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公开(公告)号:CN101816107B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN200880110292.7
申请日:2008-10-07
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: B60R16/0239 , H02H3/087 , H02H5/044
Abstract: 电连接盒10包括FET 32,该FET 32用于与电源B连接;基板侧导电路径18,该基板侧导电路径18与FET 32相连接并且连接FET 32和负载L;二极管元件D,该二极管元件D与基板侧导电路径18电气地连接以传递热并且具有PN结;以及CPU 19,该CPU 19用于判断二极管元件D的输入/输出端子25和26之间的电压下降值是否大于阈值并且如果判断电压下降值小于阈值,则将断开命令信号传递给FET 32。
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公开(公告)号:CN102549867A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201080042178.2
申请日:2010-09-24
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H02H3/087 , H02H3/006 , H02H3/085 , H02J7/0031 , H02M1/32 , H02M2001/327
Abstract: 公开了一种电力供应控制装置,其包括电流路径保护电路,如果在电流路径的状态中存在异常,则电流路径保护电路使用与通过特性设定电路设定的保护电流温度特性线(Lpr)相关的数据通过开关电路来禁止电流的通过,该开关电路在从电源向负载的电流通过和无电流通过之间切换。保护电流温度特性线(Lpr1至Lpr3)具有保护电流值响应于在环境温度(T0)上的增大而恒定的特性,或者具有保护电流值响应于在环境温度(T0)上的增大而降低的负特性。在其中布置了电流路径的位置中,在低于假定的最大环境温度(T0sumax)的温度区域中,保护电流温度特性线(Lpr1至Lpr3)和电力供应路径温度特性线(Lw)具有下述关系:其中,对于相同的环境温度(T0),根据电流路径温度特性线(Lw),保护电流值不高于允许电流值。
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公开(公告)号:CN101390289B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200780006291.3
申请日:2007-02-20
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , H02M1/08 , H03K17/687
CPC classification number: H02M1/08 , H03K17/0822 , H03K17/687
Abstract: 当栅极驱动器(28)在正常状态下接收到低电平控制信号(S1)即接通信号时,仅驱动电荷泵(90)并对功率MOSFET(14)进行正常充电操作。当栅极驱动器在负载异常状态下接收到低电平控制信号(S1)即接通信号时,在负载电流(IL)超过第二异常阈值电流(Ilfc)时,除了电荷泵(90)之外,还接通用于异常时间的急速充电FET(92),并进行快速充电操作。
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公开(公告)号:CN102369643A
公开(公告)日:2012-03-07
申请号:CN201080014620.0
申请日:2010-03-30
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H02H6/00
CPC classification number: H02J7/0031 , H02H3/085 , H02J9/002 , H02J9/005
Abstract: 一种电力供给控制器,其连接在电源和电力供给路径之间,并且包括开关电路、电力供给路径保护电路和睡眠模式设置电路。开关电路连接在电源和电力供给路径间,并且用于允许和禁止从电源向负载电力供给。电力供给路径保护电路根据用于命令开始或停止向负载供给电力的电力供给命令信号(输入SW信号)来控制开关电路的开关操作,不管电力是否供给到负载都计算电力供给路径的温度Tw,在睡眠模式中不计算电力供给路径的温度,并且根据达到上限Tsm的所计算的温度Tw而禁止向开关电路电力供给。睡眠模式设置电路根据满足预定温度条件的电力供给路径的温度Tw,将电力供给控制器设置成睡眠模式。
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公开(公告)号:CN101189795B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200680019228.9
申请日:2006-05-25
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , G05F1/10 , G05F3/26 , H03K17/687
CPC classification number: G05F1/575 , H03K17/063 , H03K17/0822 , H03K2217/0027
Abstract: 由串联的分压电阻器R1,R2,R3构成的分压电路60位于功率MOSFET 15的源极端S与接地之间。位于连接点A的分压Va被加在比较器62的输入端之一上,而位于连接点B的分压Vb被加在比较器64的输入端之一上。比较器62,64的其他输入端与外部端子P4和FET30之间的连接线相连,其中外部电阻器12与该外部端子P4相连。
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公开(公告)号:CN101390289A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200780006291.3
申请日:2007-02-20
Applicant: 株式会社自动网络技术研究所 , 住友电装株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H03K17/08 , H02M1/00 , H02M1/08 , H03K17/687
CPC classification number: H02M1/08 , H03K17/0822 , H03K17/687
Abstract: 当栅极驱动器(28)在正常状态下接收到低电平控制信号(S1)即接通信号时,仅驱动电荷泵(90)并对功率MOSFET(14)进行正常充电操作。当栅极驱动器在负载异常状态下接收到低电平控制信号(S1)即接通信号时,在负载电流(IL)超过第二异常阈值电流(Ilfc)时,除了电荷泵(90)之外,还接通用于异常时间的急速充电FET(92),并进行快速充电操作。
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