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公开(公告)号：CN113454736A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080014946.7
申请日：2020-01-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热敏电阻的制造方法，具有：基底电极层形成工序(S01)，在由热敏电阻材料构成的热敏电阻晶片的两面形成基底电极层；芯片化工序(S02)，将所述热敏电阻晶片切断以实现芯片化，获得带基底电极层的热敏电阻芯片；保护膜形成工序(S03)，在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的整个面形成由氧化物构成的保护膜；覆盖电极层形成工序(S04)，在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S05)，进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通，所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极和所述覆盖电极的所述电极部。
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公开(公告)号：CN113424277A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014059.X
申请日：2020-02-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热敏电阻的制造方法及热敏电阻，所述热敏电阻的制造方法具有：基底电极层形成工序(S03)，在热敏电阻基体的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成基底电极层；氧化物层形成工序(S04)，在所述基底电极层的表面形成氧化物层；覆盖电极层形成工序(S05)，在所述氧化物层的表面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S06)，进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通，所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极层和所述覆盖电极层的所述电极部，并且在导通热处理工序(S06)之后，具备在所述覆盖电极层的表面形成金属镀敷层的镀敷工序(S07)。
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公开(公告)号：CN111566052A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201980007579.5
申请日：2019-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的金属氧化物微粒子是通过碳原子数为5以上且14以下并且具有支链的脂肪酸修饰金属氧化物的微粒子的表面而成，所述金属氧化物是选自Zn、In、Sn及Sb中的多种金属的氧化物，所述微粒子的平均粒径为80nm以下。红外线遮蔽膜形成用分散液是在疏水性溶剂中分散有所述金属氧化物微粒子，在波长800nm～1100nm区域的透光率为20％以上且小于70％。
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公开(公告)号：CN111356653A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201980005811.1
申请日：2019-02-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 日向野怜子
Abstract: 在本发明的方法中，将CnH2nO2的脂肪酸与选自Zn、In、Sn、Sb及Al的多个金属源混合而获得脂肪酸金属盐之后，在130℃～250℃加热，获得作为前体的金属皂，其中，n＝5～14。将该前体在200℃～350℃加热，使金属氧化物一次粒子在前体熔液中分散。在该分散液中，添加具有比最终分散用溶剂的汉森溶解度参数的δP值高5～12的δP值的清洗用溶剂，清洗金属氧化物一次粒子并使其凝聚，获得金属氧化物二次粒子之后，重复清洗。
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公开(公告)号：CN110072814A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880005107.1
申请日：2018-01-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该金属氧化物微粒的制造方法具有如下工序：混合CnH2nO2(n＝5～14)脂肪酸与由选自Zn、In、Sn及Sb中的两种以上金属元素的金属、金属氧化物或金属氢氧化物构成的金属源而得到混合物；以所述脂肪酸的熔融温度以上且小于分解温度的温度加热所述混合物而得到作为金属氧化物微粒的前体的金属皂；及通过以所述前体的熔融温度以上且小于分解温度的温度加热所述前体而得到平均粒径为80nm以下的金属氧化物微粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258864A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210544974.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01B1/22 , H01L31/18 , H01L31/052 , B82Y20/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/022425 , C23C18/04 , C23C18/1212 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01L31/046 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需实施真空成膜法，通过湿式涂布法维持银纳米颗粒烧结膜的高反射率、高导电性的同时，提高与基材的粘附性的导电性反射膜及其制造方法。一种导电性反射膜，其特征在于，通过使用湿式涂布法在银纳米颗粒烧结膜上涂布含有金属醇盐的水解物的表面包覆用组合物之后，烧成具有涂膜的银纳米颗粒烧结膜来形成。另外，一种导电性反射膜的制造方法，其特征在于，通过湿式涂布法在银纳米颗粒烧结膜上涂布含有金属醇盐的水解物的表面包覆用组合物之后，对具有涂膜的银纳米颗粒烧结膜进行烧成。
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公开(公告)号：CN102956837A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210245782.6
申请日：2012-07-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法，其目的在于得到如下有机EL元件，其通过提高金属反射膜的反射特性来提高有机EL元件的亮度，且通过抑制因有机EL元件发光时的热和光而引起的金属反射膜的劣化来抑制因金属反射膜从基材或发光层剥离而引起的发光强度的下降，且耐久性有所提高。本发明的有机电致发光元件（100），依次具备基材（101）、金属反射膜（102）、增反射透明膜（103）、透明导电层（104）、发光层（105）及透明电极层（106），其特征在于，金属反射膜（102）含有金属纳米颗粒烧结体和添加物，且增反射透明膜（103）含有透光性粘结剂。
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公开(公告)号：CN102956836A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210245718.8
申请日：2012-07-16
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法，其的目在于得到如下有机EL元件，其通过提高金属反射膜的反射特性来提高有机EL元件的亮度，且通过抑制因有机EL元件发光时的热和光而引起的金属反射膜的劣化来抑制因金属反射膜从发光层等剥离而引起的发光强度下降，且耐久性有所提高。本发明的有机有机电致发光元件（100），依次具备基材（101）、金属反射膜（102）、增反射透明膜（103）、透明导电层（104）、发光层（105）及透明电极层（106），其特征在于，金属反射膜（102）含有金属纳米颗粒烧结体和添加物，且增反射透明膜（103）含有透光性粘结剂。
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公开(公告)号：CN102738254A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210043804.0
申请日：2012-02-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池用的在湿式涂布法中使用的透明导电膜用组合物及通过该组合物制作的透明导电膜。本发明提供一种通过加大透明导电膜的折射率与光电转换层的折射率之差来增加透明导电膜-光电转换层界面处的反射光，且通过该增加的返回至光电转换层的光提高薄膜太阳能电池的发电效率的透明导电膜及可形成该透明导电膜的透明导电膜用组合物。本发明的薄膜太阳能电池用的透明导电膜用组合物，其特征在于，包含导电性氧化物颗粒、平均粒径为1～50nm的在表面具有ITO纳米颗粒的二氧化硅颗粒及粘合剂，相对于导电性氧化物颗粒和在表面具有ITO纳米颗粒的二氧化硅颗粒的合计100质量份，包含2～45质量份的在表面具有ITO纳米颗粒的二氧化硅颗粒。
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公开(公告)号：CN102732150A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210085528.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及用于薄膜太阳能电池的透明导电膜用组合物，其特征在于，含有导电性氧化物粒子和经加热固化的粘合剂，粘合剂含有由通式(1)：R1Si(OR2)3(式中，R1、R2为特定的烃基)表示的有机三烷氧基硅烷和/或其水解物。另外，本发明涉及含有有机三烷氧基硅烷的水解物的透明导电薄膜、具有该导电薄膜的太阳能电池以及该透明导电薄膜的制造方法。
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