公开(公告)号：CN112913034A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980070323.9

申请日：2019-10-09

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  平林润 ,  佐佐木公平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供不容易发生由电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管包括：由氧化镓形成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟槽(10)。位于阳极电极(40)与外周沟槽(10)之间的漂移层(30)的表面被与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)覆盖。

公开(公告)号：CN111279490A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880069554.3

申请日：2018-09-26

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 有马润 ,  平林润 ,  藤田实 ,  佐佐木公平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。

公开(公告)号：CN106486237A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610657378.8

申请日：2016-08-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  森健太郎 ,  安原克志 ,  冈义人 ,  氏家彻

IPC: H01F1/34 ,  H01F27/24

CPC classification number: H01F1/344 ,  H01F27/24

Abstract: 本发明涉及一种铁氧体磁芯、电子部件以及电源装置。本发明提供在100℃附近的饱和磁致伸缩小、驱动时的音鸣声被抑制并且饱和磁通密度高的铁氧体磁芯。所述铁氧体磁芯其特征在于：是包含换算成Fe2O3为51.5～54.5mol％的氧化铁、换算成ZnO为6.5～12.5mol％的氧化锌、以及剩余部分为氧化锰的主成分的MnZn系铁氧体，相对于该主成分，包含换算成Li2CO3为50～4000ppm的Li，包含换算成TiO2为100～8000ppm的Ti，包含换算成CoO为500～4000ppm的Co。