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公开(公告)号：CN112366256A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011065419.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层。有源层包括靠近N型层的a个第一量子垒层、靠近P型层的b个第三量子垒层、以及位于a个第一量子垒层和b个第三量子垒层之间的c个第二量子垒层，a个第一量子垒层均为N型掺杂的GaN层，b个第三量子垒层均为P型掺杂的GaN层，c个第二量子垒层分别为N型掺杂的GaN层或P型掺杂的GaN层，且相邻两个第二量子垒层分别为不同掺杂的GaN层。该发光二极管外延片可以增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，提高LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN108598222B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810283367.7
申请日：2018-04-02
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，有源层包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，每个量子垒包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层和第三子层均为掺杂硅的氮化镓层，所述二子层为掺杂铝的氮化镓层，第四子层为掺杂铟的氮化镓层。本发明通过在量子垒中采用掺杂硅的氮化镓层，而且掺杂硅的氮化镓层中插入有掺杂铝的氮化镓层，在实现电流扩展电压降低的同时，可以有效避免硅的掺杂浓度太高而降低有源层的晶体质量，最终提升了发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN107293619B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710520231.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个量子阱层和多个量子垒层，多个量子阱层和多个量子垒层交替层叠，量子垒层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，(n+1)个第一子层和n个第二子层交替层叠设置，第一子层为没有掺杂的氮化镓层，第二子层为掺杂硅的氮化镓层。本发明采用掺杂硅和非掺杂硅交替生长，可以有效增强电流扩展，且掺杂硅的氮化镓层中的部分硅可以通过渗透作用到没有掺杂硅的氮化镓中，保障了LED的发光效率和亮度，又可以减少线缺陷和降低电压。
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公开(公告)号：CN107887485B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710889138.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个第一子层，各个第一子层包括量子阱层和量子垒层，最靠近电子阻挡层的量子垒层包括多个第二子层和第三子层，各个第二子层包括第四子层、第五子层和第六子层，各个第四子层为铝镓氮层，各个第五子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，且各个第五子层中铟的掺杂位置靠近第六子层，各个第六子层为氮化镓层，第三子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，第三子层中镁和铟的掺杂浓度高于各个第五子层。本发明可增加空穴注入，提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN109920884A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910069070.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，所述接触层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层的材料采用掺杂镁的氮化镓，所述第二子层的材料采用不掺杂的氮化镓，所述第三子层的材料采用掺杂镁和铟的氮化镓。本发明可提高LED整体的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860340A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811268861.2
申请日：2018-10-29
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：将衬底放入反应室内；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；其中，所述三维成核层的生长过程包括依次出现的多个生长阶段，每个生长阶段包括低温阶段和在所述低温阶段之后出现的高温阶段，所述高温阶段反应室内的温度高于所述高温阶段相邻的所述低温阶段反应室内的温度，各个所述高温阶段反应室内的温度按照各个所述高温阶段出现的先后顺序逐个升高，各个所述低温阶段反应室内的温度按照各个所述低温阶段出现的先后顺序逐个升高。本发明可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN109786522A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910012911.9
申请日：2019-01-07
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、以及P型掺杂GaN层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括层叠的InGaN阱层和复合垒层，所述复合垒层包括超晶格子层，所述超晶格子层为AlInN子层和GaN子层周期性交替生长的超晶格结构，所述电子阻挡层为AlGaN电子阻挡层。
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公开(公告)号：CN106887494B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710093597.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；应力释放层包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为掺有硅的氮化镓层，第二子层包括多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层，多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层交替层叠设置；有源层包括多层铟镓氮层和多层氮化镓层，多层铟镓氮层和多层氮化镓层交替层叠设置，第三子层为掺杂铟和硅的氮化镓层，第三子层中铟的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高或者逐渐降低。本发明最终提高了LED的亮度和反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN106611808B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201611118511.9
申请日：2016-12-07
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、N型插入层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；N型GaN层的生长温度＞N型插入层的生长温度＞有源层的生长温度；N型插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层为两种N型掺杂剂的掺杂浓度不同的GaN层交替层叠形成的超晶格结构，其N型掺杂剂的掺杂浓度小于N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度；第二子层为AlGaN层或者至少三层AlGaN层和至少三层GaN层交替层叠形成的超晶格结构；第三子层为InGaN层。本发明的N型插入层起到缓冲作用，有利于有源层生长。
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公开(公告)号：CN109346582A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811003560.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述外延片包括：衬底、以及依次在衬底上沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和活化P型接触层；所述活化P型接触层包括第一GaN层和第二GaN层，所述第一GaN层位于P型层与所述第二GaN层之间；所述第一GaN层为掺杂Mg的GaN层，所述第二GaN层为掺杂Mg和In的GaN层，所述第一GaN层中Mg的浓度高于所述第二GaN层中Mg的浓度，所述第一GaN层的厚度大于所述第二GaN层的厚度。
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