发光二极管及其制造方法
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1054470C

    公开(公告)日:2000-07-12

    申请号:CN94107697.0

    申请日:1994-06-30

    CPC classification number: H01L33/22 H01L33/10

    Abstract: 一种发光二极管,具有限定为发光部分的双异质结构的外延层,该层通过一台面部分与基片相连,在基片与相邻的一外延层之间设置台面部分而形成一空腔层,空腔层中可灌入树脂。还提供了一种制造发光二极管的方法,包括以下步骤:生长出具有高混合晶体比例的AlGaAs层作为牺牲层;在牺牲层上生长出以台面部分相连的外延层;溶解除去牺牲层以形成空腔层,于是光在一覆盖层与空腔层或灌有树脂的空腔层间的界面上反射,从而提高了光输出。

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