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公开(公告)号：CN109585274A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811458583.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供一半导体衬底；利用ISSG工艺并采用变化压力的方式，在所述半导体衬底上形成一层氧化层。通过ISSG工艺中变化压力的方法来控制晶圆薄膜的高温生长过程，使晶圆薄膜内温度更加均匀，减少热负荷，进而改善晶圆经过ISSG高温形变引发后续光刻套刻精度变差的问题，高效且节约成本。
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