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公开(公告)号：CN106645332B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710021848.6
申请日：2017-01-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/27
Abstract: 本发明公开了一种电化学性能检测系统，包括工作站和液体传输部件；工作站包括电化学池，电化学池上设置有弹性元件、第一通孔和第二通孔；弹性元件的伸缩方向与第一通孔的开口方向一致；第一通孔上设置有密封圈；第二通孔通过液体输送管道与液体传输部件连接，使得液体能够从第二通孔流入和/或流出电化学池。本发明还公开了一种光电化学性能检测系统，其包括上述电化学性能检测系统和光源部件；光源部件包括光束传导元件；光束传导元件被设置为伸入电化学池，并使得其所传导的光束通过第一通孔照射在样品上。本发明所涉及的检测系统大大解放人力，使用自动化的手段取代人工，极大地避免了人工操作引起的失误，更加可靠和稳定。
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公开(公告)号：CN106602012A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611148133.9
申请日：2016-12-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种柔性薄膜电极，包括超薄多孔氮化碳纳米片和碳纳米管；超薄多孔氮化碳纳米片上负载有氧化锰，作为电活性材料；超薄多孔氮化碳纳米片使得柔性薄膜电极具有多孔道结构；碳纳米管既作为导电支撑，又作为机械支撑，使得柔性薄膜电极具有三维导电网络结构。本发明还提供该柔性薄膜电极的制备方法以及应用。本发明的方法操作简单、成本低廉。本发明方法制备的薄膜具有三维导电网络和多孔道结构，且具有良好的柔韧性和优异的电化学性能，可广泛用于高效率的储能器件中。
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公开(公告)号：CN104319402B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410588081.1
申请日：2014-10-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种多层碳空心球负极材料及其制备方法。该材料为多层中空碳球结构，碳壳层数为双层或四层,碳球直径为纳米或亚微米级别。本发明首先以正硅酸乙脂为硅源，采用表面活性剂软模板法制备单层和双层空心二氧化硅球硬模板；然后通过热解有机碳源包覆二氧化硅空心球模板，在惰性气氛下高温碳化，最后再将二氧化硅模板蚀刻掉，即可得到多层碳空心球材料。本发明方法简单易行、可控性高、污染小、成本低且具有普适性。所制备的产品具有中空结构，厚度在纳米尺度的壳层，同时多层结构能有效利用内部空间，应用于锂离子电池负极材料，相比传统纳米材料和单层碳空心球显示出更优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN103381472B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310326913.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 上海交通大学 , 上海轻合金精密成型国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法；所述方法包括如下步骤：步骤1，取铝硅合金，预热，之后将铝硅合金熔化，搅拌，第一次静置，降温，精炼，搅拌并扒渣，第二次静置，同时调整铝硅合金熔体的温度，使得该温度比合金的液相线温度高30～60℃；步骤2，将铝合金铸造涂料涂抹于机械滚筒内壁上，烘干，预热；步骤3，将铝硅合金熔体通过定量浇注系统迅速注射进入机械滚筒中，搅拌，得过共晶铝硅合金半固态浆料；步骤4，将所述半固态浆料浇注进入金属铸锭模，其凝固后所得即为过共晶铝硅合金半固态坯料。发明制备方法工艺步骤简单、容易实施，在降低了设备生产成本，同时还提高了初生硅细小的过共晶铝硅合金的制备效率。
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公开(公告)号：CN103474636B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310430247.2
申请日：2013-09-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/1395 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基锂离子电池负极材料及其制备方法，这种材料中，硅核被二氧化硅壳层包覆，两者之间存在一定的空间。其制备方法：在室温下，将表面活性剂加入去离子水中搅拌；再将硅粉悬浮液加入后搅拌；将上述混合溶液加热到40～50℃，将3-氨丙基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯分别滴入，搅拌；然后加热到70～90℃，保温15～48小时；离心方式收集反应产物，分别用乙醇和去离子水洗涤，干燥；再将所得产物加入乙腈盐酸混合溶液，搅拌4～8小时，后用去离子水再次清洗，干燥，即可得到本发明的材料。这种材料首次嵌锂容量高于2000mAh/g，比容量在20次反复充放电循环后仍可保持在520～750mAh/g。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102798309B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210287435.X
