一种近场稀疏阵设计方法
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113158568A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110440766.1

    申请日:2021-04-23

    Abstract: 本发明属于阵列天线设计技术领域,涉及一种近场稀疏阵设计方法。本发明首先根据给定初始均布阵列,并计算好能够实现近场聚焦波束的权向量,将其作为稀疏阵列的基础。在计算中过程中先采用传统遗传算法进行阵列设计,当遗传算法进行到一定次数后,在每轮遗传算法结束前进行概率学习算法迭代,若在一定学习次数内产生适应度更高的解,则将当前遗传算法中最优解替换为该解并保留。本发明相对于传统遗传算法和贪婪搜索算法,在时间复杂度和设计性能上做到较好的兼顾,且具有一定的灵活性。本发明对于实际工程中的小型阵列能够进行高性能的全局搜索,找到更优的可行解。

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