一种超薄氮化硼纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN117735495A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311390084.X

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明涉及无机纳米粒子制备技术领域,公开了一种超薄氮化硼纳米片的制备方法。该方法通过对特定的六方氮化硼粉末依次进行尖端型超声处理以及三次离心处理,能够较高产量地制备得到不同尺寸的高品质超薄氮化硼纳米片。具体地,通过采用特定的六方氮化硼粉末和溶剂,有效提高了超薄氮化硼纳米片的产量;通过三次特定转速的离心处理,能够在一次制备过程中制备得到不同尺寸规格的超薄氮化硼纳米片,且每种尺寸规格的超薄氮化硼纳米片的片层粒径分布均匀。

    多组虚拟电厂综合优化调度方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119382110A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411519603.2

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明涉及电子技术领域,公开了多组虚拟电厂综合优化调度方法、装置、设备及存储介质,方法通过各组虚拟电厂与电网交互的电量和电价、风电站售出总电量以及光伏电站售出总电量信息对优化调度模型求解进行求解,得到各组虚拟电厂的优化调度信息,基于优化调度信息对多个虚拟电站进行综合优化调度。本发明提供的方法,将多组虚拟电厂视为一个整体进行优化调度,通过对预先构建的优化调度模型求解,得到优化调度策略,基于优化调度策略对多个虚拟电厂进行优化调度,在调度过程中考虑了虚拟电厂与电网系统、负荷之间的相互影响,提高了整个系统的运行效率和经济效益,还通过优化储能系统的充放电策略和可再生能源的利用,提高了能源利用效率。

    一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117650013B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202311398415.4

    申请日:2023-10-24

    Abstract: 本发明属于电路元件制备技术领域,具体涉及一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用。该薄膜电容器包括聚合物电介质和掺杂在聚合物电介质中的纳米片;所述纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向。本发明提供的薄膜电容器具有十分优异的击穿强度。本发明提供的掺杂有纳米片的聚合物薄膜电容器,纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向,垂直于施加外电场的方向,可以有效阻碍沿外电场方向的导电通道,从而提高薄膜电容器击穿强度。

Patent Agency Ranking