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公开(公告)号：CN105955841A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610239962.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G06F11/1461 , G06F3/0617 , G06F3/0656 , G06F3/0689
Abstract: 本发明公开了一种RAID双控制器利用磁盘进行写缓存镜像的方法，在磁盘中为控制器分配保留区；将控制器的镜像写区的脏数据备份到保留区；当控制器收读请求时，在缓存读取数据；当控制器收到写入磁盘的通知时，若数据块在Cache中，则将数据块转为干净；若数据块在保留区中，则将数据块在保留区释放；当控制器Cache空间不足需要获取空间时，按照干净区、写区、镜像写区的顺序倒盘；当控制器收到将脏数据写回到磁盘的通知时，若数据在Cache中，则将数据转为干净；若数据在保留区中，则在保留区中将该块的空间释放；当控制器的镜像写区故障时，通过控制器的Cache以及保留区中的数据进行数据恢复；该方法可以减少控制器的Cache数据重复率，具有提高命中率的效果。
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公开(公告)号：CN105955664A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610279310.0
申请日：2016-04-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06 , G06F12/123
CPC classification number: G06F3/0674 , G06F3/061 , G06F3/0638 , G06F3/0656 , G06F12/123
Abstract: 本发明公开了一种基于段结构的瓦记录转换层的读写方法，将瓦记录磁盘直接应用到现有的存储系统中，基于段结构的瓦记录转换层进行读写处理；对于地址映射表，采用段内动态块映射的方法，有效的减少了瓦记录磁盘的写放大倍数，提高了磁盘性能；同时，SSTL使用了一种基于最近最久未被访问段的写缓存替换算法来管理瓦记录磁盘中的非易失性缓存NVRAM；本发明提供的这种基于段结构的瓦记录转换层的读写方法，有效的减少了数据写入操作和段整理操作的次数，降低了瓦记录磁盘的写放大倍数，显著的提高了瓦记录磁盘的性能。
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公开(公告)号：CN105929567A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610392288.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F1/0121
Abstract: 本发明公开了一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳线簇高密度排布构成的图案化公共电极以及分布在其上端和下端的顶面阴极和底面金属纳膜阴极，顶面阴极和图案化公共电极均由透光的纳米厚度的同材质膜制成，底面金属纳膜阴极由纳米厚度的金属膜制成；顶面阴极和图案化公共电极以及图案化公共电极与底面金属纳膜阴极间均填充有纳米厚度的同材质光学介质材料。本发明双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，可对入射光波的透射行为执行精细电控调变，具有适用于宽谱域及较强光束、偏振不敏感、调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN103914402B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410154741.5
申请日：2014-04-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纠删码缓存的重构优化方法，包括：失效数据缓存过程，包括：接收客户端写失效数据节点的客户端请求记录，将客户端请求记录写入由集群中存活节点预分配内存构成的纠删码缓存区中的数据区，根据纠删码缓存区中数据区的原有数据和新写入的客户端请求记录，更新纠删码缓存区中的校验区，向客户端返回写失效数据节点完成；以及缓存数据迁移过程，包括：读取纠删码缓存区中的一条客户端请求记录，从失效节点对应的替换节点中数据偏移地址为offset的位置读取数据，将客户端请求记录对应的新数据newdata写入替换节点中写数据偏移地址为offset的位置。本发明能够提高失效数据节点的重构性能，并能降低客户端失效写的响应时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105866982A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610353247.0
申请日：2016-05-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0121
Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳尖阵电极的电调透射光薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳尖高密度排布构成的一层纳米厚度的金属纳尖阵阴极和一层纳米厚度的平面阳极，该阳极由透光的纳米厚度的金属氧化物导电膜制成，阴阳电极间填充有由纳米厚度的透明光学介质材料制成的电隔离膜；在加电态下，金属纳尖阵阴极上可自由移动的电子被电极间所激励的电场驱控，向纳尖顶聚集，纳尖底部及相邻尖端间的平坦区域上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数自由电子被抽走而减少甚至急剧降低，对应于有自由电子密集分布的各尖顶的光透过率将减弱。本发明可对光透过率执行电控调变，具有适用于较宽谱域及较强光束、偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105824578A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610139298.3
申请日：2016-03-11
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0689 , G06F11/1064
Abstract: 本发明公开了一种减少RAID?6解码I/O数据量的方程选择方法：一次只选择一个校验方程，而且遵循每次都选择具有最多可重用块的校验方程的原则，直到选定的校验方程数量与条带中丢失的数据块数量一致为止；为了快速选出可重用块数量最多的校验方程，维持一个按可重用块数量排序的校验方程序列，每次从序列顺序选择校验方程。使用本发明方法选择校验方程子集用于解码时，解码I/O的数据量要少于传统解码方法使用的数据量，这有助于减少解码时从磁盘读取数据的时间，从而提高解码性能。
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公开(公告)号：CN103631536B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310612211.6
申请日：2013-11-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种利用SSD中无效数据优化RAID5/6写性能的方法，是应用在一种包括1个或多个SSD和多个磁盘组成的RAID5/6系统中，其中SSD作为RAID5/6的读写缓存，所述方法包括：在SSD中建立空闲池、数据池、保留池和回收池，其中保留池用于暂时存储SSD中无效的旧数据并在SSD的内存中构造映射表，用于存储SSD中数据和对应的无效旧数据的信息及其与RAID磁盘中数据的对应关系，当SSD中数据要写回到RAID5/6中时，读取SSD中无效的旧数据，以避免读RAID5/6磁盘中的旧数据，用来计算RAID5/6的校验值，从而减少磁盘的访问次数，优化RAID5/6的写性能。本发明能够解决传统RAID5/6系统在小写过程中性能不佳的问题。
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公开(公告)号：CN105549232A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510901830.6
申请日：2015-12-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G02F1/1313 , G02F1/13306 , G02F1/31 , G02F2001/294 , G02F2001/311
Abstract: 本发明公开了一种双模一体化电控液晶光开关阵列。阵列化排布的液晶微光学结构在双路时序电信号驱控下呈现为电控液晶聚光微透镜阵列或电控液晶散光微透镜阵列，源于同一液晶微光学结构的每单元液晶聚光微透镜与每单元液晶散光微透镜有相同光轴；在聚光模式下，在一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶聚光微透镜对入射光波实施可调焦聚光操作，构成光开关的开启态；在散光模式下，在另一组相互匹配的双路电信号驱控下形成的液晶散光微透镜对入射光束实施可控光发散程度的散光操作。本发明通过加载相应的双路电信号，完成纤光束间的光波通断操作，开关的驱控方式灵活，适用于波谱范围宽、光强变动范围大的光纤/光缆系统。
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公开(公告)号：CN104201233B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410456515.2
申请日：2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的肖特基型毫米波多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性，通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于毫米波的多个波段。
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