公开(公告)号：CN118084477A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410061472.1

申请日：2024-01-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  杨瑞 ,  阮丽梅 ,  李馥余 ,  刘新研 ,  苏桦

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  G01R1/067

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用。本发明以具有负热膨胀系数、低介电常数的CZP陶瓷材料为基础，通过掺杂MgF2来改善CZP陶瓷的烧结性能，通过不同的掺杂量，在1000℃～1100℃较低温度下烧结致密化，使得改性后的CZP陶瓷材料的热膨胀系数CTE在2.9×10‑6/℃～5.87×10‑6/℃、介电常数为5.63～9.19、杨氏模量为40GPa～147Gpa。本发明提供了一种低介电常数、近硅的低热膨胀系数、较高机械强度、致密度良好的CZP复合陶瓷材料，可应用于基于多层陶瓷共烧技术制作晶圆探针卡陶瓷转接基板材料使用。

公开(公告)号：CN111514909B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202010305220.0

申请日：2020-04-17

Applicant: 电子科技大学 ,  江西国创产业园发展有限公司

Inventor： 简贤 ,  付健桉 ,  张兴中 ,  苏桦 ,  李元勋

IPC: B01J27/057 ,  C01B19/04 ,  B01J37/08 ,  C25B1/04 ,  C25B11/075

Abstract: 一种具有不同缺陷程度的二维材料VSe2的制备方法，属于新材料、电催化制氢清洁能源技术领域。首先，称取钒粉和硒粉作为原料，混合研磨后，转移至石英管中，钒粉和硒粉的摩尔比为1：(1.6～2.0)；然后将石英管抽真空并封管；最后，将密封好的真空石英管竖直放入立式炉中，在空气氛围下升温至700～900℃，在700～900℃下保温24～72h。本发明将原料钒粉和硒粉的摩尔比设置为1：(1.6～2.0)，通过在上述范围内调控钒粉和硒粉的摩尔比，得到具有不同缺陷程度的VSe2二维材料。该VSe2二维材料应用于电催化剂时，其缺陷能暴露更多的活性位点，使得其在催化析氢过程中的催化活性大大提高。

公开(公告)号：CN110233029B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910525759.4

申请日：2019-06-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  王鹏 ,  唐晓莉 ,  李元勋 ,  荆玉兰

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/29 ,  H01F41/04 ,  H01F41/10

Abstract: 本发明涉及电子元件制造领域，具体涉及一种大感量叠层片式电感器及其设计方法。本发明通过对整个器件的电极线圈设计构成一个完整的电感线圈，使得引出端与引入端均存在于同一介质层中。一方面，便于一些表贴器件或模组的连接；另一方面，该电极线圈的设计充分的利用了每层介质层单元的面积，综合工艺上的易操作性，将每个介质层的绕线圈数达到最大，在相同电感层数的条件下，远大于传统7/8，3/4，1/2面内电极绕制电感器的感量。

公开(公告)号：CN113292338A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110622929.8

申请日：2021-06-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  杨昕 ,  彭睿 ,  陆永成 ,  苏桦

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。

公开(公告)号：CN106747412B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201611149340.6

申请日：2016-12-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  王海宇 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/462 ,  C04B35/634 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C03C3/066

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种Ti基LTCC微波介电陶瓷材料及其制备方法。本发明首先将(Mg0.95Co0.05)2TiO4与Li2TiO3进行复合，然后再借助LMZBS玻璃掺杂助熔来实现整个材料体系的900～950℃低温烧结。最终实现在900℃低温烧结下最佳性能可达到介电常数：εr＝16.6,Q×f＝125800GHz，τf＝1.4ppm/℃。本发明兼具超低损耗、近零谐振频率温度系数以及低温烧结的高性能，其介电常数εr为16.6～17.1，Q×f值为88400～125800GHz，谐振频率温度系数τf为1.3～5.1ppm/℃。可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中。

公开(公告)号：CN105810708B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201610142101.1

申请日：2016-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  沈洁 ,  张硕 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  刘保元

IPC: H01L27/20 ,  H01L27/22 ,  H01L41/187 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子，厚度为0.25mm～1mm；下电极厚度10nm～500微米，上电极厚度10‑500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4，采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成，且其电阻率≥106Ω.cm，厚度为1～10μm。使用时，将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上，PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好，使用方便；节约能源；中心频率连续可调。

公开(公告)号：CN107382299A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710669053.6

申请日：2017-08-08

Applicant: 电子科技大学 ,  赣州瓷创科技发展有限公司

Inventor： 李元勋 ,  李亚菲 ,  苏桦 ,  郑阳 ,  管军 ,  张怀武 ,  韩莉坤

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/20 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/445

Abstract: 本发明公开了一种低介微波介质陶瓷的低温制备方法，属于微波介质陶瓷技术领域。本发明按照化学通式Li2(Mg1-xZnx)SiO4进行配料、球磨、烘干和预烧形成晶相，然后在预烧粉体中加入复合助烧剂进行二次球磨、烘干和低温烧结最终得到微波介质陶瓷材料。本发明通过Zn2+替代Mg2+能够初步降低微波介质陶瓷的致密化温度以及提高其介电性能；复合助烧剂在后续烧结过程中形成液相，使得烧结温度进一步降低至900℃，并且提高了微波介质陶瓷材料的致密性。本发明提供方法制备有利于具有较低的介电常数和较高的品质因数的Li2MgSiO4基微波介质陶瓷在LTCC的应用，满足了微波通信行业的需求。

公开(公告)号：CN104201480B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410338832.4

申请日：2014-07-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张怀武 ,  郝欣欣 ,  王明 ,  张东明 ,  苏桦 ,  杨青慧

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/36 ,  H01Q13/10

Abstract: 本发明提供一种新型LTCC叠层圆极化微带天线，克服现有微带贴片天线在难以兼顾高增益、宽频带、圆极化以及小型化多方面性能的缺陷。该新型微带天线基于LTCC技术，增加了耦合贴片的数量，优化了现有的一个激励贴片对应一个耦合贴片的传统模式，有效提高微带天线增益，天线单元增益较传统天线单元增益提高了50％以上，中心频率处辐射效率在90％以上，在很宽的频带内具有高增益、高辐射效率，并且天线具有较好的圆极化特性，能够更好地兼顾微带贴片天线高增益、宽频带以及圆极化的性能要求。在要求一定的增益时，利用该天线单元组阵相比传统天线单元有效的减小了天线阵列的面积，实现高增益天线的小型化设计。

公开(公告)号：CN106252813A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610770300.7

申请日：2016-08-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟智勇 ,  张怀武 ,  金立川 ,  文天龙 ,  廖宇龙 ,  唐晓莉 ,  苏桦

IPC: H01P3/12

Abstract: 一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换-弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。

公开(公告)号：CN105845822A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610173054.7

申请日：2016-03-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  杨鸿洁 ,  苏桦 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法，属于磁性材料与元器件技术领域。采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜，第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004?0.08Pa，溅射功率为30?50W，第三铁磁层的厚度为8?12nm，第二反铁磁层的厚度为10?18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层，在不减薄铁磁层厚度的条件下，使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场，进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整。