位置检测装置
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112068048B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202010517993.5

    申请日:2020-06-09

    Inventor: 蔡永福 平林启

    Abstract: 位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁、和磁传感器。磁传感器对检测对象磁场进行检测,从而生成与磁铁的位置对应的检测值。磁传感器包含MR元件和基板。基板包含主面。MR元件接受的检测对象磁场具有在第一平面内变化的第一方向。MR元件含有具有方向可在与主面平行的第二平面内变化的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成90°之外的二面角而交叉。检测值依存于第一磁化的方向。

    磁传感器装置
    42.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111220935B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201911165205.4

    申请日:2019-11-25

    Inventor: 蔡永福

    Abstract: 本发明提供一种磁传感器装置,其能够通过磁铁向至少一个轴(X轴)、优选为两个轴(X轴和Y轴)的相对的移动高精度地进行位置检测,该磁传感器装置具备:多极磁铁,具有第1面和与该第1面相对的第2面,以将第1面放射状地分割成n个(n≥4)区域的方式由极性不同的磁极交替地排列而构成;以及磁检测部,以与多极磁铁的第1面相对的方式设置而构成,多极磁铁被设置为至少能够在与第1面和第2面实质上平行的平面内的第1方向上相对地移动,磁检测部输出对应于伴随着多极磁铁的相对的移动的磁场的变化的信号,在正交于第1面的方向上,多极磁铁和磁检测部的各自的几何学的中心实质上一致。

    位置检测装置
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112050722B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202010504561.0

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁和磁传感器。磁传感器检测检测对象磁场,并且生成对应于磁铁的位置的检测值。检测对象磁场在第一平面内的基准位置上具有在第一平面内变化的第一方向。磁传感器包含4个MR元件。各MR元件包含具有能够在对应于其的第二平面内变化的方向的第一磁化的第一磁性层。第一平面和第二平面形成为90°以外的二面角而交叉。检测值依赖于第一磁化的方向。

    位置检测装置、摄像头模块及旋转致动器

    公开(公告)号:CN113258742A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110187410.1

    申请日:2021-02-18

    Inventor: 蔡永福

    Abstract: 本发明的位置检测装置具备磁场产生器和磁传感器。磁场产生器构成为:对象磁场的方向的变化相对于透镜的位置的变化的方式为相对于透镜的位置的变化非线性地变化。磁传感器构成为:检测信号的变化相对于对象磁场的方向的变化的方式为相对于对象磁场的方向的变化非线性地变化。

    磁传感器及位置检测装置
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111198341A

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201911118959.4

    申请日:2019-11-15

    Inventor: 蔡永福

    Abstract: 本发明提供一种磁传感器和位置检测装置,能够降低由干扰磁场引起的噪声,并根据被检测磁场的变化输出高精度的信号。该磁传感器具有磁检测元件;具有第一面以及与其相对的第二面的第一磁性体;以及位于第一磁性体的第一面上的短边方向的大致中央的第二磁性体,磁检测元件以将第一磁性体夹在中间而与第二磁性体相对的方式设置,并位于第一磁性体的短边方向的大致中央,磁检测元件的磁敏方向与第一磁性体和第二磁性体的短边方向大致平行,第一磁性体的宽度(W1)大于第二磁性体的宽度(W2)。

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