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公开(公告)号:CN109449071A
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201811637037.X
申请日:2018-12-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种脉冲功率驱动的高亮度X射线源,属于X射线源技术领域,包括强流脉冲功率源、由超导磁体组成的真空室和脉冲激光器,所述强流脉冲功率源产生强流电子束从真空室一端射入,所述脉冲激光器发出的强激光从真空室的另一端射入,所述强流电子束在超导磁体产生的引导磁场引导下以很小束斑同脉冲激光器发出的强激光相互作用,在此作用过程中,电子受到激光电场作用,而使电子垂直其运动方向上下摆动,由此产生高亮度X射线,本发明不仅装置成本低、建造周期短、结构紧凑和运行维护容易,而且装置提供的X射线波长在较大的范围可调、有较好的方向性、光斑较小(R
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公开(公告)号:CN109273168A
公开(公告)日:2019-01-25
申请号:CN201811029842.4
申请日:2018-09-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种兼具高透光率与优异电磁屏蔽效能的新型复合薄膜制备方法,包括如下步骤:步骤一、基底表面处理;步骤二、制备银纳米线,并配制银纳米线分散液;步骤三、线棒刮涂法制备银纳米线透明导电薄膜;步骤四、银纳米线薄膜表面酸处理;步骤五、首先将步骤四中得到的基底放置在匀胶机上,PEDOT:PSS均匀涂布在基底表面,采用DBSA对干燥成膜的复合薄膜进行后处理,然后用去离子水对复合薄膜表面的DBSA进行多次旋洗并干燥,得到银纳米线-(PEDOT:PSS)复合薄膜。利用本发明方法制备得到的银纳米线-(PEDOT:PSS)复合薄膜,具有透光率高、电磁屏蔽效能突出、共形性好的特点,解决了传统屏蔽材料在航空航天系统电磁兼容与防护应用受限问题。
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公开(公告)号:CN108594341A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810606679.7
申请日:2018-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种金纳米片-金纳米球二聚体的制备及其在强偏振依赖法诺共振的应用,目的在于解决自上而下方法制备金属纳米结构表面等离子体性质差,而现有自下而上方法制备的纳米结构难以有效控制的问题,以及因为强偏振依赖法诺共振难以有效产生与调控的困难。针对前述背景技术中提到的现有能产生强偏振依赖法诺共振金属纳米结构存在表面等离子体共振性质差等缺点的技术问题,提供一种自下而上的制备金纳米片-金纳米球二聚体的方法,其具有操作简便的特点。同时,所制备的二聚体兼具易于制备和可产生易调控的强偏振依赖法诺共振的特性,在实际应用中更具吸引力。本发明的二聚体作为目前最简单结构产生强偏振依赖法诺共振,具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN107039716A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710455195.2
申请日:2017-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01P1/16
CPC classification number: H01P1/16
Abstract: 本发明提供了一种高功率微波可控多频介电介质移相型模式转换器,包括同轴圆波导、在同轴圆波导内沿同轴圆波导轴线方向设置将同轴圆波导均分为两部分的金属平板,所述其中一半波导填充有不同长度段的介电介质,另一半波导为真空,频率为f的微波在两半波导内经过长度L的传播后,产生180度相移,实现频率为f的微波由TEM模式转换为TE11模式。本发明采用上述结构,实现了多频点依据低频至高频的顺序由TEM模式至TE11模式的转换。该模式转换方法结构简单、紧凑、易操控,且易于和圆锥喇叭天线集成,获得高功率微波轴向增益。
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公开(公告)号:CN105470074B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201610036253.3
申请日:2016-01-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开一种磁绝缘线振荡器,包括阳极外筒、阴极和收集极,所述阳极外筒内壁上设置有阳极叶片,所述收集极通过支撑杆固定在阳极外筒中,从振荡器的输入方向起在阳极叶片后方的阳极外筒上设置有提取腔;本发明中通过将阳极叶片的厚度逐步减小,减小了较短时间参与或者不参与束‑波互作用的电子束的比例,提高了束‑波互作用的转换效率,设置提取腔,加了束‑波互作用的能量转换过程,并提高了微波提取的效率,最高可达20%。
