统以及算法系统,多层闪烁晶体包括n层阵列闪烁晶体和m层连续闪烁晶体,n与m均为大于等于1的整数,且n与m的和小于等于10,阵列闪烁晶体由长条型闪烁晶体条沿其宽度和长度方向排列构成,连续闪烁晶体为内部未经过切割的闪烁晶体,阵列闪烁晶体与连续闪烁晶体沿长条型闪烁晶体条的高度方向按顺序耦合构成多层闪烁晶体,连续闪烁晶体的底面与光电探测器系统相耦合。本发明的正电子发射断层成像探测器能够更准确的获得γ光子在闪烁晶体中能量沉积的位置与时间,具有更高的γ光子探测效率,且应用到正电子发射断层成像系统中时,可以提高系统的空间分辨率、时间分辨率、灵敏度,进而可以提高系统的成像质量。

    辐射检测器装置
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101999085A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200980112593.8

    申请日:2009-04-15

    CPC classification number: G01T1/20

    Abstract: 在此披露了一种辐射检测器装置并且它包括一个光传感器以及一个被连接到该光传感器上的闪烁装置。该闪烁装置包括被封闭在一个壳体内的一个闪烁体晶体。该闪烁体晶体被光学地连接至该壳体的一个末端处的一个窗口上。该闪烁装置包括在该壳体的至少部分内的一种介电气体。这种介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电。

    通过施加次级辐射来减少闪烁体中的陷阱效应

    公开(公告)号:CN101652676A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200880011346.4

    申请日:2008-04-08

    CPC classification number: G01T1/2018 G01T1/20

    Abstract: 根据本发明的一个实施例,用于探测初级辐射(6)的辐射探测器设备(10)包括:闪烁体(12),其响应于入射的初级辐射(6)产生经转换的初级辐射;以及光电探测器(14),其用于探测所述经转换的初级辐射。所述辐射探测器设备(10)还包括次级辐射源(20),其用于以次级辐射(22)照射所述闪烁体(12),所述次级辐射(22)具有的波长不同于所述第一辐射(6)的波长并能够为初级辐射产生闪烁体(12)的空间上更均匀的响应。本发明的一个实施例中,辐射探测器设备(10)是X射线成像设备的X射线探测器,其中初级辐射是X射线辐射,并且次级辐射具有350nm和450nm之间的波长。根据一个实施例,具有次级辐射(例如,UV辐射)的照射产生X射线探测器(10)的均匀增益分布。

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