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公开(公告)号：CN102514110B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110453604.8
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开裂，操作简便、耗时短、成本低。
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公开(公告)号：CN102676994B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201210185344.5
申请日：2012-06-07
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。
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公开(公告)号：CN103911662A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210593282.1
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品，所述方法采用坩埚提拉法生长晶体，包括：在接种工序中，将原料加热至熔化并在高于熔化温度80℃～140℃下保温使熔体稳定，并将籽晶在高于熔化温度10℃～30℃下接触熔体；旋转籽晶并开始提拉生长晶体，其中包括缩颈工序、扩肩工序、等径工序和收尾工序；以及在原位退火工序中，提拉晶体使晶体脱离熔体后保持位置不变并旋转晶体、以10～30℃/h的速率使熔体温度降至1200～1400℃，保持10～30h后以10～30℃/h的速率降至室温。
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公开(公告)号：CN103541014A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310479704.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明涉及无铅高压电活性晶体材料及其制备方法，所述晶体材料的化学式为Ba(1-x)CaxTi(1-y)ZryO3，其中x=0.005～0.5，y=0.005～0.5；空间群为99。本发明的BCZT晶体材料，与其陶瓷材料相比，压电性能得到大幅度提高，其中压电常数为d33=300～5000pC/N。本发明实现了无铅压电陶瓷Ba(1-x)CaxTi(1-y)ZryO3（BCZT）转变为无铅压电晶体的方法和途径，首次将一种多元复杂的陶瓷体材料转变为一种复杂的单晶体材料，使得材料的性能和应用得到大幅度的提高和扩展。
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公开(公告)号：CN103506928A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210202351.1
申请日：2012-06-19
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173737A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110437215.6
申请日：2011-12-23
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C16/32
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种碳化硅化学气相外延载物台装置，该装置是分体式载物台装置，包括船型石英舟、石英托垫和石墨板。其中，船型石英舟前端为倾斜面，该倾斜面后为下凹平台面；石英托垫放置于石英舟下凹平台面上；石墨板放置于石英托垫上。本发明所述分体式载物台装置可用在水平式化学气相沉积反应室内，通过感应加热石墨板。本发明的优势在于：①沉积反应的气体流场和源物质分布均匀，气流扰动小；②对于大面积衬底，可以优化外延膜厚均匀性；③分体式设计可以降低使用成本并增加应用灵活性。
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公开(公告)号：CN103132147A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310070718.3
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
Abstract: 本发明公开了一种非线性光学晶体，其具有与YCa4O(BO3)3晶体相同的晶体结构，属Cm空间群，m点群，所述的非线性光学晶体为钐钇钙氧硼酸盐晶体，化学式为SmxY1-xCa4O(BO3)3，其中，0＜x＜1。其采用CaCO3、Y2O3、Sm2O3和H3BO3按化学计量比经提拉法生长而得到。本发明的钐钇钙氧硼酸盐晶体具有良好的非线性光学性能，用于制作激光非线性光学器件，对特定波长闲频光进行吸收可提高激光非线性光学器件的转化和放大效率。
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公开(公告)号：CN102701208A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210207135.6
申请日：2012-06-21
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/36 , C30B29/36 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
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公开(公告)号：CN102676994A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210185344.5
申请日：2012-06-07
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0 ≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。
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公开(公告)号：CN102514109A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110453602.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶体的定型定向的切割方法，至少包括：对多个碳化硅晶锭进行整形处理并滚圆至所需尺寸的预处理工序；以及将多个所得碳化硅晶锭依次粘接成一个整体后同时进行切割的切割工序。本发明将多个碳化硅晶锭粘接成一个整体，使碳化硅晶锭的总长度增加，然后再进行切割，从而保证了被切割的碳化硅晶锭的长度满足多线切割机的切割长度，而且能将多个晶锭同时切割出多个晶片，提高了切割效率。
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