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公开(公告)号：CN103904211A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410148982.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法，磁场探测器的制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射或电子束蒸镀方法，在基片上依次沉积底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，得到多层膜结构；采用紫外曝光和氩离子刻蚀工艺，将得到的多层膜结构加工成一十字形结构。本发明制备得到的磁场探测器包括基片、底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，基片采用十字形结构，底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极依次沉积在基片上，且形状均与基片的形状呈匹配设置；铁磁层由垂直磁化膜构成，非磁性层由反铁磁层或氧化层构成，底电极和顶电极均采用Pt电极。本发明可以广泛应用于磁场探测过程中。
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