公开(公告)号：CN111587390A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201980007802.6

申请日：2019-06-21

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李文赞 ,  朴正岵 ,  李镇洙 ,  辛富建

IPC: G02B5/30

Abstract: 根据本发明的示例性实施方案的得到用于适当切割偏光板的条件的方法可以包括：(a)准备偏光板，所述偏光板包括粘合剂层并且具有通过基于任何切割条件切割而形成的切割表面；(b)设置偏光板使得偏光板的一端邻接导向单元；(c)使偏光板在导向单元上移动；(d)在移动偏光板的同时测量施加在偏光板与导向单元之间的摩擦力；以及(e)基于摩擦力的测量值和预先设定成关于摩擦力数据的信息的粘合剂泄漏测定标准来得到用于适当切割偏光板的条件。

公开(公告)号：CN111065942A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880054388.X

申请日：2018-10-23

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹晶焕 ,  辛富建 ,  朴正岵 ,  许殷奎 ,  秋素英

IPC: G02B5/18 ,  F21V8/00

Abstract: 本发明的示例性实施方案提供了衍射导光板，包括：第一衍射基底；和设置在第一衍射基底上的第二衍射基底，其中第一衍射基底包括在一个表面上的第一衍射光栅层和在另一表面上的第二衍射光栅层，第二衍射基底包括在一个表面上的第三衍射光栅层和在另一表面上的应力补偿层，第一衍射光栅层分离波长为550nm或更大且700nm或更小的光，第二衍射光栅层分离波长为400nm或更大且550nm或更小的光，第三衍射光栅层分离波长为450nm或更大且650nm或更小的光，以及应力补偿层在与第三衍射光栅层的应力方向相同的方向上具有应力。

公开(公告)号：CN111052319A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880054020.3

申请日：2018-10-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 许殷奎 ,  金忠完 ,  章盛晧 ,  辛富建 ,  朴正岵 ,  尹晶焕 ,  秋素英

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括：将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤；将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤，所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模，所述金属掩模中具有开口；以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中，法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。