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公开(公告)号:CN202940722U
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201220650690.1
申请日:2012-11-30
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 南京南瑞继保工程技术有限公司
IPC: H02M1/06
Abstract: 本实用新型公开一种带电压过冲门槛限制的IGBT串联动静态均压电路,包括两个均压电容、两个均压电阻、门极电阻、均压二极管、门极二极管和门极TVS管,第一均压电阻与第一均压电容并联后,一端连接IGBT的集电极,另一端分别连接第二均压电容的一端、均压二极管的阳极和门极二极管的阳极,均压二极管的阴极经由第二均压电阻连接第二均压电容的另一端;门极二极管的阴极与门极TVS管的阴极连接,门极TVS管的阳极经由门极电阻连接IGBT的门极,IGBT的功率发射极连接在第二均压电容与第二均压电阻之间。此电路在实现串联IGBT动静态均压的基础上,可对超过设定门槛值的关断电压过冲进行限制,使IGBT能够安全高效运行。
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公开(公告)号:CN202309517U
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201120405434.1
申请日:2011-10-21
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 南京南瑞继保工程技术有限公司
IPC: H02M3/10
Abstract: 本实用新型公开一种适应于高压领域的取能电路装置,包括缓冲电路、限幅电路和功率变换电路,在开关器件的两个功率极并联缓冲电路;所属缓冲电路包含二极管、电阻和缓冲电容;所述限幅电路并联在缓冲电容两端,限幅电路包括电流限制电路和电压限制电路,通过电压限制电路将功率变换电路输入电压稳定在一定值;限幅电路输出接功率变换电路;所述功率变换电路为驱动电路提供所需要的电压。该电路装置尤其适合于高压应用领域,电路简单可靠、无需额外绝缘设备、易于模块化和集成化。
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公开(公告)号:CN210167651U
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201921053251.0
申请日:2019-07-08
Applicant: 南京南瑞继保工程技术有限公司 , 南京南瑞继保电气有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种模块化的电源功率柜,包括:柜体框架;多个导轨支架,自上而下地固定在柜体框架内;多个电源模块,通过导轨支架固定在柜体框架内;多个即插即用型端子,安装于柜体框架的背部,以使多个电源模块实现电气热拔插和不失电运维;以及,多个通讯单元,安装于柜体框架的背部,完成对多个电源模块的后台通信和监测。此种功率柜安装简单、扩容方便、维护方便、在线投退、可靠性高。
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公开(公告)号:CN119397786A
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202411502635.1
申请日:2024-10-25
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 南瑞集团有限公司
IPC: G06F30/20 , G01K7/22 , G06F119/08
Abstract: 一种换流器功率半导体结温在线计算方法、系统及处理器,该方法包括:结合图表和实测拟合功率半导体的损耗参数;测量和拟合功率半导体相对NTC温度的瞬态热阻抗参数;测量和拟合桥侧滤波电感的电感值曲线;考虑调制方式和纹波电流影响计算采样周期内功率半导体的损耗能量;确定采样周期内的换流模态和损耗映射关系;在线计算功率半导体的损耗功率;在线计算功率半导体的结温。本发明可以直接根据换流器实际可以测量的物理量在线计算换流器功率半导体结温,可执行性好,结温计算的准确性更高。
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公开(公告)号:CN115480201A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202110664956.1
申请日:2021-06-16
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R35/02
Abstract: 本发明公开了一种高频磁性元件绕组交流电阻测量校正方法,包含以下步骤:测量被测绕组漏阻抗;测量并得到被测绕组与辅组绕组总漏阻抗的频率特性曲线;根据频率特性曲线拟合得到被测绕组与辅组绕组的总漏阻抗中的特征参数;根据特征参数计算误差系数;根据被测绕组漏阻抗与误差系数计算被测绕组交流电阻。本发明方法可有效提高大功率高频磁性元件绕组交流电阻的测量精度及测量频率范围,减小辅助绕组与被测绕组之间耦合电容对测量精度的影响。
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公开(公告)号:CN114329876A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202011057287.3
