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公开(公告)号:CN207968089U
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201721672788.6
申请日:2017-12-05
Applicant: 广东电网有限责任公司江门供电局 , 清华大学
Abstract: 一种MEMS电场传感器的无线供能系统及MEMS电场传感器。无线供能系统包括信号源、功率放大器、发射天线、接收天线、后端电路;信号源产生的高频交流信号经过功率放大器放大,然后经过发射天线转换为高频电磁波,接收天线接收高频电磁波并转为了电能,后端电路经过一系列的整流、滤波、电压电流转换为满足后端负载所需的电能;其中接收天线、后端电路和电场感应芯片、信号处理电路共同组成MEMS电场传感器。该电场传感器采用无线供能方案,解决了长期持续工作的供能问题,并且保证了电位隔离;同时,集成传感器体积微小,引起的电场畸变程度小,测量准确度高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN207468189U
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201721249033.5
申请日:2017-09-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
Abstract: 本实用新型公开了一种涉及微机电系统领域的压阻式MEMS温度传感器,该传感器主要采用双层膜结构和惠斯通电桥技术,采用压阻式悬臂梁结构,将惠斯通电桥的四个电阻布置在四个悬臂梁的相同位置,通过引线将四个电阻连接成惠斯通电桥,能够放在狭窄的空间内直接进行点位置的温度测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209559360U
公开(公告)日:2019-10-29
申请号:CN201821965998.9
申请日:2018-11-27
Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 , 清华大学
IPC: G01K7/24
Abstract: 本实用新型公开了一种温度传感器,所述传感器采用硅微桥双层膜结构,且制作在SOI器件上,下层为SOI器件的顶层硅,所述顶层硅上通过离子注入工艺形成压敏电阻;上层为通过溅射工艺形成的金属铝层;所述硅微桥下方悬空,且不与所述SOI器件的衬底硅相连接。该传感器结构相对稳定,且灵敏度高,硅微桥为可动结构,发生热膨胀时,压敏电阻值发生变化,通过电路的连接可以检测出电阻值的变化,基于电阻值的变化与温度变化呈现的数值关系,从而实现温度的测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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