申请日：2012-08-13
CPC classification number: Y02E60/142 , Y02E60/145
Abstract: 本发明公开了一种水合物浆蓄热装置、水合物浆蓄热方法，还涉及一种水合物蓄热式空调系统，通过控制水合物输送配管中水合物浆的流量，使水合物浆的流量处于蓄热槽中水合物浆沉降所需的流量，在蓄热槽内形成水合物浆固相率的浓度分布层。在蓄热槽的上方生成流动性高的稀薄层，在蓄热槽的下方生成潜热密度高的浓厚层，并通过从蓄热槽的上方取出水合物浆且使其输送至输送配管的下游，既能够确保蓄热密度的同时，能够将配管内浆的固相浓度维持在低水平，可避免压力损失的上升或配管堵塞。该水合物蓄热式空调系统可在蓄热槽内生成水合物浆实现冷热能贮存的蓄冷运行和利用蓄热槽内水合物浆的冷热能的冷热利用供冷运行之间进行切换。
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公开(公告)号：CN103943721A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410120345.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02425 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/0326
Abstract: 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)配制前驱液：将氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫脲共同溶解到甲醇或者乙醇中，搅拌直至溶液澄清透明；(2)将基底FTO分别在丙酮、乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗；(3)将所述前驱液旋涂到所述基底FTO的表面，然后进行干燥；(4)将步骤(3)得到的样品置于氮气或氩气中煅烧，得到铜锌锡硫薄膜。本发明铜锌锡硫薄膜的制备方法简单易行，适合大规模生产；所制得的铜锌锡硫薄膜表面平整且无裂纹、性能优良、光电化学性能好、化学稳定性高，可广泛用于半导体纳米薄膜的生产以及光电催化领域。
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公开(公告)号：CN103915528A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410124033.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铜锌锡硫-硫化铜-铜锡硫薄膜的合成方法，包括以下步骤：（1）配制电解液：将铜盐、锌盐、锡盐、硫代硫酸钠、柠檬酸三钠和酒石酸分别溶解到水中，然后再混合，混合均匀后调节pH值；（2）清洗基片：金属Mo片作为基片，用氢氧化钠溶液擦拭表面，除去表面锈迹，然后在乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗，除去表面油渍；（3）电化学沉积：将清洗好的基片放入已经配制好的电解液中，设定沉积电压和时间并开始，沉积结束后将基片取出，用大量的去离子水和乙醇冲洗并吹干；（4）将步骤（3）得到的样品在氮气或者氩气中煅烧1小时，得到铜锌锡硫-硫化铜-铜锡硫薄膜。此方法成本低，过程简单，所制得的样品性能优良。
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公开(公告)号：CN103682272A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310674754.0
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极材料及其制备方法，这种材料中，二氧化硅为球状空心结构，其表面被均匀的碳包覆，形成碳-二氧化硅双壳空心球。本发明以3-氨丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯为硅源，采用表面活性剂软模板法制备空心二氧化硅；然后通过热解有机碳源包覆二氧化硅空心球，在惰性气氛下高温碳化，即可得到本发明的材料。这种材料首次嵌锂容量为1394mAh/g，比容量在20次反复充放电循环后仍可保持在498mAh/g。本发明提供的制备方法工艺简单，环境友好，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN103381472A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310326913.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 上海交通大学 , 上海轻合金精密成型国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种过共晶铝硅合金半固态浆料或坯料的制备方法；所述方法包括如下步骤：步骤1，取铝硅合金，预热，之后将铝硅合金熔化，搅拌，第一次静置，降温，精炼，搅拌并扒渣，第二次静置，同时调整铝硅合金熔体的温度，使得该温度比合金的液相线温度高30～60℃；步骤2，将铝合金铸造涂料涂抹于机械滚筒内壁上，烘干，预热；步骤3，将铝硅合金熔体通过定量浇注系统迅速注射进入机械滚筒中，搅拌，得过共晶铝硅合金半固态浆料；步骤4，将所述半固态浆料浇注进入金属铸锭模，其凝固后所得即为过共晶铝硅合金半固态坯料。发明制备方法工艺步骤简单、容易实施，在降低了设备生产成本，同时还提高了初生硅细小的过共晶铝硅合金的制备效率。
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