申请日:2020-09-30
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网冀北电力有限公司 , 武汉大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明提出一种IGBT剩余使用寿命预测方法包括:步骤1:构建融合型老化评价指标V’(VCE(on),Tj)。步骤2:根据加速老化试验得到的VCE(on)和Tj老化曲线提取出融合型老化评价指标V’(VCE(on),Tj)的老化曲线,并对V’(VCE(on),Tj)数据进行预处理。步骤3:将预处理后的数据建立两段式回归模型,完成参数估计,并构建以V’(VCE(on),Tj)作为特征量的粒子滤波的观测方程和状态转移方程。步骤4:利用粒子滤波算法在状态空间中生成粒子集并预测下一周期的融合型老化评价指标值。步骤5:预测IGBT模块的剩余使用寿命。本发明考虑实际工况和IGBT模块个体差异等缺点,构建了融合VCE(on)与Tj的新型老化评价指标,解决了现有的IGBT的寿命预测方法针对单一参数的状态监测,提高了寿命预测的精度。
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公开(公告)号:CN113077964A
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202110253841.3
申请日:2021-03-03
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开一种干式高频变压器,包括绝缘外壳、磁芯、绕组和绝缘胶;所述磁芯和绕组置于绝缘外壳内部,并以绝缘胶灌封的方式构成固体器件;所述绝缘外壳外部周围设计翅片或鳍片结构。采用本发明的技术方案,在同样体积情况下,使高频变压器的热损耗更有效传递到外部环境,降低磁芯及绕组的内部温升,提高可靠性并延长变压器的使用寿命。
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公开(公告)号:CN112946517B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202110136021.6
申请日:2021-02-01
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种快速的大功率SiC MOSFET短路故障检测电路及检测方法,检测电路包括门极电压变化率检测单元、门极电荷检测单元、漏极电压检测单元、逻辑控制单元。检测方法将逻辑控制单元检测SiC MOSFET是否发生短路故障分为开通暂态、开通稳态2个阶段;在开通暂态阶段,基于门极电压变化率检测单元和门极电荷检测单元识别米勒平台,并复用漏极电压检测单元实现硬开关短路故障HSF检测;在开通稳态阶段,基于漏极电压检测单元实现退饱和检测短路故障。本发明双重化的米勒平台识别方式,加之更宽的Qref取值范围提高了HSF短路故障检测可靠性,同时避免了因躲避时间tblank设置导致退饱和检测动作不及时问题,提高了检测短路故障的快速性。
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公开(公告)号:CN112946517A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110136021.6
申请日:2021-02-01
Applicant: 南京南瑞继保电气有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种快速的大功率SiC MOSFET短路故障检测电路及检测方法,检测电路包括门极电压变化率检测单元、门极电荷检测单元、漏极电压检测单元、逻辑控制单元。检测方法将逻辑控制单元检测SiC MOSFET是否发生短路故障分为开通暂态、开通稳态2个阶段;在开通暂态阶段,基于门极电压变化率检测单元和门极电荷检测单元识别米勒平台,并复用漏极电压检测单元实现硬开关短路故障HSF检测;在开通稳态阶段,基于漏极电压检测单元实现退饱和检测短路故障。本发明双重化的米勒平台识别方式,加之更宽的Qref取值范围提高了HSF短路故障检测可靠性,同时避免了因躲避时间tblank设置导致退饱和检测动作不及时问题,提高了检测短路故障的快速性。
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公开(公告)号:CN113919116B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202010656706.9
申请日:2020-07-09
Applicant: 武汉大学 , 南京南瑞继保电气有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网冀北电力有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本发明提出了一种基于GARCH模型的IGBT剩余使用寿命预测方法。本发明通过分析集电极‑发射极通态压降和IGBT疲劳老化的关系,利用最小二乘法建立初始老化模型,进而对噪声序列进行平稳性检验,进而建立基于GARCH模型的IGBT老化模型,评估IGBT老化状态,提高IGBT寿命预测的精度。本发明解决了IGBT具体生产工艺引起个体差异和实际工况带来的影响。根据功率循环加速老化试验建立集电极‑发射极通态压降VCE,on与功率循环次数的数学模型,可精确地得到单个IGBT模块的老化状态。
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