公开(公告)号：CN115219103A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202211145367.3

申请日：2022-09-20

Applicant: 季华实验室

Inventor： 黄星星 ,  刘乔 ,  侯少毅 ,  王凤双

IPC: G01L21/00 ,  G01L19/00 ,  G01L19/14 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/04

Abstract: 本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。

公开(公告)号：CN114720048A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210648150.8

申请日：2022-06-09

Applicant: 季华实验室

Inventor： 毕诗博 ,  侯少毅 ,  卫红 ,  胡强 ,  胡琅 ,  王凤双 ,  黄星星

IPC: G01L21/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02

Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。

公开(公告)号：CN114323355B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210251300.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘乔 ,  郭可升 ,  王凤双 ,  卫红 ,  侯少毅 ,  黄星星 ,  胡强

IPC: G01L1/04 ,  G01L9/00

Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了用于电容薄膜规的压力测量系统、方法及电容薄膜规，其包括：膜片；陶瓷基体,设置在膜片一侧；固定电极组，设置在陶瓷基体靠近膜片的端面上，用于根据其与膜片的距离生成测量电容信息；多个形变检测电极，设置在陶瓷基体上，且圆周阵列在固定电极组外侧，分别用于根据其与膜片的距离生成对应的检测电容信息；控制器，与固定电极组和形变检测电极电性连接，用于获取检测电容信息，还用于根据检测电容信息检测膜片形变是否均匀，还用于在膜片形变均匀时，获取测量电容信息并根据测量电容信息计算压力值；有效地提高了用于电容薄膜规的压力测量系统测量压力的稳定性、准确性和可靠性。