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公开(公告)号:CN104900465A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510349154.6
申请日:2015-06-23
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种双波段相对论速调管放大器的技术方案,该方案包括有漂移管、输入腔、第一中间腔、第二中间腔和输出腔;输入腔设置在漂移管靠近阴极的侧壁上;输出腔设置在漂移管远离阴极的一端;第一中间腔设置在输出腔和输入腔之间的漂移管上;第二中间腔设置在第一中间腔和输出腔之间的漂移管上。该方案采用同轴信号馈入结构的多间隙输入腔,采用两个分别谐振于低、高波段的中间腔,在输出腔采用距离可调节的输出过渡段,能够使输入腔工作于两个频点,使束流在需要的输出微波频点得到较高调制,使输出腔能工作于两个波段输出微波的频点。
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公开(公告)号:CN115219798B
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202210661220.3
申请日:2022-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明提供一种吉赫兹单通道传输式强电磁脉冲全向电场传感器,包括金属屏蔽壳体、3个轴向感应天线、信号处理模块、激光器模块、光纤、供电电源;所述信号处理模块,包括分别对应连接3个轴向感应天线的3个轴向电压信号检波单元、3个检波信号比例调节单元、3个检波信号反对数运算单元、以及连接3个检波信号反对数运算单元的1个合成计算单元。本发明不仅可实现GHz甚至数十GHz高频强电磁脉冲环境测试,且仅需单个通道即可完成信号的采集测试,能更好地满足强电磁脉冲环境,特别是高频强电磁脉冲环境阵列测试、分布式监测等场景的测试需求。
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公开(公告)号:CN110702999B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201911146199.8
申请日:2019-11-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种强电磁脉冲屏蔽效能测试系统,包括强电磁脉冲源,测试屏蔽腔、脉冲场信号接收回路和脉冲场信号补偿回路;强电磁脉冲源在微波暗室中产生强电磁脉冲场;测试屏蔽腔侧面开设测试窗口,屏蔽腔置于微波暗室内且开设测试窗口一侧正对于来波方向;脉冲场信号接收回路和脉冲场信号补偿回路包括接收天线/场探头、信号传输回路和信号显示设备;接收天线/场探头通过第一信号传输回路或第二信号传输回路与信号显示设备连接。另外,本发明还公开了与系统相应的方法。本发明填补了强电磁脉冲屏蔽效能测试系统和方法的领域空白。本发明的测试系统动态范围大,测试结果具有极高的准确度。
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公开(公告)号:CN109188107B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201811029919.8
申请日:2018-09-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/02 , G01R29/027 , G01R1/18
Abstract: 本发明公开了一种抗强电磁干扰的信号无扰测试系统,包括测试传感器、电光转换模块和光电转换模块,所述测试传感器和电光转换模块连接,所述电光转换模块整体集成在便携式屏蔽腔体内,所述便携式屏蔽腔的侧壁和测试屏蔽室的腔壁各自设置有一光纤波导过壁组件,所述电光转换模块和光电转换模块通过光纤进行连接,所述光纤依次穿过便携式屏蔽腔和测试屏蔽室上的光纤波导过壁组件。本发明采用上述测试系统,解决了目前强电磁测试中线缆耦合信号过大影响测试结果准确性的问题。
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公开(公告)号:CN110299222B
公开(公告)日:2020-09-18
申请号:CN201910686601.5
申请日:2019-07-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光透明导电薄膜,制备于透明基底上,所述透明基底上具有银纳米线制备的导电层;所述透明基底与导电层之间设置具有导电能力和附着力促进能力的过渡层,用于增强导电层与透明基底之间的附着力并增强导电层的导电性能;所述导电层上附有具有导电能力的保护层,避免银纳米线受到氧化损坏。采用本发明的一种可见光透明导电薄膜及其制备方法具有:制备条件简单、成本低廉,用涂布法和浸泡法实现样品层间隔分布,条件温和,可操作性强;制得薄膜的尺寸可由基底大小来灵活调节;所得可见光透明导电薄膜透过率高、导电性好,可在太阳能电池、触摸屏、透光电磁防护等领域广泛应用。
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