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公开(公告)号:CN104555988B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201510040668.3
申请日:2015-01-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及一种基于化学气相沉积的生产直径微米级的碳线的方法,属于化学气相沉积技术领域。将掺杂有硅粉末与二氧化硅粉末的石墨粉末放入瓷舟中,将放有硅粉末、二氧化硅粉末与石墨粉末的瓷舟在充满氩氢混合气的环境中进行加热,加热完毕后,在充满氩氢混合气的环境中冷却至室温并将瓷舟取出。本发明提供了大规模生产微米级直径碳线应用的新途径,具有成本低、原料简单、适合工业大规模生产的特点。与现有合成出的碳纳米管相比,具有长度长,直径粗,力学刚性强的特点。将在微器件搭建、微电极制作、微电路保护方面拥有更多应用。
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公开(公告)号:CN104555988A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510040668.3
申请日:2015-01-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明涉及一种基于化学气相沉积的生产直径微米级的碳线的方法,属于化学气相沉积技术领域。将掺杂有硅粉末与二氧化硅粉末的石墨粉末放入瓷舟中,将放有硅粉末、二氧化硅粉末与石墨粉末的瓷舟在充满氩氢混合气的环境中进行加热,加热完毕后,在充满氩氢混合气的环境中冷却至室温并将瓷舟取出。本发明提供了大规模生产微米级直径碳线应用的新途径,具有成本低、原料简单、适合工业大规模生产的特点。与现有合成出的碳纳米管相比,具有长度长,直径粗,力学刚性强的特点。将在微器件搭建、微电极制作、微电路保护方面拥有更多应用。
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公开(公告)号:CN104143586A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201410326461.8
申请日:2014-07-10
Applicant: 北京理工大学
Inventor: 刘瑞斌
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02966 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/1832
Abstract: 本发明涉及一种带隙渐变的半导体纳米结构的光电探测器的制备方法,属于光电探测领域。即基于单基片上集成生长的带隙渐变的CdSSe三元合金半导体一维纳米结构的集成基片的宽带高灵敏、大尺度、低成本光电探测器的制作,我们通过热蒸发或电子束蒸发的蒸镀手段,在渐变生长有不同组分的CdSxSe1-x(x从0到1)纳米结构(带隙大小渐变)的基片上制作不同形状和宽度的电极结构,最后将整个基片作为探测单元,并与非线性电流放大电路连接,制作出可以覆盖整个可见光区以及近紫外的宽带高灵敏光电导探测器。
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公开(公告)号:CN102618253B
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201210067435.9
申请日:2012-03-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种硫化镉梳状半导体微纳材料的光致变色方法,属于光致变色技术领域。将掺杂有锡的硫化镉纳米梳团簇放到载玻片上,将掺杂有锡的硫化镉纳米梳团簇进行分离,把单个纳米梳从团簇上分离下来,将单个纳米梳在显微镜的视场中,利用连续的氮化镓半导体紫外激光器,采取斜照射方式,照射到单个纳米梳上,激光器功率从2mW逐渐增加到40mW。本发明提供了掺杂有锡的硫化镉纳米梳进行颜色变化应用的新途径,具有成本低、制作简单、原料来源广泛的特点。与现有变色材料相比,更容易实现,而且可以实时进行颜色调制变换,具有更多颜色变化的选择,使变色的范围更加丰富。将在激光现示、激光电视、防伪材料、军用吸波材料方面拥有更多应用。
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公开(公告)号:CN102674434A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210067431.0
申请日:2012-03-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种硫化镉梳状半导体微纳材料及其制备方法,属于光致变色技术领域。将硫化镉和二氧化锡放入管式炉中石英管的中央,将镀金的硅片作为基片放入到管式炉石英管气流的上游或下游,通入载气,升温,保温1~3h,关闭管式炉,继续通载气,冷却至室温,得到掺杂有锡的硫化镉梳状微纳米材料。本发明掺杂有锡的硫化镉纳米梳进行颜色变化应用的新途径、成本低、制作简单、原料来源广泛的特点。与现有变色材料相比,更容易实现,而且实时颜色变换,具有更多颜色变化的选择,使变色的范围更加丰富。将在激光现示、激光电视、防伪材料、军用吸波材料方面拥有更多应用。
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