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公开(公告)号：CN111767678A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010642286.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于深度学习神经网络的超材料电磁感应透明器件结构的按需设计方法。其特征是：深度学习神经网络全部由全连接层构成，其数据驱动的方法可以表示和泛化复杂的函数或数据，从而发现大量变量之间的未知关系。解决了利用传统数值算法来设计超材料电磁感应透明器件结构过程中的求解麦克斯韦方程组在极其复杂的边界条件下高度非线性求解问题的耗时与可行性问题。本发明可用于根据光谱反向按需设计电磁感应透明器件结构，可广泛用于慢光效应、非线性光学、光学传感和光学存储等方面。
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公开(公告)号：CN110401496A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910623913.1
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本发明提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本发明提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。
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公开(公告)号：CN109728745A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910019457.X
申请日：2019-01-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种压电陶瓷驱动的微位移放大机构及其使用方法，压电陶瓷伸长以推动所述第一柔性杆向左倾斜，当第一电变液盒中的电变液呈液态，第二电变液盒中的电变液呈固态时，输出臂向左移动，当所述第一电变液盒中的电变液呈固态，所述第二电变液盒中的电变液呈液态时，所述输出臂向右移动。通过增加电变液盒作为位移方向的控制，实现了位移由简单的单向输出变为双向输出，位移方向具有前进和后退两个方向，为小范围往复运动提供了一种简便方法。
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公开(公告)号：CN107463443A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710567045.0
申请日：2017-07-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F9/50
CPC classification number: G06F9/5005
Abstract: 本发明公开了一种基于对身份不敏感的并行机制的分配方法，步骤(1)在分配过程的每一个步骤里，根据指定的“并行机制”，将选择某些公开报告自己在剩下的所有物品中最喜欢的物品，然后物品将被分配出去；步骤(2)如果有多个Agent同时想要某个物品，那么这些通过抽签的方式随机决定哪个Agent来得到该物品，然后继续，直到所有的物品都被分配出去。采用本发明的技术方案通过采用并行机制分配方法，计算效率到了提高；利用了对身份不敏感性质，保证了每个Agent选择自己最爱的物品时的事前公平性，有效的解决了资源分配不公平的缺点，同时也提高了经济效益，而且具有良好的实用性和社会平等性。
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公开(公告)号：CN212305342U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021084608.4
申请日：2020-06-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/90
Abstract: 本实用新型公开一种光控的太赫兹波3比特编码器，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本实用新型能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本实用新型具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210274096U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201921402002.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
Abstract: 本实用新型提出一种电压控制的太赫兹2位编码器件及系统，包括：分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元；所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构；半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体，N型半导体的底面与方形衬底贴合，P型半导体设置于所述N型半导体上，形成一呈圆形区域的PN结；金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极，每个金属结构的第一金属电极相连，每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统，通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本实用新型可以具有编码速度快，操作简便和实用性强等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217215088U
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202220905635.6
申请日：2022-04-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本实用新型涉及吸波器技术领域，具体涉及一种基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器，包括多个太赫兹吸收器单元，多个太赫兹吸收器单元呈阵列分布，且相邻的太赫兹吸收器单元固定连接，每个太赫兹吸收器单元包括介质层、温控层和基底层，介质层、温控层和基底层从上到下依次堆叠。通过给基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器加热，改变温控层的物理性质，从而改变基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器的性能，实现对基于复合型全介质的温度可调太赫兹吸收器吸收率的主动控制。
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公开(公告)号：CN210137332U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921080132.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本实用新型提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本实用新型提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210137331U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201920821523.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供了一种保密传输系统及芯片，加密时，太赫兹波发射源向太赫兹芯片上发射太赫兹波，太赫兹波经附太赫兹芯片进行低频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息加密；在解密时，太赫兹波发射源向太赫兹芯片发射太赫兹波，激光发射源向太赫兹芯片发射激光，太赫兹波与激光经太赫兹芯片进行高频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息解密。太赫兹芯片包括衬底以及衬底顶面的二维阵列；二维阵列由周期排列的单元结构组成。单元结构包括金属结构主体、金属结构上形成有凹槽，在凹槽中还设有关于金属结构中心线对称的金属块和半导体材料块。本实用新型利用了太赫兹芯片对太赫兹波进行带通滤波，实现了便捷的保密传输。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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