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公开(公告)号：CN109844979A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064920.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II-VI族化合物、第II-V族化合物、第III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第II-IV-VI族化合物、第II-IV-V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。
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