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公开(公告)号：CN101823875A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010150432.2
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及一种适用于高压涌流下工作电器使用的氧化锌压敏电阻材料及其制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料的组分及含量包括ZnO 70～98mol％、Pr6O11 0.1～20mol％、氧化钴(Co3O4或CoO)0.01～25mol％、Cr2O3 0.01～25mol％、ZrO2 0.01～30mol％、TiO2 0～5mol％。所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、研磨过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤。用上述材料和制备方法所制得的氧化锌压敏电阻片，其电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)为500～2500V/mm，非线性系数α[根据公式α＝1/log(E10mA/E1mA)计算]为10～50，漏电流IL(75％E所对应的电流密度值)为5～50μA/cm2，综合性能优良。特别适用于高压避雷器等高压涌流下工作的电器使用。本发明也可用于家用电器等领域。
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公开(公告)号：CN101806690A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010161619.2
申请日：2010-05-04
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种固体薄膜和膜基界面的物理性质测试方法，属于分析仪器及材料性能测试技术领域。所述方法基于纳米压痕连续刚度曲线，将膜基系统弹性模量平方比硬度作为纵坐标，压痕深度作为横坐标，按照迭代筛选最小二乘法拟合曲线，分析和标定各拟合参数，从而测量薄膜的物理性质，包括厚度、弹性模量平方与硬度的比值，并能表征与界面层厚度相关的参数、以及表征界面层弹性模量平方与硬度比值相关的参数等。所述方法对所有薄膜与膜基界面的物理性质的测试均基于纳米压痕技术，可以在不露出基体表面的情况下进行，不需要对已有的设备进行改装，只需改变分析方法，适用范围广泛，任何膜厚小于纳米压痕仪最大压痕深度的薄膜材料都可以使用。
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公开(公告)号：CN101640090A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910089645.6
申请日：2009-07-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高性能掺杂Ni-Zn系铁氧体软磁材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料主成分为Fe 2 O 3 47.0～50.0mol％、ZnO 24.0～26.0mol％和NiO24.0～26.0mol％，外加副成分为Bi 2 O 3 0.5～5.0wt％、MnCO 3 0.5～5.0wt％，并至少含有一种以上如下掺杂成分：Al 2 O 3 0～75mol％、Pr 6 O 11 0.1～10mol％和WO 3 0.2～10mol％。所述材料制备方法依次包括“配料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→压制成型→烧结”工艺方法和步骤，仅需要一个铁氧体烧结合成步骤，经济、简单、可靠。用本发明提供的材料配方及制备方法所得Ni-Zn系铁氧体软磁材料的烧结体的平均晶粒尺寸为1～10μm，在频率1MHz时的起始磁导率μ i 至少为100，居里温度Tc至少为300℃，矫顽力小于4.5Oe；截止频率fr高于10MHz，1k-100MHz范围内磁损耗(μ″/μ′)小于2.00，介电损耗(ε″/ε′)小于0.03，综合性能优良，特别适合高频大磁场通讯器件应用。
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公开(公告)号：CN101613199A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910089458.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及一种高性能氧化锌复合陶瓷压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述陶瓷以氧化锌为主相，采用氧化镨为非线性肇始相，并采用少量Co、Cr、Fe或W的氧化物为电位梯度和非线性增强剂，各组分摩尔百分含量如下：ZnO 80～95％，Pr6O110.01～15％，CoO 0.01～10.0％，Cr2O30.01～8.0％，Fe2O30.0～5.0％，WO30.0～3.0％。所述材料制备方法依次包括“混料→高能球磨→烘干→混合整粒→过筛→模压成型→烧结→被银”工艺步骤。本发明的压敏电阻材料晶粒细小、显微组织均匀，电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)提高到570～750V/mm，非线性系数α为24～32，漏电流IL(75％E对应的电流密度值)为0.0004～0.0006mA/cm2，具有优良的综合电学性能。本发明的压敏电阻材料可用于制造超、特高压电力系统的避雷器，并可实现避雷器小型化。本发明也可用于手机、家用电器片式或多层片式压敏电阻制备等。
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公开(公告)号：CN101550600A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910082049.5
