-
公开(公告)号：CN109191448B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201811020855.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了基于三维坐标绘制和数字图像处理的变压器故障识别技术，主要步骤为：1)对待检测变压器进行定期检修，并建立变压器绕组的频率响应特性数据库。2)将频率响应数据库绘制在三维直角坐标系中，得到数字图像。3)对数字图像进行预处理。4)对预处理后的数字图像进行图像分割，再提取图像特征量。5)对数字图像特征进行计算，从而得到数字图像指纹参数。6)根据数字图像指纹参数，对变压器绕组状态进行评估。本发明能够有效避免评估分析过程中出现的专家分析结论不一致的情况出现，并且提出的图像指标参量能够结合阈值有效地分析出变压器绕组的状态，并且能够评估、识别出故障状态下的故障类型、程度和位置。
-
公开(公告)号：CN113364443A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110260856.2
申请日：2021-03-10
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置，电路结构如下：上臂电感Ldr_h连接上桥臂漏极寄生电感LHd.int；所述上桥臂漏极寄生电感LHd.int串联开关管Q1的漏极；所述开关管Q1的栅极悬空；所述开关管Q1的源极串联上桥臂源极寄生电感LHs.int的一端；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联栅极电感Lg；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联下桥臂漏极寄生电感LLd.int后连接开关管Q2的漏极；所述开关管Q2的栅极悬空；所述开关管Q2的源极串联下桥臂源极寄生电感LLs.int；下桥臂源极寄生电感LLs.int连接下臂电感Ldr_s。本发明适用于使用SiC MOSFET作为主开关的脉冲功率系统。
-
公开(公告)号：CN111464067B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010187127.4
申请日：2020-03-17
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开高频极短电子枪栅极调控脉冲电源系统，主要包括用于产生倍压脉冲的高频极短电子枪栅极调控脉冲电源系统、用于直接产生高频极短脉冲的高频极短电子枪栅极调控脉冲电源系统、用于产生频率倍增、相位可调的高频极短电子枪栅极调控脉冲电源系统和用于直接产生极性、相位可调的高频极短电子枪栅极调控脉冲电源系统四种方案，分别实现倍压脉冲、高频极短脉冲、频率倍增且相位可调脉冲、极性相位可调脉冲的输出。
-
公开(公告)号：CN111157924A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911160616.4
申请日：2019-11-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了三相变压器铁心剩磁链测量与消除系统及方法；系统主要包括3个电压传感器、电流传感器、可编程极性反转脉冲源、控制器和信号调理电路；方法主要步骤为：1)控制器设置可编程极性反转脉冲源向三相变压器输出正向电压。2)控制器计算三相变压器铁心整体磁滞回线所处的磁链位置 当 或 时，控制器产生极性反转信号；3)重复步骤2，直至铁心的整体剩磁为零；4)控制器计算三相变压器A相铁心初始剩磁链 B相铁心初始剩磁链 和C相的铁心初始剩磁链 本发明能够精确测试和消除三相变压器各个铁心、铁轭中初始的剩磁链量。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110755148A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910890502.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 重庆大学
IPC: A61B18/12
Abstract: 本发明公开脉冲电场肿瘤消融参数优化系统，主要包括图像处理模块、物理参数测量模块、脉冲电极参数设置模块、脉冲序列形成模块、若干脉冲电极和数据库；图像处理模型获取用户生物组织图像；图像处理模型对用户生物组织图像进行优化处理，得到生物组织三维结构。脉冲电极参数选择模型对接收到的物理参数进行处理，计算得到脉冲电压、脉冲数目、脉冲电极位置参数和脉冲电极插入用户生物组织的深度，并发送至脉冲序列形成模块；所述脉冲电极对用户生物组织进行脉冲刺激。本系统可以通过设置最优的电极布置和脉冲参数，实现肿瘤组织完全消融、正常组织伤害最小和热损伤最小。
-
公开(公告)号：CN118980866A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411079345.0
申请日：2024-08-07
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明公开一种用于近场测量Ez与Ex的低频复合电场探头包括用于探测法向电场Ez的法向电场探头Ez‑probe，以及用于探测切向电场Ex的切向电场探头Ex‑probe；所述法向电场探头Ez‑probe包括传感部分SEz、传输线ZEz和SMA接头；所述传感部分SEz包括Top‑layer、Mid‑layer1和Mid‑layer2；所述切向电场探头Ex‑probe包括传感部分SEx、传输线ZEx、差分放大电路和SMA接头；所述传感部分SEx包括Mid‑layer3、Mid‑layer4和Bottom‑layer；本发明可以实现使用频谱分析仪或带有FFT功能的示波器等简易测量设备而非矢量网络分析仪同时对法向与切向两个方向电场的测量，降低测量成本，减少测量时间。
-
公开(公告)号：CN114389582B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202210068105.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 重庆大学
IPC: H03K3/57
Abstract: 本申请实施例提供了一种脉冲源脉冲发生电路及控制方法、装置、设备、存储介质。该脉冲源脉冲发生电路，包括：脉冲电源模块；感性控制电路，包括控制输入端、以及两种互补的控制输出端；其中，控制输入端与脉冲电源模块连接；一种控制输出端在充电模式下被配置用于接地，另一种控制输出端在放电模式下被配置用于与负载连接。本申请实施例采用脉冲电源模块通过输出脉冲电压源给感性控制电路充电，有利于缩短充电时间，进而降低电脉冲发生装置内部电能损耗，利于实现节能降耗；采用感性控制电路通过电感储能技术可以获得更高的储能密度，并且输出的电流脉冲的幅值不会随负载特性的改变而改变。
-
公开(公告)号：CN114465516B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111579170.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开抑制脉冲电场食品处理中发生电极腐蚀的系统及使用方法，系统包括高压直流电源V、控制芯片、空芯大电感L、光电转换电路、n级模块化Marx发生器、可调电阻RQ、食品处理室和平行电极对；方法步骤为：1)储能电容集C向平行电极对放电，从而在平行电极对之间的空间中形成脉冲电场，令脉冲电场内的电荷正方向移动，从而对脉冲电场内的液体食品进行脉冲刺激。2)充电电流Idc按平行电极对等效电阻值RL和可调电阻RQ阻值之间的比例分别流入平行电极对和可调电阻RQ，令脉冲电场内的电荷反方向移动。本发明通过防止处理室电极上发生电荷累积，来增大脉冲处理最大允许脉宽，从而实现处理室在长时间处理后仍不会发生腐蚀或者腐蚀程度极低。
-
公开(公告)号：CN117865220A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410066083.8
申请日：2024-01-17
Applicant: 重庆大学
IPC: C01G37/14
Abstract: 本发明公开了一种高温分离回收铬渣制备铬酸钠的方法，属于铬酸钠分离制备技术领域，过程包括：在铬渣中加入同铬摩尔比相近的碳酸钠并搅拌均匀，然后，通入空气焙烧到1200℃‑1400℃并保温直到重量不再减少，当温度达到1200℃时，收集挥发出的冷凝物，即铬酸钠。由于铬酸钠的挥发温度范围较宽，且铬铁渣钠化焙烧高温挥发温度段1200℃‑1400℃逸出相只有铬酸钠，容易调整工艺加热参数和实现工业控制。因此，基于铬酸钠挥发的现象提出的高温分离铬制备铬酸钠的方法结合了以往工艺的优点，具有工艺简单、环保、经济效益显著的优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
116
records
(took 0.025 seconds)
