一种改善量子点发光二极管寿命的方法

    公开(公告)号:CN104701430B

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201510068498.X

    申请日:2015-02-10

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明属于电致发光器件领域,涉及一种改善量子点发光二极管寿命的方法,其作为发光层的量子点的壳和核体积比大于60:1。所选用量子点的核和壳层材料均为II‑VI族材料,可以为CdSe/ZnS、CdSe/ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS、ZnCdSe/ZnS或ZnCdSe/ZnSe/ZnS等。壳层可由ZnCdS与ZnS、或ZnSe与ZnS等复合而成。该方法利用“巨壳型”量子点作为发光层,有效地抑制了量子点的荧光闪烁,提高了其抗光漂白的能力,并由此有效地改善了半导体荧光量子点作为发光层的电致发光器件的寿命。

    一种量子点发光二极管及制备方法

    公开(公告)号:CN107331781A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710504303.0

    申请日:2017-06-28

    Applicant: 河南大学

    CPC classification number: H01L51/502 H01L2251/301

    Abstract: 本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法,所述量子点发光二极管包括:底电极、无机电子传输层、量子点发光层、无机空穴传输层、顶电极;在所述底电极上设置所述无机电子传输层,在所述无机电子传输层上设置所述量子点发光层,在所述量子点发光层上设置所述无机空穴传输层,在所述无机空穴传输层上设置所述顶电极。本发明通过设置无机空穴传输层,不仅有效的避免器件被氧化的问题,提高量子点的稳定性,还提高载流子注入平衡和QLED效率。

    一种新型量子点发光器件
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105261707A

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201510565229.4

    申请日:2015-09-08

    Applicant: 河南大学

    CPC classification number: H01L51/5056

    Abstract: 本发明属于电致发光器件领域,具体涉及一种新型量子点发光器件,包括ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和Al阴极,其中,还包括绝缘层,所述绝缘层设置在空穴传输层和量子点发光层之间。该绝缘层材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯、氧化钙、氧化铝、氧化硅或氧化镓等中的一种或几种。该绝缘层的设置一方面有效地平衡了空穴和电子的注入,另一方面保证了量子点的电中性,从而提高了蓝绿色量子点发光二极管的发光性能。

    一种以功能化基底为介质、单色及多色量子点为标记的多功能荧光免疫快速检测法

    公开(公告)号:CN103149360A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201310044802.8

    申请日:2013-02-04

    Applicant: 河南大学

    Inventor: 李林松 刘丹

    Abstract: 本发明涉及一种利用经过化学修饰的功能化多形貌基底作为介质,结合无机半导体荧光纳米材料(量子点)和免疫学手段的快速、高灵敏度的定性、定量临床检测新方法。本发明可用于各种激素、蛋白、核酸和病原体单一或者复合定性、定量检测。本发明较之传统的酶联免疫检测法和胶体金检测试纸有着简单、快速、高灵敏度和保存时间长等特点,可以满足不同的检测条件和样本的要求,并能够在同一个基底介质上同时对不同抗原进行单一或者复合定性、定量检测,在临床应用方面极具潜力。

    一种有机相制备Au和Agx(Au)1-x纳米晶的方法

    公开(公告)号:CN102921956A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210436389.5

    申请日:2012-11-01

    Applicant: 河南大学

    Inventor: 李林松 徐巍巍

    Abstract: 本发明使用稳定的有机金盐(AuPPh3Cl)作为金的前躯体制备Au和Agx(Au)1-x纳米晶,是一种简单高效,反应条件温和,试剂易得,可重复,可控合成尺寸分布较广的Au纳米晶的方法。本方法避免了目前国际上的使用水相合成大尺寸的Au和Agx(Au)1-x纳米颗粒的种子生长的方法,使实验过程更加简单。而采用油胺(oleyamine)作为Au的还原剂、稳定剂和溶剂。制备得Au纳米晶尺寸在5-100nm,纳米棒的尺寸在60-100nm和纳米立方块的尺寸是25nm,其吸收峰位于530-560nm。制备的AgX(Au)1-x纳米晶尺寸在6-15nm,其吸收峰位于450-510nm。本方法生成的Au和Agx(Au)1-x纳米晶可以转移到水相并稳定存在。

    一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN101275077B

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200810049642.5

    申请日:2008-04-25

    Applicant: 河南大学

    Inventor: 李林松 申怀彬

    Abstract: 本发明涉及一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法。所述掺杂半导体纳米晶为MnSe/ZnSe/ZnS,是以Mn掺杂ZnSe半导体纳米晶为壳,其外包覆有ZnS层的核壳结构纳米晶。本发明提供的半导体纳米晶荧光峰位可覆盖范围为570-610nm,单分散性好,量子产率可达50%以上,荧光稳定性高。合成方法简单,掺杂工序简单、掺杂量便于控制,同时避免了易燃易爆药品的使用。

    一种蓝色荧光核壳结构量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN112940712B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202110330808.6

    申请日:2021-03-29

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提出的是一种蓝色荧光核壳结构量子点,其结构包括大尺寸合金CdSe//ZnSe晶核,在大尺寸合金CdSe//ZnSe晶核外包覆壳层。一种制备蓝色荧光核壳结构量子点的方法,该方法包括以下步骤:(1)采用反向注射方法制备合金CdSe//ZnSe晶核;(2)采用反复成核的方法,将合金CdSe//ZnSe晶核的尺寸做大形成含有大尺寸合金CdSe//ZnSe晶核的混合溶液;(3)包覆壳层。本发明的有益效果:本发明制备的蓝色荧光核壳结构量子点具有单分散性、尺寸分布均匀、量子产率高、半峰宽窄,解决了以往采用小峰位CdSe为核,出现严重激子泄漏的问题。

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