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公开(公告)号：CN102768928B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210090621.4
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极盐及其制备方法、含有该阴极盐的钡钨阴极及其制备方法，该阴极中所含阴极盐的组分物质的量比为：BaCO34～5，CaCO30.4～0.7，Al2O31；制备方法包括称量、球磨、压制成块、烧结；含有该阴极盐的钡钨阴极的制备方法包括阴极基底制备、阴极盐制备、阴极盐浸渍、阴极车加工和阴极发射表面覆膜。使用该阴极盐制备的钡钨阴极能耐离子轰击，微波管使用寿命长，各项技术指标均能达到设计要求。
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公开(公告)号：CN102832090B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210313441.8
申请日：2012-08-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于空间行波管的热子组件及其制备方法，所述热子组件，由热子及阴极钼筒构成，所述热子一端为螺旋线结构，为螺旋线结构的热子一端表面设有电真空氧化铝层；为螺旋线结构的热子一端设于阴极钼筒内，且在热子与阴极钼筒之间填充有电真空氧化铝；所述热子组件的制备方法，包括五大步骤；所述用于空间行波管的热子组件及其制备方法，热效率高、可靠性强，能满足空间行波管发展的需要。
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公开(公告)号：CN102637567B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210090848.9
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种阴极盐及其制备方法、含有该阴极盐的钡钨阴极及其制备方法，该阴极盐其组分物质的量比为：碳酸钡3～4，碳酸钙0.3～0.8，铝粉1.5～2.5；制备方法包括称量、球磨、干燥与合成；使用该阴极盐制备的钡钨阴极具备高发射能力，能达到上百安培的发射能力，满足了微波器件大功率、高频率发展的需求。
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公开(公告)号：CN102592919B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210050105.9
申请日：2012-02-29
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J9/18
Abstract: 本发明公开了一种用于阴极组件的装配工装及其装配方法，装配工装包括基座部分和压紧部分，基座部分包括用于安装阴极发射体的阴极发射体定位孔(1)、用于安装阴极支持座的阴极支持座定位孔(2)和通槽(3)，且保证阴极发射体安装金属丝材的部位处于通槽(3)处，阴极支持座用于安放金属丝材的部位也处于通槽(3)处；压紧部分包括与基座部分的螺纹孔相配合的螺栓(4)以及与螺栓(4)相配合的螺帽(5)。具有该种结构的装配工装采用一体化工装，能在该套工装上同时完成金属丝材与阴极发射体和阴极支持座的装配与焊接，并且能保证装配后的组件无形变，各尺寸、同心度、平行度均能满足苛刻的技术要求，同时提高装配效率和装配合格率。
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公开(公告)号：CN102637566B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210090817.3
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大电流密度的钡钨阴极及其制备方法，钡钨阴极包括阴极钼筒(3)和填充在阴极钼筒(3)内的双层基底，双层基底包括上层和下层，上层是采用圆球形状的钨粉做为基底材料压制而成的球形钨粉层(1)，且钨粉的粒径是4μm；下层是采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成的钨铼合金层(2)，且钨粉和铼粉按照20％∶80％比例混合均匀。具有上述特殊结构的该种大电流密度的钡钨阴极采用双层基底，上层采用特定形状特定颗粒的钨粉做为基底材料压制而成，下层采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成，可稳定地提供100A/cm2的电流密度，满足大功率、高频率微波器件对阴极的需求，为微波器件的发展提供强有力的保障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103302163A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251168.5
申请日：2013-06-21
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种波导变换耦合器内腔、耦合器一体成型方法及成型工装，该耦合器内腔一体成型方法，包括毛坯装夹、毛坯定位、耦合器内腔压制成型及取工件的步骤；该耦合器一体成型方法，包括耦合器内腔一体成型步骤及常规加工步骤；该成型工装，用于实现耦合器内腔一体成型；本发明利用模具将波导变换耦合器内腔挤压成型，进而使得波导变换耦合器一体化成型；减少了中间过程，避免了多个薄壁无氧铜零件的装配焊接等这些易产生形变的环节；本发明得到的波导变换耦合器，强度大，不易形变，微波传输性能佳；且加工工艺简单，重复性和一致性好，保证了微波器件的性能和合格率。
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公开(公告)号：CN102637568A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210090587.0
申请日：2012-03-30
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹功率源器件的带状注阴极及其制备方法，带状注阴极包括阴极钼筒(1)和压制在阴极钼筒(1)内部的阴极基底(2)，阴极钼筒(1)的前端面设有狭缝带(4)，阴极钼筒(1)的后端安装有避免阴极盐蒸发物对器件造成污染的钽盖(3)，钽盖(3)通过激光焊的方式与阴极钼筒(1)紧密焊接在一起；且阴极基底(2)的表面上设有一层厚度为0.3微米-0.6微米锇铱铝膜。具有上述特殊结构的用于太赫兹功率源器件的带状注阴极发射的电子注为带状电子注，满足带状电子注真空电子器件对电子源的需求，且该阴极为采取密封式焊接，避免阴极盐的蒸发物对器件的污染。
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公开(公告)号：CN101458062B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910000742.3
申请日：2009-01-09
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: G01B7/02
Abstract: 一种球冠弦高的测量方法，属于真空电子器件领域，该方法所用的测量装置由上、下两部分构成，第一部分为夹具压块，第二部分是底座组件，本方法按以下步骤操作：a将待测球冠状零件装入专用装置的夹具压块上；b将夹具压块安置在专用装置的底座组件上；c将夹具压块与底座组件之间用电流表连接起来；d缓慢移近夹具压块与底座组件，使其间隙减小，当电流表有指示的瞬间即停止移动，e读取压块上的间隙值。本测量方法避免了测量装置直接接触到球冠形零件上面，不会导致零件变形，满足电子枪要求。
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公开(公告)号：CN101458062A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910000742.3
申请日：2009-01-09
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: G01B7/02
Abstract: 一种球冠弦高的测量方法，属于真空电子器件领域，本方法按以下步骤进行操作：a.将待测球冠状零件装入专用装置的夹具压块上；b.将夹具压块安置在专用装置的底座组件上；c.将夹具压块与底座组件之间用电流表连接起来；d.缓慢移近夹具压块与底座组件，使其间隙减小，当电流表有指示的瞬间即停止移动，e.读取压块上的间隙值。所用装置由两部分构成，即夹具压块和底座组件，所述测量方法避免了测量装置直接接触到球冠形零件上面，不会导致零件变形，满足电子枪要求。
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公开(公告)号：CN101256923A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710302534.X
申请日：2007-12-28
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明公开了一种微波管栅极的成型制造装置及成型制造方法，一种微波管栅极的成型制造装置，其特征在于：所述成型制造装置包括成型阳模、成型阴模、定位销、成型基座组成，所述成型阳模呈销钉状，通过垫圈插入成型阴模的销孔内，所述的成型阴模与成型基座上对应的设有至少两个以上定位销孔，成型阴模通过插入定位销孔的定位销、栅极栅网与成型基座相连接。与现有技术相比；加工出的栅极栅网具有加工精度高，光洁度高，合格率高等优点。通过栅极的成型制造装置能够使平面栅网在受力后能够陷进基座中成型。同时平面栅网的设计上具有定位孔，从而可以通过定位销的作用来保证成型阳模和平面栅网的精确定位，提高栅网成型后结构上对称度的精度。
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