申请日：2009-04-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅低维纳米材料阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度、高密度单晶α－氮化硅纳米线阵列。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列。所述制备方法包括高含氮量聚硅氮烷的低温交联固化，交联固化后的前驱体在高耐磨器具中的高能球磨粉碎，以及经交联固化和粉碎后的前驱体在保护气氛下的高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积等步骤。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得纳米阵列产量大、密度高、纯度高、组成和形貌可控，有望用于制备高质量氮化硅纳米光电子器件。本发明也可用于其他材料纳米阵列的制备和纳米光电子器件开发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105585044B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201510685041.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度CuS网络状纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用双温区真空管式炉，以硫粉为蒸发源，在真空环境中、在载气保护下，通过低温热蒸发的方法，在Cu箔上合成和生长CuS网络状纳米结构，包括CuS针状晶、墙状晶和薄片状晶等的网络状纳米结构。该方法具有制备严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、产量大、密度高、纯度高、成本低廉等优点，且无需使用任何催化剂。这类纳米结构材料可望在光催化剂、太阳能电池、锂离子电池等方面获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN110706941A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910995578.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种部分合金化的缺氧型氧化锡超级电容器正极材料的制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。本发明提出的正极材料由镶嵌在泡沫镍中的、部分Sn-Ni合金化的、缺氧型的、纳米多孔颗粒氧化锡构成，可直接用作超级电容器工作电极，且活性物质负载量大，导电性好，比电容很大，循环稳定性好，对人体无毒无害。所述方法以二氧化锡为原材料、泡沫镍为集流体，首先将二氧化锡浆料灌注在泡沫镍中，然后将样品在干燥箱中烘干，再在真空管式炉中在还原气氛中进行高温热处理，最终得到所述正极材料。该方法所得正极材料组成和形貌可控；原材料、设备和工艺过程特别简单，产品收率很高、成本极低，生产过程安全、环保，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN106866135B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710144733.6
申请日：2017-03-13
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/468
Abstract: 本发明涉及一种无铅高居里温度BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。所述陶瓷以四方钙钛矿BaTiO3相为基质，以(Bi0.5Na0.5)TiO3为提高居里温度的移峰剂，以稀土氧化物Ta2O5或Sm2O3降低室温电阻率，并且添加过渡金属氧化物MnO2来提高升阻比；所述制备方法采用一锅法制备这种无铅BaTiO3基热敏陶瓷，并采用还原‑再氧化的烧结方法来获得热敏特性优异的BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷；所述制备方法依次包括“称量→混料→球磨→烘干→煅烧→研磨过筛→造粒→压片→排胶→烧结→被电极”工艺方法和步骤。这种BaTiO3基热敏陶瓷的居里温度高、升阻比高、室温电阻率低，并且实现了无铅化，特别适合用于发热、过热与过流保护、温度监控与感应等器件。
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公开(公告)号：CN107293384B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710512052.0
申请日：2017-06-28
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化锡基薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明技术首先在射频磁控溅射设备中，以烧结氧化锡陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电衬底上沉积得到氧化锡基薄膜；然后在马弗炉中，将这种氧化锡基薄膜样品埋在压敏特性形成氧化物粉末中进行热浸；最后，在所得样品的薄膜表面和衬底上分别被电极，即获得所述氧化锡基薄膜压敏电阻器。所制备的这种氧化锡基薄膜压敏电阻非线性性能优异，压敏电压可控，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。所提出器件制备方法，操作简单易行，非常适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN108620053A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710579584.6
申请日：2017-07-17
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J23/04
Abstract: 本发明涉及一种以混合硝酸盐为助溶剂的熔盐法制备偏钛酸钠-四钛酸钾复合催化材料的方法，属于材料制备技术领域。本发明以钛酸四丁酯为原料，水热法制得TiO2材料前驱体，再加入混合硝酸盐作为助溶剂，通过硝酸盐熔盐法制备偏钛酸钠-四钛酸钾复合催化材料。该方法具有制备条件简便可控、设备和工艺简单、产量大、成本低等优点。所获得的产物为6-13微米长，约200纳米左右宽的纳米带，在光催化降解污染物和光催化制氢等方面有广泛的应用前景。
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