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公开(公告)号：CN103842838B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280023413.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/147 , G01N27/72 , G01R33/096 , G07D7/04
Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
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公开(公告)号：CN105122316A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480018840.9
申请日：2014-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H04N1/00326 , G07D7/04 , G07D7/12 , H04N1/00339 , H04N1/12 , H04N1/193 , H04N2201/0081
Abstract: 磁体(11)设置在片状的被读取介质(1)沿着其片材面的方向传送的传送面P的一侧，在与传送面(P)垂直的方向上产生磁场。磁阻效应元件(14)设置在磁体(11)与传送面(P)之间，在传送面(P)上对被读取介质(1)进行传送时，在磁读取区域(202)中检测磁场的传送方向上的分量的强度变化。导光体(4)夹着传送面(P)设置在与磁体(11)相对的一侧，向传送面(P)的磁读取区域(202)照射光。成像光学系统(5)和受光部(7)夹着传送面(P)设置在与磁体(11)相对的一侧。并且，成像光学系统(5)将传送面(P)的磁读取区域(202)中包含传送方向的至少一部分的光学读取区域(201)成像到受光部(7)中。
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公开(公告)号：CN104969084A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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公开(公告)号：CN109075752B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780026812.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/343 , G05F3/26 , G07D7/00 , H03K17/687
Abstract: 偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
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公开(公告)号：CN110892279B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880047004.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁传感器装置(10)包括磁传感器部、磁屏蔽部(4)以及盖部，磁传感器部包括安装于在长边方向上延伸的传感器基板的磁阻效应元件以及设置于传感器基板的与磁阻效应元件相反的一侧的磁体(3)，壳体对磁传感器部进行支承，磁屏蔽部(4)覆盖壳体的侧面和下表面，盖部覆盖壳体的上方。磁屏蔽部(4)在从磁阻效应元件朝向检测对象的搬运通路的Z轴方向上具有开口部(4o)，开口部(4o)具有沿着长边方向的长边方向两边以及沿着短边方向的短边方向两边。磁屏蔽部(4)的长边方向两边比短边方向两边在Z轴方向上更靠近检测对象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109073715B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201780027143.3
申请日：2017-05-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在磁传感器装置中，利用磁化磁体(1)对传送面(P)上所传送的片状的被检测物(4)进行磁化，该磁化磁体形成磁通中心的磁力方向与传送面(P)相交的磁化磁场(11)，在传送面(P)上的磁化磁场(11)中，与传送面(P)平行的磁场分量的大小在具有比第一矫顽力要大的第二矫顽力的第二磁性体的饱和磁场以上。磁传感器装置具有：偏置磁体(2)，其形成磁通中心的磁力方向与被磁化磁体(1)磁化且被传送的被检测物(4)的平面相交的偏置磁场(21)，且在被检测物(4)的平面上的偏置磁场(21)中使与被检测物(4)的平面平行的磁场分量的大小大于第一矫顽力且小于第二矫顽力；及磁阻效应元件芯片(9)，其与偏置磁体(2)的被检测物(4)的平面相对地配置。
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公开(公告)号：CN111602178A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880085572.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G07D7/026
Abstract: 本发明的静电电容检测装置包括：夹住沿着片状的检测对象物(3)被传送的方向即传送方向的传送路径(5)、且至少一部分相对的第1电极(1)和第2电极(2)；在第1电极(1)与第2电极(2)之间形成电场(9)的振荡电路；检测第1电极(1)与第2电极(2)之间的静电电容的变化的检测电路；形成有振荡电路与检测电路中的至少一方的第1基板(11)和第2基板(12)；形成在第1电极(1)与传送路径(5)之间的绝缘性的第1平板(6)；以及形成在第2电极(2)与传送路径(5)之间的绝缘性的第2平板(7)。
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公开(公告)号：CN106560005B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201580031307.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于获得高精度地对使用硬磁性体(1a)的被检测物(1)进行检测的磁性传感器装置(101)。包括磁体(3)、设置于磁体(3)的磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)、以及施加有从磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)释放至磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)外的漏磁场的磁阻效应元件(5)。磁阻效应元件(5)将与磁体(3)相对的相反侧作为检测区域(2a)。磁阻效应元件(5)对在包含硬磁性体(1a)的被检测物(1)通过检测区域(2a)时所产生的磁阻效应元件(5)的偏置磁场(6)的变化进行检测。
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公开(公告)号：CN109993878A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910303591.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G07D7/026
Abstract: 静电容量检测装置(20)包括至少一部分夹着搬运路径(5)相对的第一电极(1)和第二电极(2)。振荡电路在第一电极(1)与第二电极(2)之间形成电场。检测电路对第一电极(1)与第二电极(2)之间的静电容量的变化进行检测。在第一基板(11)和第二基板(12)形成有振荡电路和检测电路中的至少一方。第一基板(11)配置成第一基板(11)的侧面在电场方向上与第一电极(1)相对，第二基板(12)配置成第二基板(12)的侧面在电场方向上与第二电极(2)相对。
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公开(公告)号：CN109983355A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070376.1
申请日：2017-10-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁传感器装置包括：在检测对象物(21)的传送路径中形成磁场的磁体(4)；将磁场的变化作为电阻值的变化进行输出的磁阻效应元件(2)；对永磁体(4)及磁阻效应元件(2)进行收纳或保持的壳体(6)；覆盖磁阻效应元件(2)、形成沿着传送路径的面即传送路径面(1b)的盖板(1)；以及具有配置于与传送路径面相交叉的交叉面的信号放大IC(8)，并利用信号放大IC(8)对与因在传送路径面(1b)上传送的检测对象物(21)而产生的磁场的变化相对应的、由磁阻效应元件(2)输出的电阻值的变化进行放大的信号放大基板(9)。
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