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公开(公告)号：CN115651650B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211299093.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种宽带近红外发射的三元金属卤化物材料及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域，宽带近红外发射的三元金属卤化物材料，是金属卤化物RbPb2Cl5:Sn。制备方法包括：将氯化铷、氯化铅、二氯化锡分别置于透明玻璃瓶中，并加入DMF溶液，加热至90℃得到澄清透明溶液，并分别放置于盛有丙酮的大试剂瓶中，24h后将析出白色粉末转移至玛瑙研磨罐中，加入次磷酸、去离子水，研磨得到白色的粉末，用乙醇清洗后，在80～210℃真空条件下热处理3小时，得到纯相RbPb2Cl5:Sn固体粉末样品。本发明制备工艺简单，产物具有较宽的半峰宽，有望在近红外成像、探测器等领域代替碲镉汞系列材料，具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115558489B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211299086.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率零维镓掺杂金属卤化物及其制备方法属于半导体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铷、氯化镉、氯化镓粉末混合均匀后加入1～5mL DMF溶液，加热至80℃得到澄清透明溶液，然后快速转移至温度为80℃的真空烘箱中，通过0.2～5℃/min的程序降温至室温后得到多晶粉末。利用异丙醇洗涤晶体2～3次后，在60～200℃下烘干20min，最后将晶体在‑10～‑30℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Rb4CdCl6：10％Ga。本发明合成了一种全新的Ga3+掺杂镉基零维金属卤化物Rb4CdCl6，在302nm激发下显示出强绿光发射。
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公开(公告)号：CN115651652A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211299094.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明的一种具有防水功能的全无机四元金属卤化物及其制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铯、四氯化锆、四氯化锡混合均匀后转移至水热反应釜，加入浓盐酸，去离子水、硬脂酸，管式炉升温至110℃～200℃维持480min，缓慢降温至室温，抽滤，取出后烘干燥处理等。本发明首次提出了一种通过四价金属离子互掺杂显著改善荧光效率及水稳定性的方法，制备的产物是一种具有高量子效率和超高水稳定性的钙钛矿发光材料，在光电方面的应用提供了良好的前景。
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公开(公告)号：CN115490259A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211299964.1
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率无机非铅钙钛矿纳米晶及其制备方法属于钙钛矿纳米晶材料制备技术领域。所述的高荧光效率无机非铅钙钛矿材料，是CsAgCl2钙钛矿纳米晶，类球形，约60nm。制备方法为：首先将乙酸银、油酸铯按照摩尔比2:1～6混合，加入油胺、油酸、十八烯，抽真空通入氮气吹扫。然后缓慢升温至80～105℃时，快速注入三甲基氯硅烷溶液，反应10s后立即用冰水浴冷却至室温，差速离心纯化后，得到荧光效率强的CsAgCl2纳米晶。在254nm的紫外灯激发下发出亮黄色的荧光，具有无铅无铬、高量子效率和环境稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN115433576A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211299082.5
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明的一种锌掺杂三元金属卤化物及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域，所述锌掺杂三元金属卤化物，是Zn掺杂的KSn2Cl5钙钛矿荧光材料。制备方法包括：首先在手套箱中称取KCl，SnCl2，ZnCl2，在氩气条件下将研磨罐密封，于行星式球磨机中球磨6h，球磨后得到白色粉末，而后在白色粉末中加入120ul浓HCl，继续研磨15min，在30～100℃真空条件下烘干，最后进行‑5℃～‑20℃冷却处理1h～3h后，得到具有高纯度、荧光效率增强的锌掺杂三元金属卤化物KSn2Cl5:Zn，该样品在302nm的紫外灯激发下发出橙红色的荧光，具有无毒、高量子效率等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109777403B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201910191514.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Cs2AgxNa1‑xInCl6双层钙钛矿的制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化钠、氯化银、氯化铟按混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末；然后加入氯化铋继续研磨，将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Cs2AgxNa1‑xInCl6双层钙钛矿。本发明首次通过机械研磨实现了Cs2AgInCl6的Na+合金化和Bi3+痕量掺杂，极大的提高了其荧光产率；同时本发明具有操作简单，方法简单，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN110015685B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910459654.3
申请日：2019-05-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种低温合成尺寸均一CsPbBr3钙钛矿纳米棒的方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先在氯仿溶液中依次加入用甲苯溶解的溴化铵溶液、溴化铅溶液和碳酸铯溶液，并在室温下反应，得到Cs4PbBr6钙钛矿纳米棒；将制得的Cs4PbBr6钙钛矿纳米棒提纯后分散于甲苯中，将得到的分散液注入到十八烯中；再注入溴化铅溶液，进行反应得到CsPbBr3钙钛矿纳米棒。本发明不用抽真空，不用通N2保护，方法简单，仅在室温条件下就能够合成尺寸均一且稳定的CsPbBr3钙钛矿纳米棒。
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公开(公告)号：CN109880618B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910191509.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化银、氯化铟混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末，然后加入氯化锰继续研磨直到粉色的超干氯化锰均匀分散到反应体系中，粉色消失，停止研磨；将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Mn2+：Cs2AgInCl6。本发明具有操作简单，方法简单，荧光量子产率高，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN112725899A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011543230.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种具备光波导性质的0维锑化物单晶的制备方法属于半导体材料制备技术领域，首先将氯化锑、十二烷基三甲基氯化铵溶解于二甲基甲酰胺溶液中，进行强超声分散、过滤得到前驱体溶液，在密封体系下，将非极性溶剂缓慢扩散至前驱体溶液中，24小时后析出棒状晶体，即为具备光波导性质的0维锑化物单晶。本发明具有操作简单、晶体形貌固定、荧光产率高等优点，制备的晶体具有优异的光波导性质和线偏振性质，并且在高能量激发下呈现双光性质。
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公开(公告)号：CN112521939A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011413260.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种非铅金属卤化物高效闪烁体材料及制备方法属于半导体材料制备技术领域。所述的高效闪烁体材料，是金属卤化物Rb2AgBr3，制备方法包括：先将溴化铷、溴化混合研磨，200℃煅烧30h后加入三正丁基膦在球磨机中进行球磨，用254nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止球磨，向球磨罐中加入去离子水，继续研磨，将得到的产物用乙醇清洗后，在80～210℃真空条件下热处理3小时，得到纯相Rb2AgBr3固体粉末样品。本发明合成了高纯度的具有X射线荧光性质的Rb2AgBr3固体材料，该材料有望用于医用X射线成像，且该材料对于环境和人体的伤害远远低于卤化铅钙钛矿闪烁体材料。
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