一种基于透明薄膜RFID芯片的商品防伪追溯系统

    公开(公告)号:CN109993243A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201910164029.6

    申请日:2019-03-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于透明薄膜RFID芯片的商品防伪追溯系统。RFID芯片包括透明薄膜基底和位于透明薄膜基底上的芯片版图,芯片版图包括整流电路、调制电路、数字逻辑电路、天线和调谐电路,芯片版图的电路中的全透明薄膜晶体管均采用ZnO‑TFT器件,将RFID芯片制成标签后跨接商品封口两端,便于打开商品包装的同时破坏标签,RFID芯片提前写入的识别码可由专用阅读器或有NFC功能的手机读出,并通过网络数据库进行商品的封装、贮藏、出库、销售等信息的记录和查询。本发明应用稳定的透明RFID芯片,技术壁垒高、仿造困难;透明薄膜基底易毁不可修复且不影响商品外观,专用阅读器采用加密协议和算法,是一套完整、难复制、不可重复利用的防伪系统,可应用于各类商品的防伪。

    基于物联网的指纹门禁系统

    公开(公告)号:CN106157397A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610427250.2

    申请日:2016-06-15

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: G07C9/00563 G07C9/00571

    Abstract: 本发明公开了一种基于物联网的指纹门禁系统,主要包括电控门锁、STC90C51单片机、GSM模块和指纹识别模块,指纹识别模块用于读取和验证用户指纹并将验证结果发送至单片机,GSM模块由单片机控制接收用户短信或向用户发送短信,单片机控制电控锁的开启及闭合,该系统还包括UART串口切换电路,在单片机的控制下实现在单片机串口与GSM模块连接或者与指纹识别模块连接两种连接状态间切换,分别使得GSM模块工作或指纹识别模块工作。该系统极大地避免了机械锁开锁机制的缺陷,且可实现与用户间信息交互,向用户反馈状态或接受用户指令操作门锁。

    透明面板指纹识别装置及指纹识别器

    公开(公告)号:CN207133838U

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201721039696.4

    申请日:2017-08-18

    Abstract: 本实用新型提供了一种透明面板指纹识别装置及指纹识别器。其中,透明面板指纹识别装置包括开关模块、电容电极和反相器。开关模块分别与第一扫描线、电容电极连接;电容电极与反相器连接,电容电极用于在指纹接触处形成感应电容;反相器与第二扫描线连接,输入端与电容电极连接,输出端与第一输出线连接,反相器用于对输入端输入的电平进行反向跳变操作后输出。此外,本装置还包括信号放大模块和时间数字转换模块。本实用新型通过电容电极和反相器,通过电容放电及反向跳变操作产生脉冲信号时间间隔,可有效消除外界噪声对指纹信号的垂直扰动,从而提高指纹采集的准确性和抗干扰性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种植入式脊髓硬膜电极
    45.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221867114U

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202323558541.X

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种植入式脊髓硬膜电极。电极的可降解衬底和不可降解柔性衬底的一端相互连接,可降解电极分布在可降解衬底的另一端侧面,可降解导线分布在可降解衬底上且连接可降解电极,不可降解导线分布在不可降解柔性衬底上且连接可降解导线,接口分布在不可降解柔性衬底的另一端侧面且连接不可降解导线,可降解绝缘层和不可降解绝缘层分别覆盖在可降解导线和不可降解导线上且相互连接。本实用新型采用电极阵列的设计,具有触点多,精度高的优势,电极结构采用空心结构,以确保电极能够与脊髓充分贴合。电极端采用可降解材料,以规避二次手术取出可能带来的潜在风险,电气连接段选用不可降解材料,以确保信号传输的稳定性和可靠性。

    一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器

    公开(公告)号:CN207993903U

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201820194429.2

    申请日:2018-02-05

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器,自上而下依次为衬底、底电极、阻变层、顶电极,其特征在于,所述阻变存储器还包括导电氧化物薄膜,设置于底电极与阻变层之间、顶电极与阻变层之间、或同时设置于底电极与阻变层之间和顶电极与阻变层之间,通过改变导电氧化物薄膜的厚度和氧空位的含量实现对阻变存储器的激活电压和阻止比的调控。该阻变存储器提高了阻变存储器的稳定性,且可以调控阻变存储器的阻变性能。

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