PVD真空镀层设备
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101889102B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200880119186.5

    申请日:2008-11-17

    CPC classification number: C23C14/325 C23C14/50 C23C14/505

    Abstract: 一种真空镀层设备,具有:反应气体入口(12);至少一个具有平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21);带有多个基材(7)的基材载体(6),其中基材载体(6)二维地水平延展,该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间,多个基材(7)是切削刀具,且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E),这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上,其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间,使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′),且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。

    PVD真空镀层设备
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101889102A

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200880119186.5

    申请日:2008-11-17

    CPC classification number: C23C14/325 C23C14/50 C23C14/505

    Abstract: 一种真空镀层设备,具有:反应气体入口(12);至少一个具有平面的阴极(11)的PVD镀层源(8、21);带有多个基材(7)的基材载体(6),其中基材载体(6)二维地水平延展,该基材载体位于至少两个PVD镀层源之间,多个基材(7)是切削刀具,且在平面的基材(7)的周围的边缘区域中具有至少一个切削边(E),这些基材分布在二维延展的基材载体(6)的平面上,其中基材载体(6)在水平面(3)上在真空过程腔室(1)中间隔地设置在至少两个PVD镀层源(8、21)的平面的阴极(11)之间,使得每个至少一个切削边(E)的至少一部分含有有效的切削边(E′),且该有效的切削边在可见方向上在任何时候都暴露在PVD镀层源(8、21)的至少一个阴极(11)的对面。

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