显示面板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN112103322B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202011002096.7

    申请日:2020-09-22

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及显示技术领域,提出一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板阵列基板、平坦化层组以及多个子像素;阵列基板包括由多个开关单元形成的开关阵列;平坦化层组设于阵列基板之上,平坦化层组上设置有多个纳米级的凹槽;多个子像素设于平坦化层组的远离阵列基板的一侧,子像素包括多个第一电极,第一电极连接至阵列基板的开关单元,相邻两个第一电极之间设置有纳米级的第二间隙,第二间隙在阵列基板上的正投影位于凹槽在阵列基板上的正投影内。该显示面板可以避免产生摩尔纹异常,而且第二电极不容易断裂。

    一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件

    公开(公告)号:CN111725440B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202010627709.X

    申请日:2020-07-01

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/50 B82Y40/00

    摘要: 本发明提供了一种金属氧化物纳米颗粒及其处理方法和QLED器件,包括以下步骤:将气体通入金属氧化物纳米颗粒的溶液中进行反应,其中:所述气体能与金属氧化物纳米颗粒发生反应并减少金属氧化物纳米颗粒表面的本征缺陷。利用气体填补金属氧化物纳米颗粒表面的氧空位后,能够有效降低金属氧化物纳米颗粒的电子迁移率,能够有效改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的电荷传输性能,从而改善和提高了量子点发光二极管的效率和寿命。

    一种Micro OLED微显示器件像素定义层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115440921A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211192275.0

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: H01L51/56 H01L27/32

    摘要: 一种Micro OLED微显示器件像素定义层及其制备方法,属于OLED微显示技术领域,该Micro OLED微显示器件像素定义层的制备方法,包括在制备有阳极层的基板上制备有机胶层,使其位于阳极间隔内且其表面低于阳极层的表面;烘烤后使有机胶层融化,形成中间凹陷且两端覆盖阳极间隔侧壁的像素定义层,本发明的有益效果是,本发明制备的像素定义层不仅能覆盖住阳极边缘但不与阳极层表面重叠,提升了阳极的有效利用率,防止了后续蒸镀制程中膜层断裂,而且可延长像素间蒸镀膜层中电流传输路径,降低电学串光效应。

    一种碳点诱导钙钛矿薄膜结晶的方法及钙钛矿发光二极管

    公开(公告)号:CN115440920A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211081719.3

    申请日:2022-09-06

    申请人: 吉林大学

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/52 H01L51/50

    摘要: 本发明公开了一种利用碳点实现钙钛矿室温结晶同时提升发光二极管效率的方法,涉及光电技术领域。实现钙钛矿薄膜室温结晶的方法是通过将含有碱金属离子的碳点薄膜用作钙钛矿发光二极管的界面修饰层,用于载流子传输层与钙钛矿发光层之间;碳点作为异质形核的中心来增强钙钛矿的结晶,实现在活性层不退火的条件下使钙钛矿发光二极管薄膜结晶:本发明通过设计一种廉价、简易、表面富含碱金属离子的碳点,以这种碳点的薄膜作为准二维钙钛矿发光二极管的界面修饰层,达到了钙钛矿薄膜不需要热退火,室温下也能实现良好的结晶,有提升器件性能,简化发光二极管制备工艺的作用。

    发光器件及其制备方法、显示器件

    公开(公告)号:CN115440919A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202110620486.9

    申请日:2021-06-03

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/52 H01L27/32

    摘要: 本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种发光器件及其制备方法。其中,发光器件的制备方法包括步骤:获取待蒸镀金属电极层的半器件;在预设温度条件下在所述半器件的待蒸镀表面进行蒸镀沉积金属电极层,得到发光器件。本申请发光器件的制备方法,在金属电极动态沉积的同时,半器件在加热环境中进行原位热处理,不但使金属电极膜层致密性好,厚度均一;而且促进了界面层粒子的扩散,从而优化了功能层界面接触,有利于载流子迁移传输,提高了载流子迁移传输效率,提高了发光器件稳定性。

    QLED器件及其制备方法
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115440911A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211286624.5

    申请日:2022-10-20

    发明人: 汪鹏生 龚克

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及QLED器件技术领域,具体而言,涉及一种QLED器件及其制备方法。QLED器件,包括依次层叠设置的ITO玻璃衬底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、稀有轻金属碳酸盐层、电子传输层和阴极层。本发明的QLED器件在发光层和电子传输层中间插入稀有轻金属碳酸盐层,量子点膜的亮度下降趋势大大降低,稀有轻金属碳酸盐层能够缓解电子传输层的荧光猝灭,从而可提高器件性能。

    量子点发光器件及其制备方法、显示面板

    公开(公告)号:CN115440905A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202110624052.6

    申请日:2021-06-04

    发明人: 刘铭全

    摘要: 本发明实施例公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板,量子点发光器件包括间隔设于衬底上的第一电极和第二电极、第一绝缘层、设置于第一绝缘层上的空穴功能层和电子功能层、设置于空穴功能层和电子功能层上的量子点发光层、设置于量子点发光层上的第三电极和第四电极,第三电极与第一电极对应,第四电极与第二电极对应;通过调节第一电极对应的偏转电压的大小及正负、第二电极对应的偏转电压的大小及正负,可以不同程度地增强或抑制空穴和电子的注入能力,以达到量子点发光器件所需的最佳载流子注入状态。

    显示面板及其制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN113206126B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202010487396.2

    申请日:2020-06-02

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括若干个像素单元,像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素,红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素均包括层叠设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴功能层与阳极;电子传输层的材质为Mg掺杂的ZnO纳米颗粒,红色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度、绿色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度与蓝色子像素的电子传输层中Mg的掺杂浓度依次递减。上述显示面板,能够针对红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素的不同需求,分别调节载流子平衡,最终使红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素同时实现最优的载流子平衡,从而提高显示面板的性能。

    显示面板及其制作方法
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112002741B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202010801636.1

    申请日:2020-08-11

    发明人: 王敏

    摘要: 本发明公开了一种显示面板及其制作方法,显示面板的制作方法包括以下步骤:步骤A:形成支撑组件,所述支撑组件包括第一非晶硅层;步骤B:在所述支撑组件上形成发光器件,所述发光器件包括蓝色发光层和阴极层;步骤C:将带有色彩转换层的模版转印至所述阴极层,所述色彩转换层包括绿色量子点膜图案和红色量子点膜图案;步骤D:在所述色彩转换层上形成无机保护层;步骤E:在所述无机保护层上设置第一阻隔复合膜层;步骤F:利用激光照射所述第一非晶硅层,使得所述第一非晶硅层与所述发光器件的第一表面分离;步骤G:将第二阻隔复合膜层的第一表面和所述发光器件的第一表面贴合,以形成显示面板。